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EPS8

型号:

EPS8

品牌:

Microchip

封装:

A, Axial

描述:

TVS Diode Single Bi-Dir 8V 1KW 2-Pin Case A Bag

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    A, Axial

  • 表面安装

    NO

  • 供应商器件包装

    A, Axial

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    2

  • Yes

  • Bulk

  • 厂商

    Microchip Technology

  • Active

  • HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

  • LONG FORM

  • GLASS

  • -65 °C

  • NOT SPECIFIED

  • 175 °C

  • No

  • EPS8

  • 2.5 W

  • ROUND

  • Microsemi Corporation

  • 1

  • Active

  • MICROSEMI CORP

  • 8.8 V

  • 5.58

  • 操作温度

    -65°C ~ 175°C (TJ)

  • 系列

    -

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 类型

    Zener

  • 应用

    General Purpose

  • 附加功能

    HIGH RELIABILITY

  • HTS代码

    8541.10.00.50

  • 子类别

    Transient Suppressors

  • 技术

    AVALANCHE

  • 端子位置

    AXIAL

  • 终端形式

    WIRE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    O-LALF-W2

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 极性

    BIDIRECTIONAL

  • 配置

    SINGLE

  • 二极管类型

    TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 电源线保护

    No

  • 电压 - 击穿

    9V

  • 功率 - 脉冲峰值

    1000W (1kW)

  • 峰值脉冲电流(10/1000μs)

    62.1A (8/20µs)

  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)

    13.7V

  • 电压 - 反向断态(典型值)

    8V

  • 双向通道

    1

  • Rep Pk反向电压-最大值

    8 V

  • 电容@频率

    -

  • 最大非代表峰值转速功率Dis

    1000 W

  • 反向电流-最大值

    2 µA

  • 击穿电压-最小值

    9 V

  • 最大箝位电压

    13.7 V

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