制造商是'Infineon'
Infineon 书籍，媒体
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图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | 操作温度 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 附加功能 | 子类别 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | Reach合规守则 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 输出的数量 | 资历状况 | 输入电压-Nom | 温度等级 | 配置 | 微调/可调节输出 | 模拟 IC - 其他类型 | 操作模式 | 功率 - 最大 | 场效应管类型 | 输出电流-最大值 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 漏源电压 (Vdss) | 极性/通道类型 | 总功率输出-最大值 | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 筛选水平 | DS 击穿电压-最小值 | 输出电压-最大值 | 场效应管技术 | 输出电压-最小 | 最大耗散功率(Abs) | 场效应管特性 | 反馈上限-最大值 (Crss) | 连接类型 | 总剂量 | ||||||||||||||||||||||||||||||
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 | AMA2812S | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Johnson Controls | 125 °C | 无 | 40 V | 0.5% | RECTANGULAR | 活跃 | 16 V | INFINEON TECHNOLOGIES AG | 12 V | 5.61 | MODULE-8/7 | 微电子组件 | UNSPECIFIED | MODULE,7LEAD,1.6 | -55 °C | 未说明 | Military grade | NO | 7 | VG1845BN+943AGB | e0 | 锡铅 | 其他模拟集成电路 | HYBRID | DUAL | THROUGH-HOLE | 未说明 | 1 | unknown | R-XDMA-T7 | 1 | 不合格 | 28 V | MILITARY | NO | DC-DC REGULATED POWER SUPPLY MODULE | 0.417 A | 5 W | MIL-PRF-38534 Class H | 12.24 V | 11.76 V | Threaded | 25k Rad(Si) V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BTIP BOOK | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Infineon Technologies AG | Fundamentals of Power Semiconductors for Automotive Applications (2nd Edition) | Bulk | BTIP | 活跃 | Infineon Technologies | Infineon Technologies AG | -- | 活跃 | 1 (Unlimited) | Book | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BSL806NL6327 | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 2.3A | 活跃 | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 40 | 150 °C | 有 | BSL806NL6327 | RECTANGULAR | Infineon Technologies AG | 2 | Obsolete | INFINEON TECHNOLOGIES AG | 5.75 | TSOP | 2.3 A | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | YES | PG-TSOP6-6 | 6 | SILICON | Infineon Technologies | Bulk | -55°C ~ 150°C (TJ) | OptiMOS™ | e3 | 有 | EAR99 | 哑光锡 | AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE | FET 通用电源 | DUAL | 鸥翼 | 260 | compliant | 6 | R-PDSO-G6 | 不合格 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 500mW | 2 N-Channel (Dual) | 57mOhm @ 2.3A, 2.5V | 750mV @ 11µA | 259pF @ 10V | 1.7nC @ 2.5V | 20V | N-CHANNEL | 2.3 A | 0.057 Ω | 20 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 0.5 W | 逻辑电平门 | 28.6 pF |