制造商是'Infineon'
Infineon 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
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图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 材料 | 晶体管元件材料 | 包装 | 已出版 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | 子类别 | 电压 - 额定直流 | 额定电流 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | Reach合规守则 | 额定电流 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 极性 | 配置 | 通道数量 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 测试电流 | 晶体管应用 | 无卤素 | 漏源电压 (Vdss) | 极性/通道类型 | 晶体管类型 | 集电极发射器电压(VCEO) | 最大集电极电流 | 连续放电电流(ID) | 栅极至源极电压(Vgs) | 增益 | 最高频率 | 最大输出功率 | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 转换频率 | 漏源击穿电压 | 输入电容 | DS 击穿电压-最小值 | 信道型 | 功率 - 输出 | 场效应管技术 | 集电极基极电压(VCBO) | 最大耗散功率(Abs) | 发射极基极电压 (VEBO) | 噪声图 | 电压-测试 | 最高频段 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | BF998E6327HTSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 4 Weeks | Military grade | Tin | 表面贴装 | TO-253-4, TO-253AA | 4 | 1 | Tape & Reel (TR) | 2001 | e3 | yes | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | 150°C | -55°C | 12V | 200mW | DUAL | 鸥翼 | 30mA | 45MHz | BF998 | 4 | SINGLE | 1 | DUAL GATE, DEPLETION MODE | SOURCE | 10mA | 不含卤素 | N-Channel | 30mA | 8V | 28dB | 0.03A | 1.2pF | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 2.8dB | 1mm | 2.9mm | 1.3mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF999E6327HTSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Military grade | Tin | 表面贴装 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 3 | 1 | Tape & Reel (TR) | 2007 | e3 | yes | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | 150°C | -55°C | 20V | 200mW | DUAL | 鸥翼 | 30mA | 45MHz | SINGLE | 1 | DEPLETION MODE | 10mA | 不含卤素 | N-Channel | 30mA | 12V | 27dB | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 2.1dB | 10V | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF5030WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 8V | Tin | 表面贴装 | SC-82A, SOT-343 | 4 | 1 | Tape & Reel (TR) | 2005 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | EAR99 | 150°C | -55°C | 200mW | 25mA | 800MHz | BF5030 | 10mA | 无卤素 | N-Channel | 25mA | 6V | 24dB | 1.3dB | 3V | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BG3130H6327XTSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 4 Weeks | 8V | Tin | 表面贴装 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | 6 | 2 | Tape & Reel (TR) | 2007 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | 150°C | -55°C | 低噪音 | 200mW | 鸥翼 | 未说明 | 25mA | 800MHz | 未说明 | BG3130 | DUAL GATE, DEPLETION MODE | 14mA | AMPLIFIER | 无卤素 | 2 N-Channel (Dual) | 25mA | 6V | 24dB | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 1.3dB | 5V | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF2040WH6814XTSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 8V | Tin | 表面贴装 | SC-82A, SOT-343 | 4 | 1 | Tape & Reel (TR) | 2007 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | 150°C | -55°C | 200mW | DUAL | 鸥翼 | 40mA | 800MHz | BF2040 | SINGLE | DUAL GATE, DEPLETION MODE | SOURCE | 15mA | AMPLIFIER | 无卤素 | N-Channel | 40mA | 7V | 23dB | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 1.6dB | 5V | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF2030WH6814XTSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8V | 表面贴装 | SC-82A, SOT-343 | 4 | 1 | Tape & Reel (TR) | 2007 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | 150°C | -55°C | 200mW | DUAL | 鸥翼 | 40mA | 800MHz | BF2030 | SINGLE | DUAL GATE, DEPLETION MODE | SOURCE | 10mA | AMPLIFIER | N-Channel | 40mA | 23dB | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 1.5dB | 5V | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF1005SE6327HTSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8V | 表面贴装 | TO-253-4, TO-253AA | 4 | 1 | Tape & Reel (TR) | 2007 | Obsolete | 1 (Unlimited) | EAR99 | 150°C | -55°C | 200mW | 25mA | 800MHz | BF1005 | N-Channel | 25mA | 22dB | 1.6dB | 5V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF999E6433HTMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 20V | 30mA | 表面贴装 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 3 | SOT-23-3 | 1 | Tape & Reel (TR) | 2007 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 150°C | -55°C | 200mW | 30mA | 45MHz | 10mA | N-Channel | 30mA | 12V | 27dB | 300MHz | 2.1dB | 10V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BG3130RH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 4 Weeks | 8V | Tin | 表面贴装 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | 6 | 2 | Tape & Reel (TR) | 2002 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | 150°C | -55°C | 低噪音 | 200mW | 鸥翼 | 未说明 | 25mA | 800MHz | 未说明 | BG3130 | DUAL GATE, DEPLETION MODE | 14mA | AMPLIFIER | 无卤素 | 2 N-Channel (Dual) | 25mA | 6V | 24dB | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 1.3dB | 5V | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PTFA212001EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 10μA | 2-Flatpack, Fin Leads | YES | 3 | SILICON | 1 | Tape & Reel (TR) | 2009 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | 150°C | HIGH RELIABILITY | DUAL | unknown | 10μA | 2.14GHz | PTFA212001 | R-XDFM-F2 | Single | 增强型MOSFET | SOURCE | AMPLIFIER | N-CHANNEL | LDMOS | 1.6A | 12V | 15.8dB | 65V | 50W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 30V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF1009SE6327HTSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12V | 表面贴装 | TO-253-4, TO-253AA | 4 | 1 | Tape & Reel (TR) | 2007 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | 150°C | -55°C | 200mW | DUAL | 鸥翼 | 25mA | 800MHz | SINGLE | DUAL GATE, DEPLETION MODE | SOURCE | AMPLIFIER | N-Channel | 25mA | 22dB | 0.025A | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 1.4dB | 9V | 无 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF2030E6814HTSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8V | 表面贴装 | TO-253-4, TO-253AA | 4 | 1 | Tape & Reel (TR) | 2007 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | 150°C | -55°C | 低噪音 | 200mW | DUAL | 鸥翼 | 40mA | 800MHz | BF2030 | SINGLE | DUAL GATE, DEPLETION MODE | SOURCE | 10mA | AMPLIFIER | N-Channel | 40mA | 23dB | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 1.5dB | 5V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BG 3230 E6327 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8V | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 | YES | 150°C | Tape & Reel (TR) | 2005 | Obsolete | 1 (Unlimited) | unknown | 25mA | 800MHz | Single | 增强型MOSFET | 2 N-Channel (Dual) | 24dB | 0.025A | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 0.2W | 1.3dB | 5V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTFA190451EV4XWSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 65V | Screw | H-36265-2 | 3 | 1 | Tray | 2009 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 2 | 200°C | -40°C | HIGH RELIABILITY | 192W | DUAL | FLAT | unknown | 10μA | 1.96GHz | PTFA190451 | R-CDFM-F2 | SINGLE | 增强型MOSFET | SOURCE | 450mA | AMPLIFIER | N-CHANNEL | LDMOS | 17.5dB | 11W | 65V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 28V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BF2040E6814HTSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 4 Weeks | Military grade | Tin | 表面贴装 | TO-253-4, TO-253AA | 4 | 1 | Tape & Reel (TR) | 2007 | e3 | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | 150°C | -55°C | 低噪音 | 8V | 200mW | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 40mA | 800MHz | 未说明 | BF2040 | SINGLE | DUAL GATE, DEPLETION MODE | SOURCE | 15mA | AMPLIFIER | 不含卤素 | 8V | N-Channel | 40mA | 15V | 23dB | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 1.6dB | 5V | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PTFA192401FV4XWSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 65V | 表面贴装 | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged | 3 | 1 | Tray | 2009 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | 200°C | -40°C | HIGH RELIABILITY | 761W | DUAL | 未说明 | unknown | 10μA | 1.96GHz | 未说明 | PTFA192401 | 2 | R-CDFP-F2 | 不合格 | SINGLE | 增强型MOSFET | SOURCE | 1.6A | AMPLIFIER | N-CHANNEL | LDMOS | 16dB | 65V | 50W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 30V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF888H6327XTSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 4 Weeks | Tin | 表面贴装 | SOT-343 | 1 | Tape & Reel (TR) | 2010 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | 150°C | -55°C | 低噪音 | 160mW | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 47GHz | 未说明 | R-PDSO-G4 | NPN | SINGLE | 160mW | EMITTER | SWITCHING | 4V | 30mA | 47000MHz | 13V | 1.2V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTFA192001EV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 200°C | 65V | 2-Flatpack, Fin Leads | YES | 3 | SILICON | 1 | Tape & Reel (TR) | 2009 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | DUAL | unknown | 10μA | 1.99GHz | PTFA192001 | R-CDFM-F2 | SINGLE | 增强型MOSFET | SOURCE | 1.8A | N-CHANNEL | LDMOS | 15.9dB | 65V | 50W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 30V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PTFB212507SHV1R250XTMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 26 Weeks | 200°C | YES | 5 | SILICON | 1 | Tape & Reel (TR) | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | QUAD | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-CQSO-X4 | SINGLE | 增强型MOSFET | SOURCE | AMPLIFIER | N-CHANNEL | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | S B | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTFA092201FV4R250XTMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | 表面贴装 | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged | 3 | 65V | Tape & Reel (TR) | 2008 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 200°C | -40°C | 未说明 | 10μA | 960MHz | 未说明 | PTFA092201 | 1.85A | LDMOS | 12V | 18.5dB | 220W | 30V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BF 2040W E6814 | Infineon Technologies AG | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tab | 3 | 1.25 | 2 | 0.9(Max) | 表面贴装 | 无 | SOT-343 | SOT-343 | AEC-Q101 | 150 | -55 | 1000 | 23 | 200 | 0.042 | 2.9@5V@Gate 1 | 0.04 | 6 | 8 | 1 | Depletion | EAR99 | 1 | 150 °C | 有 | BF2040W-E6814 | Infineon Technologies AG | Obsolete | INFINEON TECHNOLOGIES AG | 5.84 | YES | Si | Gull-wing | 卷带 | Obsolete | EAR99 | FET 通用电源 | compliant | 4 | 单双闸门 | DUAL GATE, ENHANCEMENT MODE | N-CHANNEL | 0.04 A | N | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 0.2 W | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTFA091201FV4XWSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 65V | 10μA | 表面贴装 | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged | 3 | H-37248-2 | 1 | Tape & Reel (TR) | 2007 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 200°C | -40°C | 427W | 10μA | 960MHz | PTFA091201 | 28V | 750mA | 无卤素 | LDMOS | 19dB | 960MHz | 50W | 110W | 28V | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTFA211801EV5XWSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 65V | Screw | 2-Flatpack, Fin Leads | 3 | 1 | Tape & Reel (TR) | 2011 | yes | Discontinued | 1 (Unlimited) | 2 | 200°C | -40°C | HIGH RELIABILITY | 565W | DUAL | 2.14GHz | PTFA211801 | R-CDFM-F2 | 28V | SINGLE | 增强型MOSFET | SOURCE | 1.2A | AMPLIFIER | 无卤素 | N-CHANNEL | LDMOS | 15.5dB | 65V | 140W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTFA192001FV4FWSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 200°C | 65V | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged | YES | 3 | SILICON | 1 | Tray | 2009 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 2 | DUAL | unknown | 10μA | 1.99GHz | PTFA192001 | R-CDFP-F2 | SINGLE | 增强型MOSFET | SOURCE | 1.8A | N-CHANNEL | LDMOS | 15.9dB | 65V | 50W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 30V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PTFA212001FV4XWSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 65V | 表面贴装 | 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged | 3 | 1 | Tape & Reel (TR) | 2009 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 2 | 200°C | -40°C | HIGH RELIABILITY | 625W | DUAL | unknown | 10μA | 2.14GHz | PTFA212001 | R-XDFM-F2 | 30V | SINGLE | 增强型MOSFET | SOURCE | 1.6A | AMPLIFIER | 无卤素 | N-CHANNEL | LDMOS | 15.8dB | 220W | 65V | 50W | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 符合RoHS标准 | 无铅 |