类别是'PMIC - 栅极驱动器'
PMIC - 栅极驱动器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 电压 - 额定直流 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 输出的数量 | 资历状况 | 最大输出电流 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 工作电源电流 | 电源电流 | 输出电流 | 最大电源电流 | 输出电流 | 传播延迟 | 输入类型 | 接通延迟时间 | 最大输出电压 | 电压 - 输出 | 上升时间 | 下降时间（典型值） | 上升/下降时间(Typ) | 接口IC类型 | 筛选水平 | 信道型 | 驱动器数量 | 接通时间 | 输出峰值电流限制-名 | 电源电压1-额定值 | 闸门类型 | 峰值输出电流（源极，漏极） | 高边驱动器 | 关断时间 | 内置保护器 | 高压侧电压-最大值(自举) | 输出电流流向 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | EL7242CS-T7 | Intersil (Renesas Electronics America) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | SOIC | Tape & Reel (TR) | 2002 | e0 | Discontinued | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 85°C | -40°C | DUAL | 鸥翼 | 240 | 2 | 15V | not_compliant | 未说明 | 8 | R-PDSO-G8 | 2 | 不合格 | 16V | 15V | INDUSTRIAL | 4.5V | 和基于栅极的mosfet驱动器 | 2A | NO | 3.9116mm | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MIC4427CMTR | Micrel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | SOIC | 8 | Tape & Reel (TR) | 2005 | 150°C | 0°C | 2 | 1.5A | 18V | 4.5V | 50 ns | 40 ps | 30ns | 20 ns | Independent | 2 | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IXDD604SITR | IXYS Integrated Circuits Division | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 0.8V 3V | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad | 8 | 8-SOIC-EP | 540.001716mg | Low-Side | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2014 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 125°C | -40°C | 4.5V~35V | 2 | 4A | 35V | 4.5V | 10μA | 4A | 50 ns | Non-Inverting | 9ns | 8 ns | 9ns 8ns | Independent | 2 | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | 4A 4A | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IGD515EI | Power Integrations | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 0.9V 3.8V | 通孔 | Module | High-Side or Low-Side | -40°C~85°C TA | Bulk | 2010 | SCALE™-1 | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 12V~16V | 40ns 40ns | Single | 1 | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | 15A 15A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HIP6602BCRZ | Intersil (Renesas Electronics America) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | VQFN | 16 | Bulk | 2002 | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 16 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 85°C | 0°C | QUAD | 无铅 | 260 | 2 | 12V | 0.8mm | 30 | 不合格 | 730mA | 5/1212V | OTHER | 13.2V | 10.8V | 4mA | 4mA | 730mA | 50ns | 20 ns | 基于半桥的mosfet驱动器 | 4 | 0.73A | YES | 1mm | 5mm | 5mm | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HIP2100IR4ZT | Intersil (Renesas Electronics America) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | DFN | 12 | 8 ns | 2001 | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 12 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 150°C | -40°C | DUAL | 无铅 | 260 | 1 | 12V | 0.5mm | 30 | 不合格 | 2A | AUTOMOTIVE | 14V | 9V | 2.5mA | 2.5mA | 2A | 8 ns | 10ns | 10 ns | 基于半桥的mosfet驱动器 | 2 | 0.045 µs | 2A | YES | 0.045 µs | 0.9mm | 4mm | 4mm | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HIP4082IBT | Rochester Electronics, LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 1V 2.5V | 表面贴装 | 16-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | Half-Bridge | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | e0 | no | Obsolete | 1 (Unlimited) | 16 | 锡铅 | 8.5V~15V | DUAL | 鸥翼 | 240 | 1 | 12V | 1.27mm | 未说明 | 16 | R-PDSO-G16 | COMMERCIAL | Non-Inverting | 9ns 9ns | 全桥mosfet驱动器 | Independent | 4 | 0.11 µs | 1.4A | N-Channel MOSFET | 1.4A 1.3A | YES | 0.08 µs | 95V | 1.75mm | 9.9mm | 3.9mm | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1SC0450E2B0-45 | Power Integrations | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | Module | High-Side or Low-Side | -40°C~85°C TA | Tray | SCALE™-2 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 14.5V~15.5V | 30ns 25ns | Single | 1 | IGBT | 50A 50A | 4500V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MCP1416T-E/MC | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 2.4V | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-VFDFN Exposed Pad | 8-DFN (2x3) | Low-Side | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2008 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 150°C | -40°C | 4.5V~18V | MCP1416 | 1.5A | Non-Inverting | 20ns 20ns | Single | 1 | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | 1.5A 1.5A | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCP1415T-E/MC | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 2.4V | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-VFDFN Exposed Pad | 8-DFN (2x3) | Low-Side | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2008 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 150°C | -40°C | 4.5V~18V | MCP1415 | 1.5A | Inverting | 20ns 20ns | Single | 1 | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | 1.5A 1.5A | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IXRFD615 | IXYS-RF | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 3.5V | 表面贴装 | 6-SMD, Flat Leads | Low-Side | -40°C~85°C | Tube | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8V~18V | Non-Inverting | 4ns 4ns | Single | 1 | N-Channel, P-Channel MOSFET | 15A 15A | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IXRFD631-NRF | IXYS-RF | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 3.5V | 表面贴装 | 6-SMD, Flat Lead Exposed Pad | Low-Side | -40°C~150°C TJ | Tube | 2013 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8V~18V | Non-Inverting | 4ns 4ns | Single | 1 | N-Channel, P-Channel MOSFET | 30A 30A | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IXDN504SIA | IXYS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 3V | 35 ns | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 449.991981mg | Low-Side | -55°C~150°C TJ | Tube | 2007 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 4.5V~30V | DUAL | 鸥翼 | 2 | 18V | IXD*504 | 8 | 4.5/30V | 10mA | 40 ns | Non-Inverting | 40 ns | 16ns | 14 ns | 9ns 8ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Independent | 2 | 0.06 μs | 4A | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | 4A 4A | NO | 0.05 μs | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | L9380-TR | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | High-Side | 表面贴装 | 表面贴装 | 20-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | 20 | 1V 3V | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | e4 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 20 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 7V~18.5V | DUAL | 鸥翼 | 260 | 3 | 14V | 1.27mm | L9380 | 20 | 14V | 7/18.5V | 2.5mA | 2.5mA | Non-Inverting | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Independent | 3 | 0.005A | N-Channel MOSFET | YES | 2.65mm | 12.8mm | 7.5mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC4427AVPA-VAO | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 2.4V | Automotive grade | 通孔 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | NO | Low-Side | -40°C~125°C TA | Tube | Automotive, AEC-Q100 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 4.5V~18V | DUAL | 2 | TC4427A | R-PDIP-T8 | Non-Inverting | 25ns 25ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | AEC-Q100; TS 16949 | Independent | 2 | 0.05 µs | 1.5A | N-Channel, P-Channel MOSFET | 1.5A 1.5A | NO | 0.05 µs | 5.334mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | LTC4447EDD#PBF | Linear Technology/Analog Devices | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 2.5V 3V | 表面贴装 | 12-WFDFN Exposed Pad | YES | Half-Bridge | -40°C~125°C TJ | Tube | 2008 | e3 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 12 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 4V~6.5V | DUAL | 无铅 | 250 | 1 | 5V | 0.45mm | compliant | 未说明 | LTC4447 | 12 | 不合格 | 5V | Non-Inverting | 8ns 7ns | Synchronous | 2 | 3.2A | 5V | N-Channel MOSFET | 3.2A 3.2A | YES | 42V | 0.8mm | 3mm | 3mm | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MIC4416BM4TR | Micrel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | SOT-143 | 4 | Tape & Reel (TR) | 2005 | 150°C | -40°C | 1 | 1.2A | 18V | 4.5V | 60 ns | 24ns | 28 ns | Single | 1 | Non-RoHS Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NCV7512FTG | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 2V | Low-Side | Automotive grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-LQFP | 32 | 1 μs | -40°C~150°C TJ | Tray | 2008 | Automotive, AEC-Q100, FLEXMOS™ | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 32 | EAR99 | Tin (Sn) | 4.75V~5.25V | QUAD | 鸥翼 | 1 | 3.3V | 0.8mm | NCV7512 | 32 | 5.25mA | 5V | 5mA | 5mA | Non-Inverting | 1 μs | 1.4μs | 1.4 μs | 1.4μs 1.4μs Max | 基于缓冲器或反相器的外设驱动器 | Independent | 4 | 5V | N-Channel MOSFET | TRANSIENT | SINK | 1.6mm | 7mm | 7mm | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXA611S3T/R | IXYS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 35 Weeks | 6V 7V | 表面贴装 | 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | 16-SOIC | Half-Bridge | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2004 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 10V~35V | IX*611 | Non-Inverting | 23ns 22ns | Independent | 2 | IGBT, N-Channel MOSFET | 600mA 600mA | 650V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXDF602SITR | IXYS Integrated Circuits Division | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 0.8V 3V | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad | 8 | 8-SOIC-EP | Low-Side | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2014 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 125°C | -40°C | 4.5V~35V | 2 | 2A | 35V | 4.5V | 60 ns | Inverting, Non-Inverting | 15ns | 15 ns | 7.5ns 6.5ns | Independent | 2 | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | 2A 2A | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXDD404SI | IXYS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 2.5V | 39 ms | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 449.991981mg | Low-Side | -55°C~150°C TJ | Tube | 2004 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 4.5V~35V | DUAL | 鸥翼 | 2 | 18V | IXD*404 | 8 | 3mA | 4A | Non-Inverting | 40 μs | 18ns | 17 ns | 16ns 13ns | 基于缓冲器或反相器的外设驱动器 | Independent | 2 | 0.06 μs | 4A | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | 4A 4A | 0.059 μs | TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1SC0450E2A0-45 | Power Integrations | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | Module | High-Side or Low-Side | -40°C~85°C TA | Tray | 2016 | SCALE™-2 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 14.5V~15.5V | 30ns 25ns | Single | 1 | IGBT | 50A 50A | 4500V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
.png) | SI9750CY-T1-E3 | Vishay | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 5 μs | 表面贴装 | SOIC | 900mW | Tape & Reel (TR) | e3 | yes | 1 (Unlimited) | 16 | EAR99 | 哑光锡 | 70°C | 0°C | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 40 | 16 | COMMERCIAL | 13V | 2.9V | 5 μs | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | 1 | YES | 9.9mm | 3.9mm | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HIP6603BCBZ-T | Intersil (Renesas Electronics America) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | SOIC | 8 | Tape & Reel (TR) | 2001 | e3 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 85°C | 0°C | 12V | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 12V | 30 | 8 | 不合格 | 730mA | OTHER | 13.2V | 10.8V | 730mA | 50ns | 20 ns | 基于半桥的mosfet驱动器 | 2 | 0.73A | YES | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HIP4086APZ | Intersil (Renesas Electronics America) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 3 Weeks | 通孔 | PDIP | 24 | Bulk | 1996 | e3 | 活跃 | 24 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 125°C | -40°C | 测试结温 | 8542.39.00.01 | DUAL | NOT APPLICABLE | 1 | 12V | 2.54mm | NOT APPLICABLE | 不合格 | 1.5A | AUTOMOTIVE | 95V | 7V | 3.6mA | 10.5mA | 500mA | 80V | 101.3V | 20ns | 10 ns | 基于半桥的mosfet驱动器 | 6 | 0.1 μs | 1.1A | YES | 0.1 μs | 4.95mm | 32.51mm | 7.11mm | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 |