制造商是'National Semiconductor'
National Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
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图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 表面安装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | JESD-609代码 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 附加功能 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | Reach合规守则 | 额定电流 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 晶体管应用 | 漏源电压 (Vdss) | 极性/通道类型 | 连续放电电流(ID) | DS 击穿电压-最小值 | 场效应管技术 | 最高频段 | 功率增益-最小值(Gp) | 无铅 | |||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | J211 | National Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | IDEC | 25 V | Non-Compliant | LB8K-32ST3D-6H | 10 mA | 350 mW | 1.5 V | 15 mA | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NE3508M04-T2-A | National Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | YES | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | NE3508M04-T2-A | RECTANGULAR | NEC Electronics Group | 1 | Transferred | NEC ELECTRONICS CORP | 5.3 | 0.03 A | 4 | SILICON | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4 | e6 | EAR99 | 锡铋 | 低噪音 | DUAL | FLAT | 未说明 | compliant | 4 | R-PDSO-F4 | 不合格 | SINGLE | DEPLETION MODE | DRAIN | AMPLIFIER | N-CHANNEL | 3 V | HETERO-JUNCTION | S带 | 12 dB | ||||||||
| BF256-A | National Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF244A | National Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMBF4416 | National Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 |