制造商是'Infineon'
Infineon 晶体管 - JFET
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图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 材料 | 二极管元件材料 | 终端数量 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | ECCN 代码 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | HTS代码 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | Reach合规守则 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 极性 | 配置 | 通道数量 | 元素配置 | 二极管类型 | 功率 - 最大 | 场效应管类型 | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 漏源电压 (Vdss) | 连续放电电流(ID) | Rep Pk反向电压-最大值 | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大双电源电压 | 信道型 | 击穿电压-最小值 | 击穿电压-最大值 | 漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0) | 电阻-RDS(On) | 最大漏极电流（Id） | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | BSB056N10NN3GXUMA1/SAMPLE | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ESD5V3L1B02LSE6327XTSA1 | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | CHIP CARRIER | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 未说明 | 125 °C | 有 | ESD5V3L1B02LSE6327XTSA1 | RECTANGULAR | Infineon Technologies AG | 1 | Obsolete | INFINEON TECHNOLOGIES AG | 5.77 | YES | SILICON | 2 | 0.62 X 0.32 MM, 0.31 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, TSSLP-2-1, 2 PIN | EAR99 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | BOTTOM | 无铅 | 未说明 | compliant | R-PBCC-N2 | BIDIRECTIONAL | SINGLE | 跨压抑制二极管 | 5.3 V | 6 V | 10 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IGO60R070D1AUMA2 | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 31A | 800 V | 900 mV | 125 W | N-Channel | + 150 C | - 10 V, + 10 V | - 55 C | SMD/SMT | Enhancement | 5.8 nC | 70 mOhms | 31 A | PG-DSO-20 | - | CoolGaN 600V | GaN | 1 Channel | N | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IJW120R070T1FKSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 通孔 | 通孔 | TO-247-3 | 3 | PG-TO247-3 | -55°C~175°C TJ | Tube | 2013 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 175°C | -55°C | Single | 238W | N-Channel | 2000pF @ 19.5V VGS | 1200V | 35μA | 2V | 1.2kV | 3.3μA @ 1200V | 70mOhms | 35A | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IJW120R100T1FKSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | 通孔 | 通孔 | TO-247-3 | PG-TO247-3 | -55°C~175°C TJ | Tube | 2013 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 175°C | -55°C | Single | 190W | N-Channel | 1550pF @ 19.5V VGS | 1200V | 26μA | 2V | 1.2kV | 1.5μA @ 1200V | 100mOhms | 26A | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCP49E6419XT | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR503E6393XT | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR119SE6393XT | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BCR133SE6393XT | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IGT60R070D1 | Infineon Technologies AG | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 600 | -10(Min) | 31000 | 125000 | -55 | 150 | HSOF | 无 | 表面贴装 | 2.3 | 9.9 | 10.38 | 8 | Tab | 有 | IGT60R070D1 | Infineon Technologies AG | 活跃 | INFINEON TECHNOLOGIES AG | 2.24 | GaN | EAR99 | 卷带 | 活跃 | unknown | 9 | 单个十六进制源 | N | 是,有豁免 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IGO60R070D1 | Infineon Technologies AG | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 600 | -10(Min) | 31000 | 125000 | -55 | 150 | SOP | DSO EP | 无 | 表面贴装 | 3.25 | 15.9 | 11 | 20 | Gull-wing | , | 未说明 | 有 | IGO60R070D1 | Infineon Technologies AG | 活跃 | INFINEON TECHNOLOGIES AG | 2.27 | GaN | EAR99 | 卷带 | 活跃 | 未说明 | compliant | 20 | 单六角漏极 七源 | N | 是,有豁免 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IGT60R190D1S | Infineon Technologies AG | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 600 | -10(Min) | 12500 | 55500 | -55 | 150 | HSOF | 无 | 表面贴装 | 2.3 | 9.9 | 10.38 | 8 | Tab | , | 3 | 有 | IGT60R190D1S | Infineon Technologies AG | 活跃 | Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R | INFINEON TECHNOLOGIES AG | 2.28 | GaN | EAR99 | 卷带 | 活跃 | compliant | 9 | 单个十六进制源 | N | 是,有豁免 |