类别是'存储器 - 模块'
存储器 - 模块 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 表面安装 | 终端数量 | Clock Frequency (fc) | 操作温度 | JESD-609代码 | 无铅代码 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 附加功能 | HTS代码 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 电源电压-最大值(Vsup) | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 内存大小 | 操作模式 | 电源电流-最大值 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 筛选水平 | 并行/串行 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 通用闪存接口 | 长度 | 宽度 | ||||||||||||||||||||
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PM25LV010-33SCE | Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | YES | 活跃 | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC | 33 MHz | 131072 words | 128000 | 85 °C | PLASTIC/EPOXY | SOP | SOP8,.25 | RECTANGULAR | 小概要 | 8 | 有 | EAR99 | NOR型号 | 8542.32.00.51 | DUAL | 鸥翼 | 1.27 mm | compliant | R-PDSO-G8 | 不合格 | OTHER | 0.03 mA | 128KX8 | 8 | 0.00005 A | 1048576 bit | SERIAL | FLASH | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | HARDWARE/SOFTWARE | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
W25Q512JVEJQ | Winbond Electronics Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | WINBOND ELECTRONICS CORP | 有 | compliant | FLASH | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EN29LV040A-70SCP | Elite Semiconductor Memory Technology Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | YES | 活跃 | ELITE SEMICONDUCTOR MICROELECTRONICS TECHNOLOGYINC | TSOP1-32 | 70 ns | 524288 words | 512000 | 70 °C | PLASTIC/EPOXY | TSOP1 | TSSOP32,.56,20 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 3 V | 32 | 有 | EAR99 | NOR型号 | 8542.32.00.51 | DUAL | 鸥翼 | 1 | 0.5 mm | unknown | R-PDSO-G32 | 不合格 | 3.6 V | COMMERCIAL | 2.7 V | ASYNCHRONOUS | 0.012 mA | 512KX8 | 1.2 mm | 8 | 0.000005 A | 4194304 bit | PARALLEL | FLASH | 3 V | 100000 Write/Erase Cycles | YES | YES | YES | 8 | 64K | 12.4 mm | 8 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||
CXDQ3BFAM-CQ-A | CXMT | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tray | true | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FSNS8A001G-TWT | FORESEE | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tray | 40MHz | true | -40℃~+85℃ | 3.3V | 1Gbit | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AD24C02 | IDCHIP | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tape & Reel (TR) | true | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CSNP1GCR01-AOW | Creat Storage World | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tray | 50MHz | true | -40℃~+85℃ | 2.7V~3.6V | 1Gbit | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AM29F010B-70JF | Intel Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | YES | INTEL CORP | LCC-32 | 70 ns | 131072 words | 128000 | 85 °C | -40 °C | PLASTIC/EPOXY | QCCJ | LDCC32,.5X.6 | RECTANGULAR | CHIP CARRIER | 5 V | 32 | 活跃 | NOR型号 | QUAD | J BEND | 1 | 1.27 mm | compliant | R-PQCC-J32 | 5.5 V | 4.5 V | ASYNCHRONOUS | 0.04 mA | 128KX8 | 3-STATE | 3.556 mm | 8 | 0.000005 A | 1048576 bit | PARALLEL | FLASH | 5 V | 1000000 Write/Erase Cycles | 0.00007 ms | 20 | YES | YES | YES | 8 | 16K | 13.97 mm | 11.43 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||
AM29LV200BB-70EI | AMD | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | YES | Transferred | ADVANCED MICRO DEVICES INC | TSOP1 | TSOP1, TSSOP48,.8,20 | 70 ns | 131072 words | 128000 | 85 °C | -40 °C | PLASTIC/EPOXY | TSOP1 | TSSOP48,.8,20 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 3 V | 48 | 无 | e0 | EAR99 | NOR型号 | Tin/Lead (Sn/Pb) | MINIMUM 1000K WRITE CYCLES; 20 YEAR DATA RETENTION; CAN ALSO BE CONFIGURED AS 128K X 16 | 8542.32.00.51 | DUAL | 鸥翼 | 1 | 0.5 mm | unknown | 48 | R-PDSO-G48 | 不合格 | 3.6 V | INDUSTRIAL | 2.7 V | ASYNCHRONOUS | 0.03 mA | 128KX16 | 1.2 mm | 16 | 0.000005 A | 2097152 bit | PARALLEL | FLASH | 3 V | 1000000 Write/Erase Cycles | 20 | 8 | YES | YES | YES | 1,2,1,3 | 16K,8K,32K,64K | YES | BOTTOM | 18.4 mm | 12 mm | ||||||||||||||||||||
EN25QH64A-104HIP | Elite Semiconductor Memory Technology Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | YES | 活跃 | ELITE SEMICONDUCTOR MICROELECTRONICS TECHNOLOGYINC | SOP, SOP8,.3 | 104 MHz | 8388608 words | 8000000 | 85 °C | -40 °C | PLASTIC/EPOXY | SOP | SOP8,.3 | SQUARE | 小概要 | 3 V | 8 | 有 | EAR99 | NOR型号 | 8542.32.00.51 | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 1 | 1.27 mm | unknown | 未说明 | S-PDSO-G8 | 3.6 V | INDUSTRIAL | 2.7 V | SYNCHRONOUS | 0.035 mA | 8MX8 | 3-STATE | 2.2 mm | 8 | 0.00002 A | 67108864 bit | SERIAL | FLASH | 3 V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 1 | 5.275 mm | 5.275 mm | ||||||||||||||||||||||||||||
EN25QH16B-104HIP | Elite Semiconductor Memory Technology Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | YES | 活跃 | ELITE SEMICONDUCTOR MEMORY TECHNOLOGY INC | SOP-8 | 104 MHz | 2097152 words | 2000000 | 85 °C | -40 °C | PLASTIC/EPOXY | SOP | SQUARE | 小概要 | 3 V | 8 | 有 | EAR99 | 8542.32.00.51 | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 1 | 1.27 mm | unknown | 未说明 | S-PDSO-G8 | 3.6 V | INDUSTRIAL | 2.7 V | SYNCHRONOUS | 2MX8 | 2.2 mm | 8 | 16777216 bit | SERIAL | FLASH | 3 V | 5.275 mm | 5.275 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
THGBMJG6C1LBAB7 | KIOXIA | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | YES | KIOXIA HOLDINGS CORP | VFBGA-153 | 8589934592 words | 8000000000 | 105 °C | -40 °C | RECTANGULAR | 活跃 | EAR99 | NOR型号 | 8542.32.00.51 | BOTTOM | BALL | 1 | unknown | R-PBGA-B | 3.6 V | INDUSTRIAL | 2.7 V | 8GX8 | 1 mm | 8 | 68719476736 bit | AEC-Q100 | 闪存卡 | 13 mm | 11.5 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BL24C512B-PARC | BL(Shanghai Belling) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tape & Reel (TR) | true | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BL24C256AE0-PARC | BL(Shanghai Belling) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tape & Reel (TR) | true | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
K4U6E3S4AB-MGCL | Samsung | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tray | true | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
K4UCE3Q4AA-MGCL | Samsung | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tape & Reel (TR) | true | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
K4FBE3D4HM-THCL | Samsung | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tape & Reel (TR) | true | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
P24C08C-SSH-MIR | PUYAï¼ | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tape & Reel (TR) | true | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
JS28F640J3F75 | Micron Technology Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | YES | Obsolete | MICRON TECHNOLOGY INC | TSOP | TSOP-56 | 75 ns | 4194304 words | 4000000 | 85 °C | -40 °C | PLASTIC/EPOXY | TSSOP | TSSOP56,.8,20 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 3 V | 56 | 有 | e3 | 有 | EAR99 | NOR型号 | 哑光锡 | 8542.32.00.51 | DUAL | 鸥翼 | 1 | 0.5 mm | compliant | 56 | R-PDSO-G56 | 不合格 | 3.6 V | INDUSTRIAL | 2.7 V | ASYNCHRONOUS | 0.054 mA | 4MX16 | 1.2 mm | 16 | 0.00012 A | 67108864 bit | PARALLEL | FLASH | 2.7 V | 8 | NO | NO | YES | 64 | 128K | 4/8 words | YES | YES | 18.4 mm | 14 mm | |||||||||||||||||||||
EN25T16A-75QIP | Eon Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | NO | EON SILICON SOLUTION INC | DIP, | 75 MHz | 2097152 words | 2000000 | 85 °C | -40 °C | PLASTIC/EPOXY | DIP | RECTANGULAR | IN-LINE | 3 V | 8 | Transferred | EAR99 | NOR型号 | 8542.32.00.51 | DUAL | THROUGH-HOLE | 1 | 2.54 mm | unknown | R-PDIP-T8 | 3.6 V | INDUSTRIAL | 2.7 V | SYNCHRONOUS | 2MX8 | 5.334 mm | 8 | 16777216 bit | SERIAL | FLASH | 2.7 V | 9.271 mm | 7.62 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SST39VF1601C-70-4I-EKE | Silicon Storage Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | YES | SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC | TSOP1 | TSOP-48 | 70 ns | 1048576 words | 1000000 | 85 °C | -40 °C | PLASTIC/EPOXY | TSSOP | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 3 V | 48 | Transferred | EAR99 | 8542.32.00.51 | DUAL | 鸥翼 | 1 | 0.5 mm | unknown | 48 | R-PDSO-G48 | 不合格 | 3.6 V | INDUSTRIAL | 2.7 V | ASYNCHRONOUS | 1MX16 | 1.2 mm | 16 | 16777216 bit | PARALLEL | FLASH | 2.7 V | 18.4 mm | 12 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S29GL256P10FFI013 | Cypress Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | YES | Transferred | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP | LBGA, BGA64,8X8,40 | 100 ns | 3 | 16777216 words | 16000000 | 85 °C | -40 °C | PLASTIC/EPOXY | LBGA | BGA64,8X8,40 | RECTANGULAR | GRID ARRAY, LOW PROFILE | 3 V | 64 | 有 | e1 | EAR99 | NOR型号 | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 8542.32.00.51 | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | 1 mm | compliant | 40 | R-PBGA-B64 | 不合格 | 3.6 V | INDUSTRIAL | 2.7 V | ASYNCHRONOUS | 0.11 mA | 16MX16 | 3-STATE | 1.4 mm | 16 | 0.000005 A | 268435456 bit | PARALLEL | FLASH | 3 V | 8 | YES | YES | YES | 256 | 128K | 8/16 words | YES | BOTTOM/TOP | YES | 13 mm | 11 mm | |||||||||||||||||||
M29W160ET70N6 | SGS Semiconductor Ltd | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
M29W160ET70N6 | Micron Technology Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | YES | Obsolete | MICRON TECHNOLOGY INC | TSOP | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 | 70 ns | 1048576 words | 1000000 | 85 °C | -40 °C | PLASTIC/EPOXY | TSSOP | TSSOP48,.8,20 | RECTANGULAR | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 3 V | 48 | 无 | e0 | 无 | EAR99 | NOR型号 | 锡铅 | TOP BOOT BLOCK | 8542.32.00.51 | DUAL | 鸥翼 | 1 | 0.5 mm | unknown | 48 | R-PDSO-G48 | 不合格 | 3.6 V | INDUSTRIAL | 2.7 V | ASYNCHRONOUS | 0.02 mA | 1MX16 | 1.2 mm | 16 | 0.0001 A | 16777216 bit | PARALLEL | FLASH | 3 V | 8 | YES | YES | YES | 1,2,1,31 | 16K,8K,32K,64K | YES | TOP | YES | 18.4 mm | 12 mm | ||||||||||||||||||||
SDINBDV4-256G | Western Digital Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 |