制造商是'Microchip'
Microchip 功率驱动器模块
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图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 安装类型 | 包装/外壳 | 供应商器件包装 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 系列 | 尺寸/尺寸 | 容差 | 零件状态 | 终止次数 | ECCN 代码 | 温度系数 | 类型 | 电阻 | 组成 | 功率(瓦特) | 子类别 | 技术 | Reach合规守则 | 电压-隔离度 | 失败率 | 配置 | 电压 | 电流 | 上升时间 | 产品类别 | 最大耗散功率(Abs) | 集电极电流-最大值(IC) | 集电极-发射器电压-最大值 | VCEsat-最大值 | 产品 | 特征 | Vf-正向电压 | 产品类别 | 座位高度(最大) | ||||||||||||||||||||||||||||
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 | MSCSM120SKM11CT3AG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 底座安装 | 活跃 | MSCSM120 | 1200 V | 1200 V | 30 ns | 1.8 V | 1067 W | N-Channel | + 125 C | - 10 V, 25 V | - 40 C | 1 | 螺钉安装 | Microchip | 微芯片技术 | 10.4 mOhms | Details | 50 ns | 254 A | Discrete Semiconductor Modules | Module | 微芯片技术 | Tube | Bulk | - | MOSFET | Discrete Semiconductor Modules | SiC | 4000Vrms | 1 Phase | 1.2 kV | 254 A | 30 ns | 功率MOSFET模块 | 1.5 V at 180 A | Discrete Semiconductor Modules | ||||||||||||||||||||||||||||
| APTLGF300A1208G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 150 °C | 有 | APTLGF300A1208G | Microsemi Corporation | 1 | Obsolete | MICROSEMI CORP | 5.83 | Axial | Axial | , | -65°C ~ 175°C | Bulk | Military, MIL-R-10509/7, RN55 | 0.090 Dia x 0.240 L (2.29mm x 6.10mm) | ±1% | 活跃 | 2 | EAR99 | ±50ppm/°C | 63.4 Ohms | Metal Film | 0.125W, 1/8W | 绝缘栅BIP晶体管 | compliant | -- | 1780 W | 300 A | 1200 V | 3.9 V | Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant, Safety | -- | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| APTLGF350A608G | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 通孔 | Obsolete | 6-PowerSIP Module | 微芯片技术 | Bulk | - | IGBT | 2500Vrms | 半桥 | 600 V | 430 A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MSCSM70TAM05TPAG | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 底座安装 | 活跃 | MSCSM70 | 700 V | 700 V | 40 ns | 1.9 V | 966 W | N-Channel | + 125 C | - 10 V, + 25 V | - 40 C | 1 | 螺钉安装 | Microchip | Microchip Technology / Atmel | 6.4 mOhms | Details | 50 ns | 349 A | Discrete Semiconductor Modules | Module | 微芯片技术 | Tube | Bulk | - | MOSFET | Discrete Semiconductor Modules | SiC | - | 3 Phase Inverter | 700 V | 273 A | 35 ns | 功率MOSFET模块 | 1.5 V | Discrete Semiconductor Modules |