安装类型

Through Hole

包装/外壳

14-DIP (0.300", 7.62mm)

底架

Through Hole

表面安装

NO

引脚数

14

供应商器件包装

14-PDIP

质量

72.574779 g

终端数量

14

晶体管元件材料

SILICON

厂商

NTE Electronics, Inc

Bag

Active

50mA

NTE912

NTE Electronics

EAR99

No

24 V

Compliant

IN-LINE, R-PDIP-T14

IN-LINE

PLASTIC/EPOXY

150 °C

Yes

550 MHz

RECTANGULAR

5

Active

NTE ELECTRONICS INC

2.28

DIP

系列

-

操作温度

-55°C ~ 125°C (TA)

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.21.00.75

子类别

Other Transistors

最大功率耗散

750 mW

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

14

JESD-30代码

R-PDIP-T14

资历状况

Not Qualified

输出电压

15 V

极性

NPN

配置

COMPLEX

通道数量

5

功率 - 最大

750mW

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

5 NPN

集电极发射器电压(VCEO)

15 V

最大集电极电流

50 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 1mA, 3V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

230mV @ 1mA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

24V

转换频率

550 MHz

频率转换

550MHz

集电极基极电压(VCBO)

20 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

集电极电流-最大值(IC)

0.05 A

最小直流增益（hFE）

40

集电极-发射器电压-最大值

15 V

宽度

76.2 mm

高度

12.7 mm

长度

152.4 mm

达到SVHC

Unknown