制造商是'Infineon'
Infineon 射频放大器
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图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 触点镀层 | 底架 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 晶体管元件材料 | 包装 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 功能数量 | 结构 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源 | 配置 | 通道数量 | 最大电源电压 | 测试频率 | 工作电源电流 | 电源电流 | 操作模式 | 箱体转运 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | 增益 | 射频/微波器件类型 | DS 击穿电压-最小值 | 场效应管技术 | 工作频率-最小值 | 特性阻抗 | 噪声图 | P1dB | 最高频段 | RoHS状态 | 无铅 | ||||||
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PTF10157 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PTF10053 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 200°C | YES | SILICON | 1 | e3 | 2 | EAR99 | 哑光锡 | HIGH RELIABILITY | DUAL | 鸥翼 | 2 | R-CDSO-G2 | 不合格 | SINGLE | 增强型MOSFET | SOURCE | N-CHANNEL | 65V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | L B | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
PTF102003 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 200°C | YES | SILICON | 2 | e3 | 4 | EAR99 | 哑光锡 | DUAL | FLAT | 4 | R-CDFM-F4 | 不合格 | COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS | 增强型MOSFET | SOURCE | AMPLIFIER | N-CHANNEL | 65V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | S B | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
PTMA080304MV1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 20 | 宽带大功率 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PTMC210204MDV1R5XUMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | yes | EAR99 | 未说明 | 未说明 | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PTMA210152MV1R500AUMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 20 | 70W | Tape & Reel (TR) | 2.2GHz | 2.17GHz | 28.5 dB | 窄带高功率 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BGA420H6433 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 1.8GHz | 15mA | 13 dB | 宽带低功率 | 2.3 dB | -2.5 dBm | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BGB717L7ESDE6433 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 | 100mW | Tape & Reel | 150°C | -55°C | COMPONENT | 108MHz | 3V | 25mA | 25mA | 12 dB | 窄带低功耗 | 50Ohm | 1 dB | -5.5 dBm | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BGA616E6327 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 360mW | SOT-343-4 | 4 | 2700MHz | Tape & Reel (TR) | e3 | yes | Matte Tin (Sn) | 150°C | -65°C | COMPONENT | 6V | 1 | 1GHz | 80mA | 60mA | 17.5 dB | 宽带低功率 | 50Ohm | 2.5 dB | 18 dBm | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
SP000012971 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | SOT-363 | 6 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BGA758L7E6327XTMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 85°C | -30°C | 6000MHz | COMPONENT | 12.5 dB | 宽带低功率 | 5000MHz | 50Ohm | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PTMA180402ELV1R250 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 125°C | 2GHz | 28V | 1.96GHz | 335mA | 30 dB | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BGA231N7E6330XTSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tin | -40°C | 72mW | Industrial grade | 表面贴装 | 6 | 85°C | yes | COMPONENT | -1.615GHz | 1 | 3.6V | 1.575GHz | 4.4mA | 16 dB | 窄带低功耗 | 50Ohm | 0.75 dB | -5 dBm | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SP000760328 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PTF10160 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 200°C | YES | SILICON | 1 | e3 | 2 | EAR99 | 哑光锡 | HIGH RELIABILITY | DUAL | FLAT | 3 | R-CDFM-F2 | 不合格 | SINGLE | 增强型MOSFET | SOURCE | AMPLIFIER | N-CHANNEL | 65V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 超高频B型 | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||
BGA420E6433 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | SOT-343 | 4 | 90mW | -65°C | 1 | 3GHz | 3V | 1 | 8mA | 2.3 dB | 符合RoHS标准 |