制造商是'STMicroelectronics'
STMicroelectronics 晶体管 - IGBT - 模块
(26)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 质量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 系列 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 附加功能 | 子类别 | 电压 - 额定直流 | 最大功率耗散 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | Reach合规守则 | 额定电流 | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 电压-隔离度 | 极性 | 配置 | 电压 | 电流 | 功率耗散 | 箱体转运 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 晶体管应用 | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | 极性/通道类型 | 输入 | 产品类别 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 连续放电电流(ID) | 最大集极截止电流 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 输入电容 | 信道型 | 最大击穿电压 | 最大耗散功率(Abs) | 接通时间 | 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 关断时间-标准值(toff) | IGBT类型 | NTC热敏电阻 | 栅极-发射极电压-最大值 | 输入电容(Cies)@Vce | VCEsat-最大值 | 栅极-发射极Thr电压-最大值 | 产品 | 产品类别 | 高度 | 长度 | 宽度 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGE200NB60S | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 2.4 μs | 600V | ACTIVE (Last Updated: 8 months ago) | Chassis Mount, Panel, Screw | 底座安装 | SOT-227-4, miniBLOC | 4 | 28.349523g | SILICON | 1 | -55°C~150°C TJ | PowerMESH™ | 活跃 | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | Nickel (Ni) | 600V | 600W | UPPER | UNSPECIFIED | 150A | STGE200 | 4 | Single | 600W | ISOLATED | 64 ns | 电源控制 | 112ns | 600V | N-CHANNEL | Standard | 600V | 200A | 200A | 500μA | 1.56nF | 170 ns | 1.6V @ 15V, 100A | 4600 ns | 无 | 20V | 1.56nF @ 25V | 1.6 V | 9.1mm | 38.2mm | 25.5mm | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGE50NC60VD | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 90A | 1 | 140 ns | Chassis Mount, Screw, Surface Mount | 底座安装 | SOT-227-4, miniBLOC | 4 | SILICON | 600V | -55°C~150°C TJ | PowerMESH™ | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | 260W | UPPER | UNSPECIFIED | STGE50 | 4 | Single | 260W | ISOLATED | 43 ns | 电源控制 | 17ns | N-CHANNEL | Standard | 600V | 80A | 150μA | 4.55nF | 600V | 61 ns | 2.5V @ 15V, 40A | 247 ns | 无 | 20V | 4.55nF @ 25V | 12.2mm | 38.2mm | 24.15mm | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2C25S12M3 | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 25A | -40°C~150°C TJ | 活跃 | 1 (Unlimited) | 35 | UL 认证 | UPPER | UNSPECIFIED | A2C25S12 | R-XUFM-X35 | 带制动器的三相逆变器 | 197W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | 三相桥式整流器 | 100μA | 1200V | 197W | 125.2 ns | 2.45V @ 15V, 25A | 338 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 20V | 1550pF @ 25V | 2.45 V | 7V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2P75S12M3 | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 75A | -40°C~150°C TJ | 活跃 | 1 (Unlimited) | 33 | UPPER | UNSPECIFIED | A2P75S12 | R-XUFM-X33 | 三相逆变器 | ISOLATED | 454.5W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 100μA | 1200V | 454.5W | 235 ns | 2.3V @ 15V, 75A | 517 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 20V | 4700pF @ 25V | 2.3 V | 7V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2C25S12M3-F | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | 底座安装 | Module | 25A | -40°C~150°C TJ | 活跃 | 1 (Unlimited) | A2C25S12 | 带制动器的三相逆变器 | 197W | 三相桥式整流器 | 100μA | 1200V | 2.45V @ 15V, 25A | 沟渠现场停车 | 有 | 1550pF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A1P50S65M2 | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ACTIVE (Last Updated: 8 months ago) | 底座安装 | Module | 50A | -40°C~150°C TJ | 活跃 | 1 (Unlimited) | A1P50S65 | NPN | 三相逆变器 | 208W | Standard | 100μA | 650V | 2.3V @ 15V, 50A | 沟渠现场停车 | 有 | 4150pF @ 25V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A1P35S12M3-F | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | 底座安装 | Module | 35A | -40°C~150°C TJ | 活跃 | 1 (Unlimited) | A1P35S12 | 三相逆变器 | 250W | Standard | 100μA | 1200V | 2.45V @ 15V, 35A | 沟渠现场停车 | 有 | 2154pF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A1P25S12M3 | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | 底座安装 | Module | 25A | -40°C~150°C TJ | 活跃 | 1 (Unlimited) | A1P25S12 | 三相逆变器 | 197W | Standard | 100μA | 1200V | 2.45V @ 15V, 25A | 沟渠现场停车 | 有 | 1550pF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGE50NC60WD | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 1 | Chassis Mount, Panel, Screw | 底座安装 | SOT-227-4, miniBLOC | 4 | SILICON | 600V | -55°C~150°C TJ | PowerMESH™ | Obsolete | 不适用 | 4 | EAR99 | 260W | UPPER | UNSPECIFIED | STGE50 | 4 | Single | 260W | ISOLATED | 电源控制 | 17ns | N-CHANNEL | Standard | 600V | 100A | 500μA | 4.7nF | 69 ns | 2.6V @ 15V, 40A | 343 ns | 无 | 20V | 4.7nF @ 25V | 2.6 V | 12.2mm | 38.2mm | 25.5mm | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A1C15S12M3 | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | 底座安装 | Module | 15A | -40°C~150°C TJ | 活跃 | 1 (Unlimited) | A1C15S12 | 带制动器的三相逆变器 | 142.8W | 三相桥式整流器 | 100μA | 1200V | 2.45V @ 15V, 15A | 沟渠现场停车 | 有 | 985pF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A1C15S12M3-F | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | 底座安装 | Module | 15A | -40°C~150°C TJ | 活跃 | 1 (Unlimited) | A1C15S12 | 带制动器的三相逆变器 | 142.8W | 三相桥式整流器 | 100μA | 1200V | 2.45V @ 15V, 15A | 沟渠现场停车 | 有 | 985pF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2C35S12M3 | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 35A | ACTIVE (Last Updated: 8 months ago) | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 6 | -40°C~150°C TJ | 活跃 | 1 (Unlimited) | 35 | UPPER | UNSPECIFIED | A2C35S12 | R-XUFM-X35 | 带制动器的三相逆变器 | 250W | 电源控制 | N-CHANNEL | 三相桥式整流器 | 100μA | 1200V | 250W | 170 ns | 2.45V @ 15V, 35A | 364 ns | 沟渠现场停车 | 有 | 20V | 2154pF @ 25V | 2.45 V | 7V | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A1P35S12M3 | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | 底座安装 | Module | 35A | -40°C~150°C TJ | 活跃 | 1 (Unlimited) | A1P35S12 | 三相逆变器 | 250W | Standard | 100μA | 1200V | 2.45V @ 15V, 35A | 沟渠现场停车 | 有 | 2154pF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2U12M12W2-F2 | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | A2U12M12 | 75A | ACEPACK 2 | 1200 V | + 150 C | -10 V to 22 V | 1.481506 oz | - 40 C | 18 | 压装 | STMicroelectronics | STMicroelectronics | Details | Discrete Semiconductor Modules | 底座安装 | Module | STMicroelectronics | Tray | 175°C (TJ) | Tray | - | 全桥 | Discrete Semiconductor Modules | SiC | 三级逆变器 | - | Standard | Four N Channel | - | - | 有 | 7 nF @ 800 V | IGBT碳化硅模块 | Discrete Semiconductor Modules | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGIB8CH60S-LZ | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 600 V | 50 W | - 40 C | + 125 C | 通孔 | 156 | Bulk | STGIB8 | 活跃 | 通孔 | DIP-26 | STMicroelectronics | Details | Tube | SLLIMM - 2nd | IGBT | 1600Vrms | 3-Phase | 600 V | 12 A | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2F12M12W2-F1 | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | Tray | 75A | ACEPACK 2 | 1200 V | + 150 C | -10 V to 22 V | 1.481506 oz | - 40 C | 18 | 压装 | STMicroelectronics | STMicroelectronics | Details | Discrete Semiconductor Modules | 底座安装 | Module | STMicroelectronics | A2F12M12 | 175°C (TJ) | Tray | - | 全桥 | Discrete Semiconductor Modules | SiC | 全桥 | - | Standard | Four N Channel | - | - | 有 | 7 nF @ 800 V | IGBT碳化硅模块 | Discrete Semiconductor Modules | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGIB8CH60TS-LZ | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 600 V | 50 W | - 40 C | + 125 C | 通孔 | 156 | Bulk | STGIB8 | 活跃 | 通孔 | DIP-26 | STMicroelectronics | Details | Tube | SLLIMM - 2nd | IGBT | 1600Vrms | 3-Phase | 600 V | 12 A | IGBT硅模块 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2C35S12M3-F | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ACTIVE (Last Updated: 8 months ago) | 底座安装 | Module | 35A | -40°C~150°C TJ | 活跃 | 1 (Unlimited) | A2C35S12 | 带制动器的三相逆变器 | 250W | 三相桥式整流器 | 100μA | 1200V | 2.45V @ 15V, 35A | 沟渠现场停车 | 有 | 2154pF @ 25V | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A1P25S12M3-F | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | 底座安装 | Module | 25A | -40°C~150°C TJ | 活跃 | 1 (Unlimited) | A1P25S12 | 三相逆变器 | 197W | Standard | 100μA | 1200V | 2.45V @ 15V, 25A | 沟渠现场停车 | 有 | 1550pF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2P75S12M3-F | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | 底座安装 | Module | 75A | -40°C~150°C TJ | 活跃 | 1 (Unlimited) | A2P75S12 | 三相逆变器 | 454.5W | Standard | 100μA | 1200V | 2.3V @ 15V, 75A | 沟渠现场停车 | 有 | 4700pF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGE50NB60HD | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 1 | Chassis Mount, Screw | 底座安装 | SOT-227-4, miniBLOC | 4 | SILICON | 600V | 150°C TJ | PowerMESH™ | Obsolete | 3 (168 Hours) | 4 | EAR99 | Nickel (Ni) | 600V | 300W | UPPER | UNSPECIFIED | 50A | STGE50 | 4 | Single | ISOLATED | 300W | MOTOR CONTROL | N-CHANNEL | Standard | 600V | 100A | 250μA | 4.5nF | 90 ns | 2.8V @ 15V, 50A | 540 ns | 无 | 20V | 4.5nF @ 25V | 2.8 V | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STG3P2M10N60B | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 72 ns | 600V | Chassis Mount, Through Hole | 底座安装 | SEMITOP®2 | 8 | SILICON | 6 | -40°C~150°C TJ | Bulk | SEMITOP® | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 16 | EAR99 | 600V | 56W | UPPER | UNSPECIFIED | 19A | STG3P2 | 16 | R-XUFM-X16 | 三相逆变器 | 18.5 ns | 电源控制 | N-CHANNEL | 单相桥式整流器 | 600V | 19A | 10μA | 720pF | 27 ns | 2.5V @ 15V, 7A | 99 ns | 无 | 20V | 0.72nF @ 25V | 2.5 V | 12.2mm | 40.8mm | 28.2mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2C50S65M2 | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ACTIVE (Last Updated: 8 months ago) | 底座安装 | Module | 50A | -40°C~150°C TJ | 活跃 | 1 (Unlimited) | A2C50S65 | 带制动器的三相逆变器 | 208W | 三相桥式整流器 | 100μA | 650V | 2.3V @ 15V, 50A | 沟渠现场停车 | 有 | 4150pF @ 25V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | STGE200N60K | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 150A | 底座安装 | 底座安装 | ISOTOP | 600V | Obsolete | 1 (Unlimited) | STGE200 | 150A | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | A2C50S65M2-F | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 底座安装 | Module | 50A | -40°C~150°C TJ | 活跃 | compliant | 三相逆变器 | 208W | Standard | 100μA | 650V | 2.3V @ 15V, 50A | 沟渠现场停车 | 有 | 4.15nF @ 25V |