制造商是'EPC'
EPC 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 供应商器件包装 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 功率 - 最大 | 场效应管类型 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 漏源电压 (Vdss) | 连续放电电流(ID) | 输入电容 | 场效应管特性 | 最大rds | 电容-输入 | RoHS状态 | ||
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![]() | EPC2221 | EPC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 5A | 表面贴装 | Die | Die | EPC | 活跃 | 150°C (TJ) | - | - | 2 N-Channel (Dual) Common Source | - | - | - | - | 100V | GaNFET (Gallium Nitride) | ||||||||||||||
![]() | EPC2111 | EPC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | 表面贴装 | Die | Die | 16A Ta | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V | 2.5V @ 5mA | 230pF @ 15V 590pF @ 15V | 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V | 30V | GaNFET (Gallium Nitride) | ROHS3 Compliant | |||||||||||||
![]() | EPC2102 | EPC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | 表面贴装 | Die | Die | 23A | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | eGaN® | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 4.4mOhm @ 20A, 5V | 2.5V @ 7mA | 830pF @ 30V | 6.8nC @ 5V | 60V | GaNFET (Gallium Nitride) | ROHS3 Compliant | ||||||||||||
![]() | EPC2100 | EPC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | 表面贴装 | Die | Die | 10A Ta 40A Ta | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | eGaN® | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA | 475pF @ 15V 1960pF @ 15V | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V | 30V | GaNFET (Gallium Nitride) | ROHS3 Compliant | ||||||||||||
![]() | EPC2100ENGRT | EPC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | Die | Die | 10A Ta 40A Ta | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | eGaN® | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V | 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA | 475pF @ 15V 1960pF @ 15V | 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V | 30V | GaNFET (Gallium Nitride) | ROHS3 Compliant | ||||||||||||
![]() | EPC2102ENGRT | EPC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | Die | Die | 23A Tj | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | eGaN® | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 4.4mOhm @ 20A, 5V | 2.5V @ 7mA | 830pF @ 30V | 6.8nC @ 5V | 60V | GaNFET (Gallium Nitride) | ROHS3 Compliant | |||||||||||||
![]() | EPC2103 | EPC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | 表面贴装 | Die | Die | 28A | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | eGaN® | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 5.5mOhm @ 20A, 5V | 2.5V @ 7mA | 760pF @ 40V | 6.5nC @ 5V | 80V | GaNFET (Gallium Nitride) | ROHS3 Compliant | ||||||||||||
![]() | EPC2101 | EPC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | 表面贴装 | Die | Die | 9.5A 38A | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | eGaN® | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V | 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA | 300pF @ 30V 1200pF @ 30V | 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V | 60V | GaNFET (Gallium Nitride) | ROHS3 Compliant | ||||||||||||
![]() | EPC2106 | EPC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | 表面贴装 | Die | Die | 1.7A | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | eGaN® | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 70mOhm @ 2A, 5V | 2.5V @ 600μA | 75pF @ 50V | 0.73nC @ 5V | 100V | GaNFET (Gallium Nitride) | ROHS3 Compliant | ||||||||||||
![]() | EPC2105 | EPC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | 表面贴装 | Die | Die | 9.5A 38A | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | eGaN® | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V | 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA | 300pF @ 40V 1100pF @ 40V | 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V | 80V | GaNFET (Gallium Nitride) | ROHS3 Compliant | ||||||||||||
![]() | EPC2108 | EPC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | 表面贴装 | 9-VFBGA | 9-BGA (1.35x1.35) | 1.7A 500mA | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | eGaN® | 活跃 | 1 (Unlimited) | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) | 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V | 2.5V @ 100μA, 2.5V @ 20μA | 22pF @ 30V 7pF @ 30V | 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V | 60V 100V | GaNFET (Gallium Nitride) | ROHS3 Compliant | ||||||||||||
![]() | EPC2107 | EPC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | 表面贴装 | 9-VFBGA | 9-BGA (1.35x1.35) | 1.7A 500mA | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | eGaN® | 活跃 | 1 (Unlimited) | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) | 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V | 2.5V @ 100μA, 2.5V @ 20μA | 16pF @ 50V 7pF @ 50V | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V | 100V | GaNFET (Gallium Nitride) | ROHS3 Compliant | ||||||||||||
![]() | EPC2110ENGRT | EPC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | Die | Die | 3.4A | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2015 | eGaN® | 活跃 | 1 (Unlimited) | 150°C | -40°C | 2 N-Channel (Dual) Common Source | 60mOhm @ 4A, 5V | 2.5V @ 700μA | 80pF @ 60V | 0.8nC @ 5V | 120V | 3.4A | 80pF | GaNFET (Gallium Nitride) | 60 mΩ | ROHS3 Compliant | |||||
![]() | EPC2106ENGRT | EPC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | Die | Die | 1.7A | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2015 | eGaN® | 活跃 | 1 (Unlimited) | 150°C | -40°C | 2 N-Channel (Half Bridge) | 70mOhm @ 2A, 5V | 2.5V @ 600μA | 75pF @ 50V | 0.73nC @ 5V | 100V | 1.7A | 75pF | GaNFET (Gallium Nitride) | 70 mΩ | ROHS3 Compliant | |||||
![]() | EPC2101ENGRT | EPC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 22 Weeks | 表面贴装 | Die | Die | 9.5A 38A | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2015 | eGaN® | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 11.5mOhm @ 20A, 5V | 2.5V @ 2mA | 300pF @ 30V | 2.7nC @ 5V | 60V | GaNFET (Gallium Nitride) | ROHS3 Compliant | |||||||||||
![]() | EPC2100ENG | EPC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 22 Weeks | 表面贴装 | 2015 | 150°C | -40°C | 30V | 38A | 8 mΩ | 380pF | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||
![]() | EPC2107ENGRT | EPC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 2015 | 150°C | -40°C | 100V | 1.7A | 320 mΩ | 16pF | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||
![]() | EPC2108ENGRT | EPC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 2015 | 150°C | -40°C | 100V | 1.7A | 190 mΩ | 22pF | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||
![]() | EPC2102ENG | EPC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 22 Weeks | 表面贴装 | 2015 | 150°C | -40°C | 60V | 23A | 4.4 mΩ | 830pF | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||
![]() | EPC2105ENG | EPC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 22 Weeks | 表面贴装 | 2015 | 150°C | -40°C | 80V | 38A | 14.5 mΩ | 300pF | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||
![]() | EPC2104ENGRT | EPC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | Die | Die | 23A | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2015 | eGaN® | Discontinued | 1 (Unlimited) | 150°C | -40°C | 2 N-Channel (Half Bridge) | 6.3mOhm @ 20A, 5V | 2.5V @ 5.5mA | 800pF @ 50V | 7nC @ 5V | 100V | 23A | 800pF | GaNFET (Gallium Nitride) | 6.3 mΩ | ROHS3 Compliant | ||||||
![]() | EPC2105ENGRT | EPC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | Die | Die | 9.5A | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2015 | eGaN® | 活跃 | 1 (Unlimited) | 150°C | -40°C | 2 N-Channel (Half Bridge) | 14.5mOhm @ 20A, 5V | 2.5V @ 2.5mA | 300pF @ 40V | 2.5nC @ 5V | 80V | 9.5A | 300pF | GaNFET (Gallium Nitride) | 14.5 mΩ | ROHS3 Compliant | |||||
![]() | EPC2103ENGRT | EPC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | Die | Die | 23A | Tape & Reel (TR) | 2012 | eGaN® | 活跃 | 1 (Unlimited) | 2 N-Channel (Half Bridge) | 5.5mOhm @ 20A, 5V | 2.5V @ 7mA | 7600pF @ 40V | 6.5nC @ 5V | 80V | 23A | 7.6nF | GaNFET (Gallium Nitride) | 5.5 mΩ | ROHS3 Compliant | ||||||||
![]() | EPC2104ENG | EPC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 22 Weeks | 表面贴装 | 2015 | 150°C | -40°C | 100V | 23A | 6.3 mΩ | 800pF | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||
![]() | EPC2103ENG | EPC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 2012 | 150°C | -40°C | 80V | 23A | 5.5 mΩ | 760pF | 符合RoHS标准 |