制造商是'Microchip'
Microchip TVS - 二极管
(6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 二极管元件材料 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 组成 | 应用 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 额定电流 | 引脚数量 | 参考标准 | 终端样式 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 工作电压 | 极性 | 配置 | 通道数量 | 元素配置 | 二极管类型 | 电源线保护 | 电压 - 击穿 | 功率 - 脉冲峰值 | 峰值脉冲电流(10/1000μs) | 最大反向漏电电流 | 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 箝位电压 | 电压 - 反向断态(典型值) | 峰值脉冲电流 | 峰值脉冲功率 | 方向 | 测试电流 | 单向通道 | 产品类别 | 双向通道 | Rep Pk反向电压-最大值 | JEDEC-95代码 | 电容@频率 | 筛选水平 | 最大非代表峰值转速功率Dis | ESD保护 | 单向通道数 | 击穿电压-最小值 | 双向通道数 | 最大箝位电压 | 击穿电压-最大值 | 最小击穿电压 | 产品类别 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | MXPLAD15KP43CA/TR | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | - | 47.8 V | + 155 C | - | - 55 C | 1 | 216 A | 15 kW | Microchip | 微芯片技术 | N | - | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | 非标准 SMD | PLAD | 微芯片技术 | Tape & Reel (TR) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | SMD/SMT | 43 V | 双向 | 1 Channel | 无 | 47.8V | 15000W (15kW) | 216A | 69.4V | 69.4 V | 43V | 1 | - | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMCG110CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 122 V | 1.5 kW | 8.4 A | - 65 C | + 150 C | 1.56 W | 1 | 0.008818 oz | Bulk | SMCG110 | 活跃 | PLASTIC, SMCG, 2 PIN | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MSMCG110CA | 1.56 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.56 | DO-215AB | 表面贴装 | DO-215AB-2 | YES | SMCG (DO-215AB) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | N | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | Tin/Lead (Sn/Pb) | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | unknown | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 不合格 | 110 V | 110 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 122V | 1500W (1.5kW) | 8.4A | 177V | 177 V | 110V | 1 | 110 V | DO-215AB | - | 1500 W | 122 V | 135 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMCJ45AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 1 month ago) | 50 V | 1.5 kW | - | - | 20.6 A | - 65 C | + 150 C | 1.56 W | 1 | 0.008818 oz | 45 V | Bulk | SMCJ45 | 活跃 | 表面贴装 | 表面贴装 | DO-214AB-2 | 2 | DO-214AB (SMCJ) | 微芯片技术 | Details | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 150 °C | -65 °C | Zener | 通用型 | SMD/SMT | 45 V | 45 V | 单向 | 1 Channel | Single | 无 | 50V | 1500W (1.5kW) | 20.6A | 1 µA | 72.7V | 72.7 V | 45V | 20.6 A | 1.5 kW | 单向 | 1 mA | 1 | - | 1 | 50 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMBG120CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | SMBG120 | 133 V | 1.38 W | + 150 C | - | 0.003527 oz | - 65 C | 1 | 3.1 A | 600 W | Microchip | 微芯片技术 | N | - | PLASTIC, SMBG, 2 PIN | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MSMBG120CA | 1.38 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.58 | DO-215AA | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-215AA, SMB Gull Wing | YES | SMBG (DO-215AA) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | Tin/Lead (Sn/Pb) | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | unknown | 2 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 不合格 | 120 V | 120 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 133V | 600W | 3.1A | 193V | 193 V | 120V | 1 | 120 V | DO-215AA | - | 600 W | 133 V | 147 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMLG85CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | SMLG85 | 9.44 V | 1.61 W | + 150 C | 0.008818 oz | - 65 C | 1 | 208.4 A | 3 kW | Microchip | 微芯片技术 | N | PLASTIC PACKAGE-2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | -65 °C | 未说明 | 150 °C | 无 | MSMLG8.5CA | 1.61 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.58 | DO-215AB | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-215AB, SMC Gull Wing | YES | SMLG (DO-215AB) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | unknown | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 8.5 V | 8.5 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 94.4V | 3000W (3kW) | 20.8A | 137V | 14.4 V | 85V | 1 | 8.5 V | DO-215AB | - | 3000 W | 9.44 V | 10.4 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMBJ70AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | SMBJ70 | 77.8 V | 1.38 W | + 150 C | - | 0.003527 oz | - 65 C | 1 | 5.3 A | 600 W | Microchip | 微芯片技术 | Details | - | R-PDSO-J2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | MSMBJ7.0AE3 | 1.38 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.58 | DO-214AA | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-214AA, SMB | YES | SMBJ (DO-214AA) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) - annealed | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | J BEND | 未说明 | not_compliant | 2 | SMD/SMT | R-PDSO-J2 | 不合格 | 70 V | 70 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 77.8V | 600W | 5.3A | 113V | 113 V | 70V | 1 | 7 V | DO-214AA | - | 600 W | 7.78 V | 8.6 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMCG6.0AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | Bulk | DO-215AB | 1500 W | 表面贴装 | 6.67 V | 1.56 W | + 150 C | - | 0.008818 oz | - 65 C | 1 | 145.6 A | 1.5 kW | Microchip | 微芯片技术 | Details | - | R-PDSO-G2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 40 | 有 | MSMCG6.0AE3 | 1.56 W | DO-215AB | 5.56 | MICROSEMI CORP | 活跃 | 1 | RECTANGULAR | Military grade | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-215AB, SMC Gull Wing | YES | SMCG (DO-215AB) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | SMCG6.0 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) - annealed | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 260 | compliant | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 不合格 | 6 V | 6 V | 单向 | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 6.67V | 1500W (1.5kW) | 145.6A | 10.3V | 10.3 V | 6V | 10 mA | 1 | 6 V | DO-215AB | - | Military | 1500 W | 有 | 6.67 V | 7.37 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMLG48CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | SMLG48 | 53.3 V | 1.61 W | + 150 C | - | 0.008818 oz | - 65 C | 1 | 38.8 A | 3 kW | Microchip | 微芯片技术 | Details | - | R-PDSO-G2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | -65 °C | 未说明 | 150 °C | 有 | MSMLG48CAE3 | 1.61 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.58 | DO-215AB | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-215AB, SMC Gull Wing | YES | SMLG (DO-215AB) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Bulk | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | compliant | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 48 V | 48 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 53.3V | 3000W (3kW) | 38.8A | 77.4V | 77.4 V | 48V | 1 | 48 V | DO-215AB | - | 3000 W | 53.3 V | 58.9 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | JANS1N6124A/TR | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | 53.2 V | 2 W | + 175 C | - 55 C | N | Microchip / Microsemi | Microchip | 500 W | 6.5 A | 50 | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | SQ-MELF, B | B, SQ-MELF | 微芯片技术 | Tape & Reel (TR) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Reel | Military, MIL-PRF-19500/516 | Zener | 通用型 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | 1 uA | Axial | 42.6 V | 双向 | 1 Channel | 无 | 53.2V | 500W | 6.5A | 77V | 77 V | 42.6V | 1 | - | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMBJ7.5AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | SMBJ7.5 | 83.3 V | 1.38 W | + 150 C | 0.003527 oz | - 65 C | 1 | 4.9 A | 600 W | Microchip | 微芯片技术 | Details | R-PDSO-J2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | MSMBJ7.5AE3 | 1.38 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.57 | DO-214AA | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-214AA, SMB | YES | SMBJ (DO-214AA) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Bulk | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) - annealed | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | J BEND | 未说明 | not_compliant | 2 | SMD/SMT | R-PDSO-J2 | 不合格 | 75 V | 75 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 8.33V | 600W | 46.5A | 12.9V | 121 V | 7.5V | 1 | 7.5 V | DO-214AA | - | 600 W | 8.33 V | 9.21 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMBG40A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 44.4 V | 600 W | - | - | 9.3 A | - 65 C | + 150 C | 1.38 W | 1 | 0.003527 oz | Bulk | SMBG40 | 活跃 | PLASTIC, SMBG, 2 PIN | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 20 | 无 | MSMBG40A | 1.38 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.58 | DO-215AA | 表面贴装 | DO-215AA-2 | YES | SMBG (DO-215AA) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | N | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | Tin/Lead (Sn/Pb) | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 235 | unknown | 2 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 不合格 | 40 V | 40 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 44.4V | 600W | 9.3A | 64.5V | 64.5 V | 40V | 1 | 40 V | DO-215AA | - | 600 W | 44.4 V | 49.1 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMBJ110CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 122 V | 600 W | 3.4 A | - 65 C | + 150 C | 1.38 W | 1 | 0.003527 oz | Bulk | SMBJ110 | 活跃 | PLASTIC, SMBJ, 2 PIN | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 20 | 无 | MSMBJ110CA | 1.38 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.58 | DO-214AA | 表面贴装 | DO-214AA-2 | YES | SMBJ (DO-214AA) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | N | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | DUAL | J BEND | 235 | unknown | 2 | SMD/SMT | R-PDSO-J2 | 不合格 | 110 V | 110 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 122V | 600W | 3.4A | 177V | 177 V | 110V | 1 | 110 V | DO-214AA | - | 600 W | 122 V | 135 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMLG36CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Bulk | SMLG36 | DO-215AB | 3000 W | Bi-Directional | 表面贴装 | 40 V | 1.61 W | + 150 C | - | 0.008818 oz | - 65 C | 1 | 51.6 A | 3 kW | Microchip | 微芯片技术 | Details | - | 8541100080, 8541100080/8541100080, 8541100080/8541100080/8541100080, 8541100080/8541100080/8541100080/8541100080 | 36 V | R-PDSO-G2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | -65 °C | 未说明 | 150 °C | 有 | MSMLG36CAE3 | 1.61 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 2.06 | DO-215AB | Military grade | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | 表面贴装 | DO-215AB, SMC Gull Wing | YES | 2 | SMLG (DO-215AB) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 150 °C | -65 °C | Zener | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | compliant | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 36 V | 36 V | 双向 | Single | 1 Channel | Single | 跨压抑制二极管 | 无 | 40V | 3000W (3kW) | 51.6A | 2 µA | 58.1V | 58.1 V | 36V | 51.6 A | 3 kW | 双向 | 1 mA | 1 | 36 V | DO-215AB | - | Military | 3000 W | 有 | 40 V | 1 | 44.2 V | 40 V | TVS 二极管 | ||||||||
![]() | MSMLG75AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | SMLG75 | DO-215AB | 3000 W | Uni-Directional | 表面贴装 | 232.6 A | 3 kW | Microchip | 微芯片技术 | Details | 1 | - 65 C | 0.008818 oz | + 150 C | 1.61 W | 8.33 V | R-PDSO-G2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | -65 °C | 未说明 | 150 °C | 有 | MSMLG75AE3 | 1.61 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.58 | DO-215AB | Military grade | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-215AB, SMC Gull Wing | YES | SMLG (DO-215AB) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Bulk | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | compliant | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 7.5 V | 7.5 V | 单向 | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 83.3V | 3000W (3kW) | 24.8A | 121V | 12.9 V | 75V | 1 mA | 1 | 75 V | DO-215AB | - | Military | 3000 W | 有 | 83.3 V | 92.1 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMLJ90CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | 活跃 | SMLJ90 | DO-214AB | 3000 W | Bi-Directional | 表面贴装 | 10 V | 1.61 W | + 150 C | - | 0.008818 oz | - 65 C | 1 | 194.8 A | 3 kW | Microchip | 微芯片技术 | N | - | PLASTIC PACKAGE-2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | -65 °C | 未说明 | 150 °C | 无 | MSMLJ9.0CA | 1.61 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.58 | Military grade | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-214AB, SMC | YES | DO-214AB | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Bulk | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | J BEND | 未说明 | unknown | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-J2 | 9 V | 9 V | 双向 | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 100V | 3000W (3kW) | 20.6A | 146V | 15.4 V | 90V | 1 mA | 1 | 9 V | DO-214AB | - | Military | 3000 W | 有 | 10 V | 11.1 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||
![]() | MSMLG6.0A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | SMLG6.0 | 6.67 V | 1.61 W | + 150 C | 0.008818 oz | - 65 C | 1 | N | 微芯片技术 | Microchip | 3 kW | 291.3 A | PLASTIC PACKAGE-2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | -65 °C | 未说明 | 150 °C | 无 | MSMLG60A | 1.61 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.58 | DO-215AB | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-215AB, SMC Gull Wing | YES | SMLG (DO-215AB) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Bulk | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | unknown | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 6 V | 6 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 6.67V | 3000W (3kW) | 291.3A | 10.3V | 10.3 V | 6V | 1 | 60 V | DO-215AB | - | 3000 W | 66.7 V | 73.7 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMCJ11AE3/TR | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | 表面贴装 | DO-214AB, SMC | SMCJ (DO-214AB) | 微芯片技术 | Tape & Reel (TR) | -65°C ~ 150°C (TJ) | SMCG | Zener | 通用型 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | 无 | 12.2V | 1500W (1.5kW) | 82.4A | 18.2V | 11V | 1 | - | ESD Suppressors / TVS Diodes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMCG130A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 144 V | 1.5 kW | 7.2 A | - 65 C | + 150 C | 1.56 W | 1 | 0.008818 oz | Bulk | SMCG130 | 活跃 | 表面贴装 | DO-215AB-2 | SMCG (DO-215AB) | 微芯片技术 | N | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | SMD/SMT | 130 V | 130 V | 单向 | 1 Channel | 无 | 144V | 1500W (1.5kW) | 7.2A | 209V | 209 V | 130V | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMLG120AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | 133 V | 3 kW | - | - | 15.6 A | - 65 C | + 150 C | 1.61 W | 1 | 0.008818 oz | 120 V | Bulk | SMLG120 | 活跃 | R-PDSO-G2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | -65 °C | 未说明 | 150 °C | 有 | MSMLG120AE3 | 1.61 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.58 | DO-215AB | 表面贴装 | 表面贴装 | DO-215AB-2 | YES | 2 | SMLG (DO-215AB) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Details | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 150 °C | -65 °C | Zener | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | compliant | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 120 V | 120 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | Single | 跨压抑制二极管 | 无 | 133V | 3000W (3kW) | 15.6A | 2 µA | 193V | 193 V | 120V | 15.6 A | 3 kW | 单向 | 1 mA | 1 | 120 V | DO-215AB | - | 3000 W | 1 | 133 V | 147 V | 133 V | |||||||||||||||||||||
![]() | MSMCG170CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 189 V | 1.5 kW | 5.5 A | - 65 C | + 150 C | 1.56 W | 1 | 0.008818 oz | Bulk | SMCG170 | 活跃 | R-PDSO-G2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | -65 °C | 未说明 | 150 °C | 有 | MSMCG170CAE3 | 1.56 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 199 V | 5.64 | 表面贴装 | DO-215AB-2 | YES | SMCG (DO-215AB) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Details | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) - annealed | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | compliant | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 170 V | 170 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 189V | 1500W (1.5kW) | 5.5A | 275V | 275 V | 170V | 1 | 170 V | DO-215AB | - | 1500 W | 189 V | 275 V | 209 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMCJ43AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 47.8 V | 1.5 kW | 21.6 A | - 65 C | + 150 C | 1.56 W | 1 | 0.008818 oz | Bulk | SMCJ43 | 活跃 | 表面贴装 | DO-214AB-2 | DO-214AB (SMCJ) | 微芯片技术 | Details | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | SMD/SMT | 43 V | 43 V | 单向 | 1 Channel | 无 | 47.8V | 1500W (1.5kW) | 21.6A | 69.4V | 69.4 V | 43V | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 5KP24AE3/TR13 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 26.7 V | 5 kW | 129 A | - 55 C | + 175 C | 8 W | 500 | 0.074075 oz | Tape & Reel (TR) | 5KP24 | 活跃 | 有 | 5KP24AE3/TR13 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 28.1 V | 5.8 | 通孔 | P600-2 | NO | P600 | 微芯片技术 | Details | -55°C ~ 175°C (TJ) | Reel | - | EAR99 | Zener | 通用型 | 8541.10.00.50 | compliant | 2 uA | Axial | 24 V | 24 V | 单向 | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 26.7V | 5000W (5kW) | 129A | 38.9V | 38.9 V | 24V | 1 | 24 V | - | 38.9 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMCG160A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | 178 V | 1.5 kW | 5.8 A | - 65 C | + 150 C | 1.56 W | 1 | 0.008818 oz | 160 V | Bulk | SMCG160 | 活跃 | 表面贴装 | 表面贴装 | DO-215AB-2 | 2 | SMCG (DO-215AB) | 微芯片技术 | N | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 150 °C | -65 °C | Zener | 通用型 | SMD/SMT | 160 V | 160 V | 单向 | 1 Channel | Single | 无 | 178V | 1500W (1.5kW) | 5.8A | 1 µA | 259V | 259 V | 160V | 5.8 A | 1.5 kW | 单向 | 1 mA | 1 | - | 1 | 178 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMCG6.5A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7.22 V | 1.5 kW | 133.9 A | - 65 C | + 150 C | 1.56 W | 1 | 0.008818 oz | Bulk | SMCG6.5 | 活跃 | PLASTIC, SMCG, 2 PIN | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MSMCG6.5A | 1.56 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.55 | DO-215AB | 表面贴装 | DO-215AB-2 | YES | SMCG (DO-215AB) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | N | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | Tin/Lead (Sn/Pb) | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | unknown | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 不合格 | 6.5 V | 6.5 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 7.22V | 1500W (1.5kW) | 133.9A | 11.2V | 11.2 V | 6.5V | 1 | 6.5 V | DO-215AB | - | 1500 W | 7.22 V | 7.98 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ58CE3/TR13 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 64.4 V | 600 W | 5.8 A | - 65 C | + 150 C | 5 W | 3000 | 0.003386 oz | Tape & Reel (TR) | SMBJ58 | 活跃 | 表面贴装 | DO-214AA-2 | SMBJ (DO-214AA) | 微芯片技术 | Details | -65°C ~ 150°C (TJ) | Reel | - | Zener | 通用型 | SMD/SMT | 58 V | 58 V | 双向 | 1 Channel | 无 | 64.4V | 600W | 5.8A | 103V | 103 V | 58V | 1 | - |