制造商是'Broadcom'
Broadcom 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
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图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 包装/外壳 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 晶体管元件材料 | 包装 | 已出版 | JESD-609代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 终端 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 电压 - 额定直流 | 额定电流 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 额定电流 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | JESD-30代码 | 资历状况 | 箱码(公制) | 箱码(英制) | 工作电源电压 | 配置 | 元素配置 | 电源电流 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 测试电流 | 晶体管应用 | 漏源电压 (Vdss) | 极性/通道类型 | 晶体管类型 | 连续放电电流(ID) | 阈值电压 | JEDEC-95代码 | 栅极至源极电压(Vgs) | 增益 | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 双电源电压 | DS 击穿电压-最小值 | 功率 - 输出 | 场效应管技术 | 噪声图 | P1dB | 栅源电压 | 电压-测试 | 最小击穿电压 | 高度 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||
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![]() | ATF-55143-TR1G | Broadcom Limited | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | SC-82A, SOT-343 | 4 | 1 | Tape & Reel (TR) | 2005 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | SMD/SMT | EAR99 | 150°C | -65°C | 5V | 270mW | DUAL | 鸥翼 | 260 | 100mA | 2GHz | ATF-55143 | SINGLE | 增强型MOSFET | 270mW | SOURCE | 10mA | AMPLIFIER | 2.7V | N-CHANNEL | E-pHEMT | 100mA | 370mV | 1V | 17.7dB | 0.1A | 2.7V | 5V | 14.4dBm | 高电子迁移率 | 0.6dB | 370 mV | 1.2mm | 无 | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | ATF-35143-TR1G | Broadcom Limited | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | SC-82A, SOT-343 | 4 | 1 | Tape & Reel (TR) | 2005 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | SMD/SMT | EAR99 | 160°C | -65°C | 5.5V | 300mW | DUAL | 鸥翼 | 260 | 80mA | 2GHz | ATF-35143 | SINGLE | 增强型MOSFET | 300mW | SOURCE | 15mA | AMPLIFIER | 5.5V | N-CHANNEL | pHEMT FET | 80mA | -5V | 18dB | 5.5V | 10dBm | 高电子迁移率 | 0.4dB | -5 V | 2V | 无 | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | ATF-58143-BLKG | Broadcom Limited | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | SC-82A, SOT-343 | 4 | 1 | Strip | 2005 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | 150°C | -65°C | 3V | 500mW | DUAL | 鸥翼 | 260 | 100mA | 2GHz | ATF-58143 | 3V | SINGLE | 30mA | 增强型MOSFET | 500mW | SOURCE | AMPLIFIER | 3V | N-CHANNEL | pHEMT FET | 500mA | 1V | 16.5dB | 0.1A | 5V | 高电子迁移率 | 0.5dB | 19 dBm | 1mm | 2.25mm | 1.35mm | 无 | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | ATF-501P8-BLK | Broadcom Limited | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | 8-WFDFN Exposed Pad | 8 | 1 | Bulk | 2014 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 150°C | -65°C | 4.5V | 3.5W | DUAL | 260 | 1A | 2GHz | SINGLE | 280mA | 增强型MOSFET | 3.5W | SOURCE | AMPLIFIER | 4.5V | N-CHANNEL | E-pHEMT | 1A | MO-229 | 800mV | 15dB | 1A | 7V | 29dBm | 高电子迁移率 | 1dB | 无 | Unknown | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ATF-52189-BLK | Broadcom Limited | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | Tin | 表面贴装 | TO-243AA | 4 | 1 | Strip | 2001 | e3 | Obsolete | 2 (1 Year) | 3 | SMD/SMT | EAR99 | 150°C | -65°C | 4.5V | 1.5W | SINGLE | FLAT | 260 | 500mA | 2GHz | 40 | R-PSSO-F3 | SINGLE | 200mA | 增强型MOSFET | 1.5W | SOURCE | AMPLIFIER | 7V | N-CHANNEL | E-pHEMT | 500mA | 1V | 16dB | 0.3A | 4.5V | 7V | 27dBm | 高电子迁移率 | 1.5dB | 280 mV | 无 | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | ATF-38143-TR1G | Broadcom Limited | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | SC-82A, SOT-343 | 4 | 1 | Tape & Reel (TR) | 2012 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 160°C | -65°C | 4.5V | 580mW | DUAL | 鸥翼 | 260 | 145mA | 2GHz | 未说明 | 不合格 | SINGLE | DEPLETION MODE | SOURCE | 10mA | AMPLIFIER | 4.5V | N-CHANNEL | pHEMT FET | 145mA | -4V | 16dB | 12dBm | 高电子迁移率 | 0.4dB | 2V | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ATF-551M4-BLK | Broadcom Limited | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 0505 (1412 Metric) | 4 | 1 | Bulk | 2003 | e4 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | Gold (Au) | 150°C | -65°C | 2.7V | 270mW | BOTTOM | 260 | 100mA | 2GHz | ATF-551M4 | SINGLE | 10mA | DEPLETION MODE | 270mW | AMPLIFIER | 2.7V | N-CHANNEL | pHEMT FET | 100mA | 1V | 17.5dB | 0.1A | 5V | 14.6dBm | 高电子迁移率 | 0.5dB | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ATF-34143-TR1G | Broadcom Limited | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | SC-82A, SOT-343 | 4 | 1 | Tape & Reel (TR) | 2005 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | 160°C | -65°C | 5.5V | 725mW | DUAL | 鸥翼 | 260 | 145mA | 2GHz | ATF-34143 | SINGLE | DEPLETION MODE | 725mW | SOURCE | 60mA | AMPLIFIER | 5.5V | N-CHANNEL | pHEMT FET | 65mA | -5V | 17.5dB | 20dBm | 高电子迁移率 | 0.5dB | 4V | 无 | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ATF-36163-BLKG | Broadcom Limited | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 1 | Tin | 表面贴装 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | 6 | -3.5V | Bulk | 2005 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | SMD/SMT | EAR99 | 150°C | -65°C | 低噪音 | 8541.21.00.75 | 3V | 180mW | DUAL | 鸥翼 | 260 | 40mA | 4GHz | 未说明 | 不合格 | SINGLE | DEPLETION MODE | 180mW | 15mA | AMPLIFIER | 3V | N-CHANNEL | pHEMT FET | 40mA | -3V | 15.8dB | 0.04A | 3V | 3V | 5dBm | 高电子迁移率 | 0.6dB | -3 V | 2V | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||
![]() | ATF-511P8-BLK | Broadcom Limited | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | 8-WFDFN Exposed Pad | 8 | 1 | Bulk | 2012 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | SMD/SMT | EAR99 | 150°C | -65°C | 低噪音 | 4.5V | 3W | DUAL | 无铅 | 260 | 1A | 2GHz | 未说明 | 不合格 | SINGLE | 增强型MOSFET | 3W | SOURCE | 200mA | AMPLIFIER | 4.5V | N-CHANNEL | E-pHEMT | 1A | 1V | 14.8dB | 1A | 4.5V | 7V | 30dBm | 高电子迁移率 | 1.4dB | 280 mV | 800μm | 2.1mm | 2.1mm | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||
![]() | VMMK-1218-BLKG | Broadcom Limited | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 0402 (1005 Metric) | 3 | 砷化镓 | 1 | Strip | 2008 | e3 | Obsolete | 2 (1 Year) | 3 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 150°C | 300mW | BOTTOM | 260 | 100mA | 10GHz | 40 | Single | 增强型MOSFET | 300mW | SOURCE | 20mA | AMPLIFIER | 5V | N-CHANNEL | E-pHEMT | 100mA | 1V | 9dB | 0.1A | 5V | 12dBm | 高电子迁移率 | 0.81dB | 3V | 250μm | 1mm | 500μm | 无 | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ATF-551M4-TR1 | Broadcom Limited | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 0505 (1412 Metric) | 4 | 1 | Tape & Reel (TR) | 2001 | e4 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | Gold (Au) | 150°C | -65°C | 5V | 270mW | BOTTOM | 260 | 100mA | 2GHz | ATF-551M4 | 1412 | 0505 | SINGLE | DEPLETION MODE | 270mW | 10mA | AMPLIFIER | 5V | N-CHANNEL | pHEMT FET | 100mA | 1V | 17.5dB | 0.1A | 5V | 14.6dBm | 高电子迁移率 | 0.5dB | 2.7V | 无 | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ATF-521P8-BLK | Broadcom Limited | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | Tin | 表面贴装 | 8-WFDFN Exposed Pad | 8 | 1 | Bulk | 2014 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | SMD/SMT | EAR99 | 150°C | -65°C | 4.5V | 1.5W | DUAL | 260 | 500mA | 2GHz | SINGLE | 增强型MOSFET | 1.5W | SOURCE | 200mA | AMPLIFIER | 4.5V | N-CHANNEL | pHEMT FET | 500mA | MO-229 | 1V | 17dB | 0.5A | 4.5V | 7V | 26.5dBm | 高电子迁移率 | 1.5dB | 280 mV | 无 | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | ATF-54143-TR1G | Broadcom Limited | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | SC-82A, SOT-343 | 4 | 1 | Tape & Reel (TR) | 2001 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | 150°C | -65°C | 5V | 725mW | DUAL | 鸥翼 | 260 | 120mA | 2GHz | ATF-54143 | SINGLE | 增强型MOSFET | 725mW | SOURCE | 60mA | AMPLIFIER | 3V | N-CHANNEL | pHEMT FET | 120mA | 1V | 16.6dB | 0.12A | 5V | 20.4dBm | 高电子迁移率 | 0.5dB | 无 | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ATF-33143-BLKG | Broadcom Limited | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | SC-82A, SOT-343 | 4 | 1 | Strip | 2009 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | SMD/SMT | EAR99 | 160°C | -65°C | 5.5V | 600mW | DUAL | 鸥翼 | 260 | 305mA | 2GHz | SINGLE | DEPLETION MODE | 600mW | SOURCE | 80mA | AMPLIFIER | 5.5V | N-CHANNEL | pHEMT FET | 305mA | -5V | 15dB | 5.5V | 22dBm | 高电子迁移率 | 0.5dB | -5 V | 4V | 无 | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | VMMK-1225-BLKG | Broadcom Limited | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 0402 (1005 Metric) | 3 | 砷化镓 | 1 | Strip | 2008 | e3 | Obsolete | 2 (1 Year) | 8 | SMD/SMT | EAR99 | Tin (Sn) | 150°C | 250mW | DUAL | 260 | 50mA | 12GHz | 40 | R-XDCC-N8 | Single | 增强型MOSFET | 250mW | SOURCE | 20mA | AMPLIFIER | 5V | N-CHANNEL | E-pHEMT | 50mA | 1V | 11dB | 0.05A | 5V | 8dBm | 高电子迁移率 | 1dB | 2V | 275μm | 1.09mm | 585μm | 无 | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | ATF-50189-BLK | Broadcom Limited | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 1A | Tin | 表面贴装 | TO-243AA | 4 | SOT-89 | 7V | Cut Tape (CT) | 2001 | Obsolete | 2 (1 Year) | SMD/SMT | 150°C | -65°C | 4.5V | 2.25W | 1A | 2GHz | Single | 280mA | 2.25W | 280mA | 7V | E-pHEMT | 1A | 800mV | 15.5dB | 4.5V | 29dBm | 1.1dB | 380 mV | 4.5V | 7V | 1.6mm | 4.6mm | 2.6mm | 无 | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ATF-53189-BLK | Broadcom Limited | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | TO-243AA | 3 | Bulk | 2011 | Obsolete | 2 (1 Year) | SMD/SMT | EAR99 | 150°C | -65°C | 8541.21.00.75 | 4V | 1W | 300mA | 900MHz | 135mA | 7V | E-pHEMT | 300mA | 1V | 17.2dB | 4V | 21.7dBm | 0.8dB | 300 mV | 1.6mm | 4.6mm | 2.6mm | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ATF-521P8-TR1 | Broadcom Limited | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 8-WFDFN Exposed Pad | 8 | 1 | Tape & Reel (TR) | 2014 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 150°C | -65°C | 4.5V | 1.5W | DUAL | 260 | 500mA | 2GHz | SINGLE | 增强型MOSFET | 1.5W | SOURCE | 200mA | AMPLIFIER | 7V | N-CHANNEL | pHEMT FET | 500mA | MO-229 | 1V | 17dB | 0.5A | 7V | 26.5dBm | 高电子迁移率 | 1.5dB | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ATF-54143-BLKG | Broadcom Limited | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | SC-82A, SOT-343 | 4 | 1 | Strip | 2001 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | Tin (Sn) | 150°C | -65°C | 3V | 725mW | DUAL | 鸥翼 | 260 | 120mA | 2GHz | ATF-54143 | SINGLE | 60mA | 增强型MOSFET | 725mW | SOURCE | AMPLIFIER | 3V | N-CHANNEL | pHEMT FET | 120mA | 1V | 16.6dB | 0.12A | 20.4dBm | 高电子迁移率 | 0.5dB | 5V | 1mm | 2.25mm | 1.35mm | 无 | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | ATF-541M4-BLK | Broadcom Limited | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 0505 (1412 Metric) | 4 | 1 | Bulk | 2006 | e4 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | GOLD | 150°C | -65°C | 3V | 360mW | BOTTOM | 260 | 120mA | 2GHz | ATF-541M4 | SINGLE | 60mA | 增强型MOSFET | 360mW | AMPLIFIER | 3V | N-CHANNEL | E-pHEMT | 120mA | 1V | 17.5dB | 0.12A | 5V | 21.4dBm | 高电子迁移率 | 0.5dB | 无 | 无SVHC | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ATF-36077-STR | Broadcom Limited | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Gold | 表面贴装 | 4-SMD (77 Pack) | 4 | 1 | Bulk | 1999 | e4 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | 150°C | -65°C | 低噪音 | 3V | 180mW | RADIAL | FLAT | 260 | unknown | 45mA | 12GHz | 未说明 | 不合格 | SINGLE | 10mA | DEPLETION MODE | SOURCE | AMPLIFIER | 1.5V | N-CHANNEL | pHEMT FET | 25mA | -3V | 12dB | 3V | 5dBm | 高电子迁移率 | 0.5dB | 1.5V | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ATF-531P8-BLK | Broadcom Limited | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 7V | Tin | 表面贴装 | 8-WFDFN Exposed Pad | 8 | 1 | Bulk | 2008 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | SMD/SMT | EAR99 | 150°C | -65°C | 1W | DUAL | 260 | 300mA | 2GHz | ATF-531P8 | SINGLE | 135mA | 增强型MOSFET | 1W | SOURCE | AMPLIFIER | 4V | N-CHANNEL | E-pHEMT | 300mA | MO-229 | 1V | 20dB | 0.3A | 4V | 7V | 24.5dBm | 高电子迁移率 | 0.6dB | 300 mV | 800μm | 2.1mm | 2.1mm | 无 | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||
![]() | ATF-38143-BLKG | Broadcom Limited | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | SC-82A, SOT-343 | 4 | 1 | Strip | 2008 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | 160°C | -65°C | 4.5V | 580mW | DUAL | 鸥翼 | 260 | 145mA | 2GHz | 4.5V | SINGLE | 118mA | DEPLETION MODE | SOURCE | 10mA | AMPLIFIER | 4.5V | N-CHANNEL | pHEMT FET | 145mA | -4V | 16dB | 高电子迁移率 | 0.4dB | 12 dBm | 2V | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ATF-35143-BLKG | Broadcom Limited | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | SC-82A, SOT-343 | 4 | 1 | Strip | 2012 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 4 | EAR99 | 160°C | -65°C | 5.5V | 300mW | DUAL | 鸥翼 | 260 | 80mA | 2GHz | ATF-35143 | SINGLE | 15mA | 增强型MOSFET | SOURCE | AMPLIFIER | 2V | N-CHANNEL | pHEMT FET | 80mA | -5V | 18dB | 10dBm | 高电子迁移率 | 0.4dB | 5.5V | 1mm | 2.25mm | 1.35mm | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 |