制造商是'HARRIS'
HARRIS 存储器 - 模块
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图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 表面安装 | 终端数量 | JESD-609代码 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | HTS代码 | 端子位置 | 终端形式 | 功能数量 | 端子间距 | Reach合规守则 | JESD-30代码 | 资历状况 | 电源电压-最大值(Vsup) | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 操作模式 | 电源电流-最大值 | 组织结构 | 内存宽度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 筛选水平 | 并行/串行 | 内存IC类型 | |||||||||||||||
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HM6-6616-8 | Harris Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | NO | Obsolete | HARRIS SEMICONDUCTOR | DIP, DIP24,.3 | 140 ns | 2048 words | 2000 | 125 °C | -55 °C | CERAMIC | DIP | DIP24,.3 | RECTANGULAR | IN-LINE | 5 V | 24 | 无 | e0 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 8542.32.00.71 | DUAL | THROUGH-HOLE | 2.54 mm | unknown | R-XDIP-T24 | 不合格 | MILITARY | 0.046 mA | 2KX8 | 8 | 0.0001 A | 16384 bit | MIL-STD-883 Class B (Modified) | OTP ROM | |||||||
HM1-7611-2 | Harris Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | NO | Obsolete | HARRIS SEMICONDUCTOR | DIP, DIP16,.3 | 75 ns | 256 words | 256 | 125 °C | -55 °C | CERAMIC | DIP | DIP16,.3 | RECTANGULAR | IN-LINE | 5 V | 16 | 无 | e0 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 8542.32.00.71 | DUAL | THROUGH-HOLE | 2.54 mm | unknown | R-XDIP-T16 | 不合格 | MILITARY | 0.13 mA | 256X4 | 4 | 1024 bit | OTP ROM | |||||||||
HM1-6617-8 | Harris Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | NO | HARRIS SEMICONDUCTOR | , | 140 ns | 2048 words | 2000 | 125 °C | -55 °C | CERAMIC, GLASS-SEALED | RECTANGULAR | IN-LINE | 5 V | 24 | Obsolete | EAR99 | 8542.32.00.71 | DUAL | THROUGH-HOLE | 1 | unknown | R-GDIP-T24 | 不合格 | 5.5 V | MILITARY | 4.5 V | ASYNCHRONOUS | 2KX8 | 8 | 16384 bit | PARALLEL | OTP ROM |