类别是'射频放大器'
射频放大器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 材料 | 形状 | 包装冷却 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 系列 | 尺寸/尺寸 | 容差 | JESD-609代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 温度系数 | 类型 | 电阻 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 组成 | 应用 | 性别 | 功率(瓦特) | 附加功能 | 电容量 | 子类别 | 最大功率耗散 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 入口保护 | 结构 | Reach合规守则 | 额定电流 | 频率 | 频率稳定性 | 输出量 | 参考标准 | 终端样式 | JESD-30代码 | 功能 | 基本谐振器 | 最大电流源 | 执行器类型 | 工作频率 | 引线长度 | 工作电源电压 | ESR（等效串联电阻） | 电路 | 失败率 | 开关功能 | 引线间距 | 面板开孔尺寸 | 配置 | 颜色 - 执行器/盖 | 铅直径 | 照明电压（标称） | 照明类型，颜色 | 测试频率 | 工作电源电流 | 负载电容 | 导线/电缆种类 | 电缆长度 | 操作模式 | 箱体转运 | 频率容差 | 扩频带宽 | 输出功率 | 机械寿命 | 电流源 | 晶体管应用 | 漏源电压 (Vdss) | 极性/通道类型 | 产品类别 | 栅极至源极电压(Vgs) | 增益 | 最高频率 | 射频/微波器件类型 | 漏源击穿电压 | DS 击穿电压-最小值 | 场效应管技术 | 工作频率-最小值 | 绝对牵引范围 (APR) | 射频类型 | 输入功率-最大(CW) | 外径 | 特性阻抗 | 噪声图 | P1dB | 最高频段 | 媒体交付类型 | 最小击穿电压 | 许可证 - 用户详情 | 套管类型 | 许可证长度 | 特征 | 版 | 产品类别 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 长度（英寸） | 无铅 | 评级结果 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | F1458NKGK8 | Renesas | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | F1458 | 活跃 | Axial | Axial | Renesas Electronics America Inc | Tape & Reel (TR) | -65°C ~ 175°C | Bulk | Military, MIL-PRF-55182/01, RNC55 | 0.094 Dia x 0.250 L (2.39mm x 6.35mm) | ±1% | 活跃 | 2 | ±100ppm/°C | 549 Ohms | Metal Film | 0.125W, 1/8W | R (0.01%) | Military, Moisture Resistant, Weldable | -- | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SC1879BE | Analog Devices | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | SC1879 | Obsolete | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | Tube | * | 活跃 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A331 | KEMET | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 推销 | Aluminium | Fins, Square | ASIC | Compliant | 59.9948 mm | 59.9948 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ALMGA002BLKG | AVAGO | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | * | 活跃 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 3432KMLG | Broadcom | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Compliant | 1 | Broadcom Limited | Broadcom / Avago | Tray | 活跃 | 音频放大器 | Broadcom Limited | Round | * | 音频集成电路 | 音频放大器 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF8G10LS-160V，112 | Nexperia | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | Compliant | 7 | 1 | 200 °C | -65 °C | 960 MHz | 160 W | 65 V | 13 V | 19.7 dB | 960 MHz | 65 V | 65 V | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CA24 | Philmore | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CA64 | Philmore | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Cable | Non-Compliant | Male | 跳线 | 1.828 m | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CA32 | Philmore | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| F0110NBTI8 | Renesas | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | F0110 | 活跃 | 4000 | Renesas Electronics | Renesas Electronics | Details | 射频放大器 | 表面贴装 | 16-WQFN Exposed Pad | - | Renesas Electronics America Inc | Tape & Reel (TR) | Reel | - | 低噪声放大器 | Wireless & RF Integrated Circuits | 4.75V ~ 5.25V | 1.5GHz ~ 2.3GHz | 1.5GHz ~ 2.3GHz | 110mA | 20.5dB | 0.5dB | 22dBm | 射频放大器 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A101 | MACOM | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | MACOM | MACOM | Tray | 活跃 | 射频放大器 | 通孔 | TO-8 Style, 4 Lead | TO-8B | MACOM技术解决方案 | 10 | Bulk | A101 | Wireless & RF Integrated Circuits | Si | 12V | 3MHz ~ 120MHz | 3MHz ~ 120MHz | 105mA | 17dB | 通用型 | 3dB | 23dBm | 射频放大器 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CA411 | MACOM | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | MACOM | MACOM | N | Tray | 活跃 | 射频放大器 | Module, SMA Connectors | - | Alloy Steel | MACOM技术解决方案 | 1 | CA411 | Wireless & RF Integrated Circuits | Si | 15V | 5MHz ~ 450MHz | 5MHz ~ 450MHz | 16mA | 15.8dB | 通用型 | 3dB | 10dBm | 射频放大器 | 7/8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MMA052PP45 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tray | MMA052 | 活跃 | 1 | 微芯片技术 | Details | 射频放大器 | 表面贴装 | 32-VFQFN Exposed Pad | 32-QFN (4.5x4.5) | 微芯片技术 | Sick | - | Wireless & RF Integrated Circuits | 10V | 0Hz ~ 24GHz | 0Hz ~ 6GHz | 235mA | 14dB | 通用型 | 4.5dB | 27.5dBm | 射频放大器 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PA38 | MACOM | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Cutler Hammer, Div of Eaton Co | Tray | 活跃 | 10 | MACOM | Details | 射频放大器 | TO-8 Style, 4 Lead | TO-8 | MACOM技术解决方案 | HT8ABY | Bulk | PA38 | Wireless & RF Integrated Circuits | 578 mW | GaAs | 15V | 200MHz ~ 2.4GHz | 200MHz ~ 2.4GHz | 150mA | 10dB | 通用型 | 4dB | 23dBm | 射频放大器 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A87 | MACOM | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Maurey Power Transmission | Tray | 活跃 | 10 | MACOM | Details | 射频放大器 | TO-8 Style, 4 Lead | TO-8 | Cast Iron | MACOM技术解决方案 | 3B5.2 | Bulk | A87 | Wireless & RF Integrated Circuits | Si | 15V | 5MHz ~ 450MHz | 5MHz ~ 450MHz | 33mA | 14dB | 通用型 | 5.55 Inches | 3.8dB | 17.5dBm | SD | 射频放大器 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| RA46 | MACOM | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tray | 活跃 | 1 | MACOM | Details | 射频放大器 | 通孔 | TO-8 Style, 4 Lead | TO-8 | MACOM技术解决方案 | Miscellaneous | RA46 | Wireless & RF Integrated Circuits | Si | 15V | 800MHz ~ 4.2GHz | 800MHz ~ 4.2GHz | 175mA | 25.5dB | 通用型 | 4.5dB | 19dBm | 射频放大器 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AH102A-G | Qorvo | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 85 °C | 有 | 3000 MHz | AH102A-G | WJ Communications Inc | Transferred | WJ COMMUNICATIONS INC | 5.66 | -40 °C | * | e4 | 活跃 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | HIGH RELIABILITY | COMPONENT | unknown | 12.5 dB | 宽带中功率 | 350 MHz | 17 dBm | 50 Ω | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AVT55689BLKG | AVAGO | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | -- | * | 活跃 | -- | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A41-1 | TriQuint | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | CE, CSA, UL | Cutler Hammer, Div of Eaton Corp | Panel | PDG34MH400E3CL | 400 A | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AFSC5G26F38T2 | NXP | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Obsolete | - | - | 2000 | 935401129528 | NXP | 恩智浦半导体 | Details | 射频放大器 | Infineon Technologies | Tray | Reel | - | License | - | Wireless & RF Integrated Circuits | - | - | - | - | 射频放大器 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LA45 | MACOM | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | 1 | MACOM | MACOM | Details | 射频放大器 | 表面贴装 | 4-SMD, No Lead | TO-8 | SiTime | Strip | -20°C ~ 70°C | SiT8208 | 0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm) | XO (Standard) | Wireless & RF Integrated Circuits | Si | 1.8V | 20 MHz | ±25ppm | LVCMOS, LVTTL | Enable/Disable | MEMS | 31mA | 800MHz ~ 4.2GHz | - | 110mA | 11.5dB | - | 通用型 | 8dB | 14dBm | 射频放大器 | 0.031 (0.80mm) | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| A3M35TL039T2 | NXP | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 50,000 Cycles | 2000 | 935404496528 | NXP | 恩智浦半导体 | Details | 射频放大器 | Through Hole, Right Angle, Vertical | 28V | -30°C ~ 85°C | Bulk | 38E | 活跃 | Standard | Wireless & RF Integrated Circuits | IP68 - Dust Tight, Waterproof | 1A (AC/DC) | PC引脚 | Round, Plunger | 单刀双掷 | On-Mom | -- | White | -- | -- | -- | 环氧树脂密封端子 | 射频放大器 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BLF7G21LS-160，118 | NXP | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | TD4.7M6.3 | NTE Electronics | 无 | FLATPACK, R-CDFP-F4 | FLATPACK | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 未说明 | 有 | RECTANGULAR | 2 | Obsolete | AMPLEON NETHERLANDS B V | 5.67 | YES | 4 | SILICON | Disc | EAR99 | Solid Tantalum | 4.7u Farads | DUAL | FLAT | 未说明 | unknown | IEC-60134 | R-CDFP-F4 | 0.394 | 0.1 | COMPLEX | 0.019 | 增强型MOSFET | SOURCE | AMPLIFIER | N-CHANNEL | 65 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | S带 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BGB 719N7ESD E6327 | Infineon | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | + 150 C | - 55 C | 7500 | SMD/SMT | 1.2 dB | - 6 dBm | BGB719N7ESDE6327XT SP000942784 BGB719N7ESDE6327XT BGB719N7ESDE6327XTMA1 | Infineon | Infineon Technologies | - 14 dBm | Details | 射频放大器 | 表面贴装 | 4-SMD, No Lead | PG-TSNP-7-6 | Suntsu Electronics, Inc. | Bulk | -20°C ~ 70°C | MouseReel | SXT324 | 0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm) | 兆赫晶体 | Wireless & RF Integrated Circuits | SiGe | 3V | 28.63636 MHz | ±50ppm | 10 MHz to 1 GHz | 1.5 V to 4 V | 50 Ohms | 100 MHz | 2.8 mA | 11pF | Fundamental | ±50ppm | 2.8mA | 13.5 dB | FM | 1.2dB | -6dBm | 射频放大器 | 0.031 (0.80mm) | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BGU8053115 | NXP | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | 表面贴装 | 8-WFDFN Exposed Pad | 8-HWSON (2x2) | PEI-Genesis | Bulk | * | 4.75V ~ 5.25V | 2GHz ~ 6GHz | 2.5GHz | 48mA | 20dB | GSM, LTE, WCDMA | 0.56dB | 18dBm |