制造商是'Infineon'
Infineon 二极管 - 整流器 - 单
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图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 质量 | 二极管元件材料 | 终端数量 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 应用 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 元素配置 | 速度 | 二极管类型 | 反向泄漏电流@ Vr | 输出电流 | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 箱体转运 | 正向电流 | 最大反向漏电电流 | 工作温度 - 结点 | 最大浪涌电流 | 输出电流-最大值 | 无卤素 | 电压 - 直流逆向（Vr）（最大值） | 平均整流电流（Io） | 最大反向电压（DC） | 平均整流电流 | 相位的数量 | 反向恢复时间 | 峰值反向电流 | 最大重复反向电压(Vrrm) | Rep Pk反向电压-最大值 | JEDEC-95代码 | 电容@Vr, F | 峰值非恢复性浪涌电流 | 最大非代表Pk前进电流 | 反向电压 | 正向电压-最大值 | 反向电流-最大值 | 最大正向浪涌电流（Ifsm） | 恢复时间 | 反向恢复时间-最大值 | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||
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 | CDDATAPACK/10197B | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Non-Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| D4709N26T | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | D4709N26T | DO-200AE-1 | Compliant | 磁盘按钮 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | ROUND | 1 | Transferred | EUPEC GMBH & CO KG | 5.75 | Screw | YES | 2 | SILICON | 2 | Infineon | 160 °C | -40 °C | GENERAL PURPOSE | END | 无铅 | unknown | O-CEDB-N2 | 不合格 | SINGLE | Single | 接收电极 | 5.348 kA | 71 kA | 5.348 A | 1 | 200 mA | 2.6 kV | 2600 V | 71 kA | 71 A | 2.6 kV | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ND171N18KHPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 1 | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 150°C | Tray | 2012 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | GENERAL PURPOSE | 8541.10.00.80 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X2 | SINGLE | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard | 20mA @ 1800V | ISOLATED | -40°C~135°C | 171A | 1800V | 171A | 1 | 1800V | 5600A | 1.26V | 20000μA | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ND171N16KHPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 150°C | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 1 | Tray | 2012 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | GENERAL PURPOSE | UL 认证 | 8541.10.00.80 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X3 | SINGLE | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard | 20mA @ 1600V | ISOLATED | -40°C~135°C | 171A | 1600V | 171A | 1 | 1600V | 5600A | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ND261N26KHPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 150°C | 底座安装 | Module | NO | 261 | 699.893027g | SILICON | 1 | Tray | 2003 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | GENERAL PURPOSE | 8541.10.00.80 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | 未说明 | R-XUFM-X2 | SINGLE | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard | 40mA @ 2600V | 210A | ISOLATED | -40°C~135°C | 不含卤素 | 2600V | 260A | 1 | 2.6kV | 8300A | 2.6kV | 8.3kA | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | DZ950N44KHPSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 160°C | 底座安装 | Module | NO | SILICON | 1 | Bulk | 2003 | 活跃 | 不适用 | 2 | EAR99 | GENERAL PURPOSE | 8541.10.00.80 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 未说明 | R-XUFM-X2 | SINGLE | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard | 100mA @ 4400V | 1.78V @ 3000A | ISOLATED | -40°C~150°C | 950A | 4400V | 950A | 1 | 4400V | 29000A | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IDP04E120 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 43.1W | 通孔 | TO-220-2 | NO | 2 | SILICON | 1 | Tube | 2009 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | 150°C | -55°C | 快速软恢复 | 8541.10.00.80 | 未说明 | 未说明 | 3 | 不合格 | Single | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard | 100μA @ 1200V | 2.15V @ 4A | CATHODE | 11.2A | 100μA | -55°C~150°C | 28A | 无卤素 | 1200V | 11.2A DC | 1.2kV | 11.2A | 1 | 115 ns | 100μA | 1.2kV | 28A | 115 ns | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAV199E6433/SN | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Infineon Technologies AG | 活跃 | INFINEON TECHNOLOGIES AG | 5.53 | BAV199E6433/SN | compliant | 接收电极 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ND600N18K | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | FLANGE MOUNT | UNSPECIFIED | 未说明 | 150 °C | 有 | ND600N18K | RECTANGULAR | Infineon Technologies AG | 1 | 活跃 | INFINEON TECHNOLOGIES AG | 1.32 V | 5.63 | MODULE | NO | SILICON | 3 | MODULE-3 | GENERAL PURPOSE | UL 认证 | 8541.10.00.80 | 研磨二极管 | UPPER | UNSPECIFIED | 未说明 | compliant | 3 | R-XUFM-X3 | 不合格 | SINGLE | 接收电极 | ISOLATED | 600 A | 1 | 1800 V | 19000 A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SP000250517 | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BA892-02VH6433 | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 125 °C | 有 | BA892-02V-H6433 | Infineon Technologies AG | 1 | Obsolete | INFINEON TECHNOLOGIES AG | 1 V | 5.84 | YES | 1 | EAR99 | 研磨二极管 | unknown | SINGLE | 接收电极 | 35 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDB23E60XT | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAV99E6433HTMA1 | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Non-Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAV99E6327HTSA1 | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | BAV99E6327HTSA1 | 0.33 W | RECTANGULAR | Infineon Technologies AG | 2 | Obsolete | INFINEON TECHNOLOGIES AG | 5.02 | SOT-23 | YES | SILICON | 3 | R-PDSO-G3 | e2 | 无 | EAR99 | Tin/Silver (Sn/Ag) | 8541.10.00.70 | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | compliant | 3 | R-PDSO-G3 | 不合格 | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS | 接收电极 | 0.2 A | 85 V | 0.004 µs | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HFA35HB60C | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | FLANGE MOUNT | UNSPECIFIED | 未说明 | 150 °C | 无 | HFA35HB60C | SQUARE | Infineon Technologies AG | 2 | 活跃 | INFINEON TECHNOLOGIES AG | 2 V | 5.42 | NO | SILICON | 3 | HERMETIC SEALED PACKAGE-3 | e0 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 超快软恢复 | 8541.10.00.80 | 研磨二极管 | AVALANCHE | SINGLE | PIN/PEG | 未说明 | unknown | S-XSFM-P3 | 不合格 | COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 接收电极 | ISOLATED | 30 A | 1 | 600 V | TO-254AA | 150 A | 0.088 µs | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDH08SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 175°C | 通孔 | TO-220-2 | NO | 1 | Tube | 2012 | CoolSiC™+ | e3 | yes | Discontinued | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | Tin (Sn) | GENERAL PURPOSE | 8541.10.00.80 | SINGLE | 未说明 | 未说明 | 3 | R-PSFM-T2 | 不合格 | SINGLE | No Recovery Time > 500mA (Io) | 碳化硅肖特基 | 70μA @ 600V | 2.1V @ 8A | CATHODE | -55°C~175°C | 8A | 600V | 8A DC | 1 | 0ns | 600V | TO-220AC | 240pF @ 1V 1MHz | 36A | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDH06SG60CXKSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 通孔 | TO-220-2 | Tube | 2012 | CoolSiC™+ | yes | Discontinued | 1 (Unlimited) | EAR99 | 8541.10.00.80 | 3 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 碳化硅肖特基 | 50μA @ 600V | 2.3V @ 6A | -55°C~175°C | 600V | 6A DC | 0ns | 130pF @ 1V 1MHz | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IDD06SG60CXTMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Tape & Reel (TR) | 2013 | CoolSiC™+ | yes | Discontinued | 1 (Unlimited) | EAR99 | 8541.10.00.80 | 4 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 碳化硅肖特基 | 50μA @ 600V | 2.3V @ 6A | -55°C~175°C | 600V | 6A DC | 0ns | 130pF @ 1V 1MHz | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDH16G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 17 Weeks | 175°C | 129W | 通孔 | TO-220-2 | NO | 1 | Tube | 2012 | CoolSiC™+ | e3 | yes | Discontinued | 1 (Unlimited) | 2 | EAR99 | Tin (Sn) | EFFICIENCY | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.80 | SINGLE | 未说明 | 未说明 | 3 | R-PSFM-T2 | SINGLE | No Recovery Time > 500mA (Io) | 碳化硅肖特基 | 550μA @ 650V | 1.7V @ 16A | CATHODE | -55°C~175°C | 16A | 650V | 16A DC | 1 | 0ns | 650V | TO-220AC | 470pF @ 1V 1MHz | 637A | 200μA | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IDW12G65C5FKSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 175°C | 76W | 通孔 | TO-247-3 | NO | 1 | Tube | 2013 | CoolSiC™+ | e3 | yes | Discontinued | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | Tin (Sn) | EFFICIENCY | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.80 | SINGLE | 未说明 | 未说明 | 3 | R-PSFM-T3 | SINGLE | No Recovery Time > 500mA (Io) | 碳化硅肖特基 | 500μA @ 650V | 1.7V @ 12A | CATHODE | -55°C~175°C | 12A | 650V | 12A DC | 1 | 0ns | 650V | 360pF @ 1V 1MHz | 505A | 190μA | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDH04G65C5XKSA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 通孔 | TO-220-2 | Tube | 2013 | CoolSiC™+ | yes | Discontinued | 1 (Unlimited) | EAR99 | 8541.10.00.80 | No Recovery Time > 500mA (Io) | 碳化硅肖特基 | 140μA @ 650V | 1.7V @ 4A | -55°C~175°C | 650V | 4A DC | 0ns | 130pF @ 1V 1MHz | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1D5809NK005U7780 | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Non-Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DATAPACK/99-5182 | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Non-Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DATAPACKFULL/2N7336JANTX | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Non-Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BAT15-04RE6327 | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 150 °C | 有 | 12 GHz | BAT15-04R-E6327 | Infineon Technologies AG | Obsolete | INFINEON TECHNOLOGIES AG | 5.84 | YES | SILICON | 1 | e3 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 8541.10.00.60 | 微波混频器二极管 | compliant | 混频器芯片 |