![U3101](https://res.utmel.com/Images/category/Discrete Semiconductor Products.png)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Chassis Mount
引脚数
4
30 V
Compliant
包装
Bulk
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
输出配置
Phototransistor
功率耗散
100 mW
正向电流
50 mA
集电极发射器电压(VCEO)
30 V
最大集电极电流
30 mA
感应距离
3.175 mm
波长
890 nm
底架
Chassis Mount
引脚数
4
30 V
Compliant
包装
Bulk
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
输出配置
Phototransistor
功率耗散
100 mW
正向电流
50 mA
集电极发射器电压(VCEO)
30 V
最大集电极电流
30 mA
感应距离
3.175 mm
波长
890 nm