制造商是'Infineon'
Infineon PMIC - 栅极驱动器
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图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 质量 | 终端数量 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 终端 | ECCN 代码 | 类型 | 电阻 | 端子表面处理 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 最大功率耗散 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 输出的数量 | 资历状况 | 输出电压 | 最大输出电流 | 电源 | 温度等级 | 工作电源电流 | 元素配置 | 电源电流 | 功率耗散 | 输出电流 | 最大电源电流 | 传播延迟 | 输入类型 | 接通延迟时间 | 最大输出电压 | 座位高度-最大 | 上升时间 | 下降时间（典型值） | 最小输出电压 | 发布时间 | 上升/下降时间(Typ) | 接口IC类型 | 信道型 | 驱动器数量 | 接通时间 | 输出峰值电流限制-名 | 电源电压1-额定值 | 闸门类型 | 峰值输出电流（源极，漏极） | 高边驱动器 | 关断时间 | 内置保护器 | 高压侧电压-最大值(自举) | 输出电流流向 | 电源电压1-最小值 | 电源电压1-最大值 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | IR21084SPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 0.8V 2.9V | 200 ns | 表面贴装 | 表面贴装 | 14-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 14 | Half-Bridge | -40°C~150°C TJ | Tube | 1996 | e3 | 最后一次购买 | 3 (168 Hours) | 14 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | FLOATING LOAD DRIVER; UNDER VOLTAGE LOCKOUT CIRCUIT | 1W | 10V~20V | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 1 | 15V | 未说明 | IR21084SPBF | 2 | 不合格 | 620V | 350mA | 15V | 1.6mA | 1W | 200mA | 1.6mA | 300 ns | Non-Inverting | 30 ns | 20V | 220ns | 80 ns | 10V | 150ns 50ns | Independent | 0.3 μs | 0.35A | IGBT, N-Channel MOSFET | 200mA 350mA | YES | 600V | 1.5mm | 8.74mm | 3.99mm | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRS21962SPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 90 ns | High-Side | 表面贴装 | 表面贴装 | 16-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 16 | 0.6V 3.5V | -55°C~150°C TJ | Tube | 1996 | Obsolete | 2 (1 Year) | 16 | EAR99 | 1W | 10V~20V | 鸥翼 | 200kHz | IRS21962SPBF | 不合格 | 20V | 500mA | 515V | Dual | 105μA | 1W | 500mA | 125 ns | Non-Inverting | 90 ns | 25ns | 25 ns | 25ns 25ns | Independent | 2 | IGBT, N-Channel MOSFET | 500mA 500mA | 600V | 1.5mm | 9.98mm | 3.99mm | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRS2609DSPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 2.2V | 250 ns | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Half-Bridge | -40°C~150°C TJ | Tube | 1996 | e3 | Obsolete | 2 (1 Year) | 8 | EAR99 | 200Ohm | Matte Tin (Sn) | 625mW | 10V~20V | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 15V | 30 | IRS2609DSPBF | 1 | 620V | 350mA | 2mA | 625mW | 200mA | 1.1 μs | Non-Inverting | 60 ns | 220ns | 80 ns | 150ns 50ns | Synchronous | 2 | 0.2A | IGBT, N-Channel MOSFET | 200mA 350mA | YES | 0.4 μs | 600V | 1.5mm | 5mm | 3.9878mm | 无 | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRS21281PBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 2.5V | 150 ns | 通孔 | 通孔 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | 8 | High-Side | -40°C~150°C TJ | Tube | 1996 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 1W | 9V~20V | DUAL | 250 | 1 | 15V | 2.54mm | 30 | IRS21281PBF | 600mA | 120μA | 1W | 200mA | 120μA | 200 ns | Inverting | 150 ns | 130ns | 65 ns | 80ns 40ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Single | 1 | 0.2 μs | 0.6A | IGBT, N-Channel MOSFET | 290mA 600mA | YES | 0.2 μs | 600V | 5.33mm | 10.92mm | 7.11mm | 无 | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IR2131JPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 19 Weeks | 0.8V 2.2V | 600 ns | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-LCC (J-Lead), 32 Leads | 44 | Half-Bridge | -40°C~150°C TJ | Tube | 1996 | e3 | 最后一次购买 | 3 (168 Hours) | 32 | EAR99 | 75Ohm | Matte Tin (Sn) | 8542.39.00.01 | 2W | 10V~20V | QUAD | J BEND | 3 | 15V | 1.27mm | IR2131JPBF | S-PQCC-J32 | 20V | 500mA | 15V | 4.5mA | 2W | 160mA | 4.5mA | 2 μs | Inverting | 1.3 μs | 150ns | 100 ns | 80ns 40ns | Independent | 6 | 0.5A | IGBT, N-Channel MOSFET | 250mA 500mA | YES | 1 μs | 600V | 4.572mm | 16.6624mm | 16.6624mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IR2113E6 | Infineon Technologies AG | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 18 | 7.49(Max) | 9.14(Max) | 3.22(Max) | 表面贴装 | LLCC | LLCC | 欠压锁定 | 125 | -55 | 1600 | 2(Min) | 600(Max) | 9.5(Min) | 6(Max) | 20 | 10 | CMOS|LSTTL | 150 | 25 | 35 | Independent | Non-Inverting | 高低侧 | 8542.39.00.01 | EAR99 | QCCN, LCC18,.3X.35 | CHIP CARRIER | 3 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | LCC18,.3X.35 | -55 °C | 15 V | 未说明 | 10 V | 125 °C | 无 | IR2113E6 | 0.26 µs | QCCN | RECTANGULAR | Infineon Technologies AG | 活跃 | 0.22 µs | INFINEON TECHNOLOGIES AG | 20 V | 5.53 | YES | 16 | No Lead | e0 | 活跃 | EAR99 | MOSFET|IGBT | Tin/Lead (Sn/Pb) | 8542.39.00.01 | MOSFET驱动器 | CMOS | QUAD | 无铅 | 未说明 | 1 | 1.27 mm | unknown | 18 | R-CQCC-N16 | 2 | 不合格 | 15 V | MILITARY | 3.22 mm | 基于半桥的mosfet驱动器 | 2 | 2 A | YES | 6 V | 620 V | 8.955 mm | 7.305 mm | RoHS non-compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
.png) | AUXDI2117STR | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tape & Reel (TR) | 2005 | Obsolete | 1 (Unlimited) | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 111-4093PBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tape & Reel (TR) | 2005 | Obsolete | 1 (Unlimited) | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRS26310DJTRPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 2.5V | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-LCC (J-Lead), 32 Leads | 44 | Half-Bridge | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1996 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 44 | EAR99 | 100Ohm | 8542.39.00.01 | 2W | 12V~20V | QUAD | J BEND | 1 | 15V | 1.27mm | IRS26310DJPBF | 350mA | 15V | 2W | 350mA | 750 ns | Non-Inverting | 190ns | 75 ns | 125ns 50ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | 3-Phase | 6 | 0.75 μs | 0.2A | IGBT, N-Channel MOSFET | 200mA 350mA | YES | 0.75 μs | 600V | 4.572mm | 16.6624mm | 16.6624mm | 无 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IR2302STRPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 0.8V 2.9V | 70 ns | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Half-Bridge | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1996 | yes | 活跃 | 2 (1 Year) | 8 | FLOATING LOAD DRIVER; UNDER VOLTAGE LOCKOUT CIRCUIT | 625mW | 5V~20V | DUAL | 鸥翼 | 1 | 15V | IR2302SPBF | 10V | 350mA | 1.6mA | 625mW | 350mA | 1.6mA | 950 ns | Non-Inverting | 70 ns | 220ns | 80 ns | 130ns 50ns | Synchronous | 2 | 0.95 μs | 0.2A | IGBT, N-Channel MOSFET | 200mA 350mA | YES | 600V | 1.4986mm | 4.9784mm | 3.9878mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRS2128SPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 2.5V | 150 ns | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | High-Side | -40°C~150°C TJ | Tube | 1996 | e3 | Obsolete | 2 (1 Year) | 8 | EAR99 | 125Ohm | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 625mW | 12V~20V | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 15V | 30 | IRS2128SPBF | 1 | 600mA | 120μA | 625mW | 200mA | 120μA | 200 ns | Inverting | 150 ns | 130ns | 65 ns | 150 ns | 80ns 40ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Single | 0.2 μs | 0.6A | IGBT, N-Channel MOSFET | 290mA 600mA | YES | 0.2 μs | 600V | 1.4986mm | 4.9784mm | 3.9878mm | 无 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IR2102STRPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 0.8V 3V | 50 ns | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Half-Bridge | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1996 | e3 | 活跃 | 2 (1 Year) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 625mW | 10V~20V | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 15V | 30 | IR2102SPBF | 不合格 | 360mA | 15V | 270μA | 625mW | 360mA | 270μA | 220 ns | 50 ns | 170ns | 90 ns | 100ns 50ns | Independent | 2 | 0.36A | IGBT, N-Channel MOSFET | 210mA 360mA | YES | 600V | 1.4986mm | 4.9784mm | 3.9878mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IR21363JTRPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 18 Weeks | 0.8V 3V | 690 ns | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-LCC (J-Lead), 32 Leads | 44 | Half-Bridge | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1996 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 32 | EAR99 | 100Ohm | FLOATING LOAD DRIVER; UNDER VOLTAGE LOCKOUT CIRCUIT | 8542.39.00.01 | 2W | 12V~20V | QUAD | J BEND | 1 | 15V | 1.27mm | IR21363JPBF | S-PQCC-J32 | 10V | 350mA | 2W | 350mA | 690 ns | Inverting | 680 ns | 190ns | 75 ns | 125ns 50ns | 3-Phase | 6 | 0.55 μs | 0.35A | IGBT, N-Channel MOSFET | 200mA 350mA | YES | 0.55 μs | 600V | 4.572mm | 16.6624mm | 16.6624mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IR2135JTRPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 18 Weeks | 0.8V 2.2V | 950 ns | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-LCC (J-Lead), 32 Leads | 44 | Half-Bridge | 125°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1996 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 32 | EAR99 | 100Ohm | FLOATING LOAD DRIVER; UNDER VOLTAGE LOCKOUT CIRCUIT | 8542.39.00.01 | 2W | 10V~20V | QUAD | J BEND | 未说明 | 3 | 15V | 1.27mm | 未说明 | IR2135JPBF | S-PQCC-J32 | 500mA | 2W | 500mA | Inverting | 1 μs | 150ns | 70 ns | 90ns 40ns | 3-Phase | 6 | 0.5A | IGBT, N-Channel MOSFET | 250mA 500mA | YES | 0.95 μs | 600V | 4.572mm | 16.6624mm | 16.6624mm | 无SVHC | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IR2233JTRPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 18 Weeks | 0.8V 2V | 950 ns | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-LCC (J-Lead), 32 Leads | 44 | Half-Bridge | 125°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1996 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 32 | EAR99 | 100Ohm | 8542.39.00.01 | 2W | 10V~20V | QUAD | J BEND | 未说明 | 3 | 15V | 1.27mm | 未说明 | IR2233JPBF | S-PQCC-J32 | 不合格 | 500mA | 15V | 2W | 200mA | Inverting | 750 ns | 150ns | 70 ns | 90ns 40ns | 3-Phase | 6 | 15V | IGBT, N-Channel MOSFET | 250mA 500mA | YES | 1200V | 4.57mm | 16.66mm | 16.66mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRS21171STRPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 2.5V | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | High-Side | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1996 | Obsolete | 2 (1 Year) | 8 | EAR99 | 625mW | 10V~20V | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 1 | 15V | 未说明 | IRS21171SPBF | 不合格 | 600mA | 625mW | 230 ns | Non-Inverting | 230 ns | 130ns | 65 ns | 75ns 35ns | 基于缓冲器或反相器的外设驱动器 | Single | 1 | 0.2 μs | 0.2A | IGBT, N-Channel MOSFET | 290mA 600mA | TRANSIENT; UNDER VOLTAGE | 600V | 水槽 | 1.4986mm | 4.9784mm | 3.9878mm | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IR2133JTRPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 18 Weeks | 0.8V 2.2V | 950 ns | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-LCC (J-Lead), 32 Leads | 44 | Half-Bridge | 125°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1996 | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 32 | EAR99 | 100Ohm | Matte Tin (Sn) | FLOATING LOAD DRIVER; UNDER VOLTAGE LOCKOUT CIRCUIT | 8542.39.00.01 | 2W | 10V~20V | QUAD | J BEND | 未说明 | 3 | 15V | 1.27mm | 未说明 | IR2133JPBF | S-PQCC-J32 | 不合格 | 500mA | 15V | 2W | 500mA | Inverting | 1 μs | 150ns | 70 ns | 90ns 40ns | 3-Phase | 6 | 0.5A | IGBT, N-Channel MOSFET | 250mA 500mA | YES | 0.95 μs | 600V | 4.572mm | 16.6624mm | 16.6624mm | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IR25600STRPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 0.8V 2.7V | 150 ns | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 540.001716mg | Low-Side | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2006 | 活跃 | 2 (1 Year) | 8 | EAR99 | 625mW | 6V~20V | 鸥翼 | 15V | IR25600 | 20V | 3.3A | 15V | 200μA | Dual | 625mW | 1.5A | 160 ns | Non-Inverting | 160 ns | 35ns | 25 ns | 15ns 10ns | 基于半桥的外设驱动器 | Independent | 2 | IGBT, N-Channel MOSFET | 2.3A 3.3A | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IR2154 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 通孔 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | Half-Bridge | -55°C~150°C TJ | Tube | 1999 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 10V~15.6V | IR2154 | RC输入电路 | 80ns 45ns | Synchronous | 2 | N-Channel MOSFET | 600V | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IR2125STRPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 0.8V 2.2V | 表面贴装 | 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | YES | High-Side | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1996 | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 16 | EAR99 | Tin (Sn) | FLOATING LOAD DRIVER; UNDER VOLTAGE LOCKOUT CIRCUIT | 0V~18V | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 1 | 15V | 未说明 | IR2125SPBF | 不合格 | Non-Inverting | 43ns 26ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Single | 1 | 0.2 μs | 3.3A | IGBT, N-Channel MOSFET | 1.6A 3.3A | YES | 0.25 μs | 500V | 2.65mm | 7.5mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRS2004STRPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 15 Weeks | 0.8V 2.5V | 150 ns | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Half-Bridge | -40°C~150°C TJ | Cut Tape (CT) | 1996 | e3 | 不用于新设计 | 2 (1 Year) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 625mW | 10V~20V | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 15V | 30 | IRS2004SPBF | 600mA | 15V | 270μA | 625mW | 130mA | 270μA | 820 ns | Non-Inverting | 680 ns | 170ns | 90 ns | 70ns 35ns | Synchronous | 2 | IGBT, N-Channel MOSFET | 290mA 600mA | TRANSIENT; UNDER VOLTAGE | 200V | 1.4986mm | 4.9784mm | 3.9878mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRS21864SPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 0.8V 2.5V | 170 ns | 表面贴装 | 表面贴装 | 14-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 14 | High-Side or Low-Side | -40°C~150°C TJ | Tube | 1996 | e3 | 活跃 | 2 (1 Year) | 14 | SMD/SMT | EAR99 | Tin (Sn) | 1W | 10V~20V | DUAL | 鸥翼 | 1 | 15V | IRS21864SPBF | 2 | 20V | 4A | 15V | 240μA | 1W | 4A | 240μA | 250 ns | Non-Inverting | 170 ns | 38ns | 30 ns | 22ns 18ns | 基于缓冲器或反相器的外设驱动器 | Independent | 4A | IGBT, N-Channel MOSFET | 4A 4A | TRANSIENT; UNDER VOLTAGE | 600V | 1.4986mm | 8.7376mm | 3.9878mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IR2104STRPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 0.8V 3V | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | Half-Bridge | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1996 | e3 | 活跃 | 2 (1 Year) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 10V~20V | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 1 | 15V | 未说明 | IR2104SPBF | R-PDSO-G8 | 不合格 | 15V | Non-Inverting | 100ns 50ns | Synchronous | 2 | 0.36A | IGBT, N-Channel MOSFET | 210mA 360mA | YES | 600V | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IR2010STRPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 6V 9.5V | 表面贴装 | 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | YES | Half-Bridge | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1996 | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 16 | EAR99 | Tin (Sn) | 10V~20V | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 1 | 15V | 未说明 | IR2010SPBF | R-PDSO-G16 | 不合格 | Non-Inverting | 10ns 15ns | Independent | 2 | 0.135 µs | 3A | IGBT, N-Channel MOSFET | 3A 3A | YES | 0.105 µs | 200V | 10.3mm | 7.5mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IR2181STRPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 0.8V 2.7V | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | Half-Bridge | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1996 | yes | 活跃 | 2 (1 Year) | 8 | EAR99 | 10V~20V | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 1 | 15V | 未说明 | IR2181SPBF | R-PDSO-G8 | Non-Inverting | 40ns 20ns | Independent | 2 | 2.3A | IGBT, N-Channel MOSFET | 1.9A 2.3A | YES | 0.33 μs | 600V | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant |