null 产品销售 - PDF - null - 页 167 - 深圳市佳达源电子有限公司

类别是'存储卡'

存储卡 (4950)

产品型号	品牌	数据表	有效性	单价(CNY)	询价	工厂交货时间	包装/外壳	表面安装	终端数量																									厂商																																																	包装	系列	无铅代码	零件状态	ECCN 代码	附加功能	HTS代码	端子位置	终端形式
KSM24SED8/16ME	Kingston Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	4 Weeks, 2 Days	DRAM模块	16Gbyte	18	8G	72	2400	1Gx8	FBGA	1.2	1530	0	85	有	Dual	17	SODIMM	Socket	30	69.6	3.7(Max)	260	SODIMM-260	微电子组件	2000000000	UNSPECIFIED	85 °C	5.59	KINGSTON TECHNOLOGY COMPANY INC	接触制造商	Kingston Technology Company	RECTANGULAR	DIMM	1.2 V	2147483648 words	KSM24SED8/16ME		NO	260		EAR99				Obsolete		WD-MAX		CMOS	DUAL	无铅		1		unknown	260	R-XDMA-N260			OTHER			1	SYNCHRONOUS	2Gx72	30.12 mm	72		154618822656 bit		DDR内存模块		多库页面突发			260SODIMM	69.6 mm	3.7 mm	是,有豁免
M393A2G40DB1-CRC10	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	DRAM模块	16Gbyte	36	4G	72	2400	1Gx4	78FBGA	1.14	1.2	1.26	2750	无	Dual	17	RDIMM	Socket	31.25	133.35	4.3(Max)	288						EAR99				Obsolete											288									2Gx72											288RDIMM			符合RoHS标准
MT9HTF3272AY-53EB3	Micron Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	DRAM模块	256Mbyte	9	256M	72	0.05	533	32Mx8	1.7	1.8	1.9	1440	0	85	Commercial	有	Single	4	DIM	UDIMM	Socket	30.5(Max)	133.5(Max)	2.7(Max)	240	No Lead						4A994.a	Tray			Obsolete											240									32Mx72											240UDIMM			是,有豁免
M391B1G73EB0-YK000	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	8473.30.51.00	DRAM模块	8Gbyte	18	4G	64	1600	512Mx8	78FBGA	1.35	0	85	Commercial	有	Dual	11	UDIMM	Socket	30	133.35	4(Max)	240						4A994.a				Obsolete											240									1Gx64											240UDIMM			符合RoHS标准
M474B5173QH0-YK000	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	8473.30.51.00	DRAM模块	4Gbyte	9	4G	72	1600	512Mx8	78FBGA	1.283/1.425	1.35/1.5	1.45/1.575	0	95	有	Single	11						4A994.a				Obsolete																				512Mx72											204USODIMM
VL33A2K60A-N6S	Virtium LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	DRAM模块	16Gbyte	36	4G	72	2133	1Gx4	BGA	1.14	1.2	1.26	1792	0	95	Commercial	Double	有	Dual	16	15	PC4-17100	有	RDIMM	Socket	31.25	133.35	3.9(Max)	288						4A994.a															288									2Gx72					有				有		288RDIMM
M378A1G43DB0-CPB000	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	8473.30.11.40	DRAM模块	8Gbyte	16	4G	64	2133	512Mx8	1.14	1.2	1.26	920	Double	Dual	15	无	DIM	UDIMM	Socket	31.25	133.35	3.9(Max)	288	No Lead						EAR99				Obsolete											288									1Gx64					无				有		288UDIMM			符合RoHS标准
KVR16LR11S8L/4	Kingston Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	DRAM模块	4Gbyte	9	4G	72	800	512Mx8	FBGA	1.28/1.425	1.35/1.5	1.45/1.575	0	85	Double	有	Single	11	PC3L-12800	有	DIM	RDIMM	Socket	18.75	133.35	240	No Lead						EAR99				Obsolete											240									512Mx72					有				有		240RDIMM			供应商未确认
MT4HTF6464HY-53EE1	Micron Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	DRAM模块	512Mbyte	4	1G	64	533	64Mx16	1.7	1.8	1.9	720	0	70	Commercial	Single	无	Single	8	4	PC2-4200	有	DIM	SODIMM	Socket	30(Max)	67.75(Max)	2.45(Max)	200	No Lead						EAR99	Tray			Obsolete											200									64Mx64					无		8K		有		200SODIMM			是,有豁免
M393A2G40DB0-CPB20	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	8473.30.11.40	DRAM模块	16Gbyte	36	4G	72	1066	1Gx4	FBGA	1.2	0	85	Commercial	Double	有	Dual	15	PC4-2133	DIM	RDIMM	Socket	31.25	133.35	3.9(Max)	288	No Lead						EAR99				Obsolete											288									2Gx72											288RDIMM			符合RoHS标准
KVR16LS11/8BK	Kingston Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	8473.30.11.40	DRAM模块	8Gbyte	16	4G	64	1600	512Mx8	FBGA	1.28/1.425	1.35/1.5	1.45/1.575	0	85	Double	无	Dual	11	PC3L-12800	无						EAR99				活跃																				1Gx64					无				有		204SODIMM			是,有豁免
KVR1333D3E9S/1GI	Kingston Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	DRAM模块	1Gbyte	9	1G	72	1333	128Mx8	FBGA	1.425	1.5	1.575	0	85	Single	有	8	9	PC3-10600	无	DIM	DIMM	Socket	30	133.35	240	No Lead						EAR99				Obsolete											240									128Mx72					无				无		240DIMM			供应商未确认
96SD-512M400NN-TR \| DDR MEMORY MODULE	Advantech	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	DRAM模块	512Mbyte	8	512M	400	64Mx8	1.5	无	DIM	SODIMM	Socket	31.75	200	No Lead						EAR99				Obsolete											200																				200SODIMM			供应商未确认
M393A2K40CB1-CRC4Y	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	8473.30.11.40	DRAM模块	16Gbyte	18	8G	72	1200	2Gx4	78FBGA	1.14	1.2	1.26	1613	Double	有	Single	16	17	无	RDIMM	Socket	31.25	133.35	1.4 + 2.8(Max)	288						EAR99				活跃											288									2Gx72					无				有		288RDIMM			符合RoHS标准
W332M64V-100SBI	Microsemi	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	DRAM模块	256Mbyte	4	512M	64	7	100	PBGA	3	3.3	3.6	460	-40	85	Industrial	无	4	3\|2	无	BGA	表面贴装	2.27(Max)	22.15(Max)	13.15(Max)	208	BGA,	网格排列	32000000	PLASTIC/EPOXY	-40 °C	30	7 ns	85 °C	无	W332M64V-100SBI	33554432 words	3.3 V	BGA	RECTANGULAR	Microsemi Corporation	Transferred	MICROSEMI CORP	5.37	BGA			YES	208		4A994.a			无	Unconfirmed	EAR99	AUTO/SELF REFRESH; LG-MAX; WD-MAX; SEATED HT-CALCULATED	8542.32.00.36	CMOS	BOTTOM	BALL	225	1	1 mm	unknown	208	R-PBGA-B208	不合格	3.6 V	INDUSTRIAL	3 V		1	SYNCHRONOUS	32Mx64	2.77 mm	64		2147483648 bit	无	同步剧	8K	多库页面突发	有		22.15 mm	13.15 mm
M393A8K40B21-CTC0Q	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	DRAM模块	64Gbyte	36	8G	72	2400	78FBGA	1.14	1.2	1.26	3848	无	Quad	17	RDIMM	Socket	31.25	133.35	4.1(Max)	288						EAR99				活跃											288									8Gx72											288RDIMM			符合RoHS标准
TS512MLK64W6H	Transcend Information	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	DRAM模块	4Gbyte	8	4G	64	1600	512Mx8	无	11	DIM	UDIMM	Socket	240	No Lead						EAR99				活跃											240									512Mx64					无						240UDIMM			符合RoHS标准
M393A1G40EB2-CTD	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	DRAM模块	8Gbyte	18	4G	72	1333	1Gx4	1.14	1.2	1.26	Double	有	Single	16	19	无	RDIMM	Socket	31.25	133.35	1.4 + 2.8(Max)	288						EAR99				活跃											288									1Gx72					无				有		288RDIMM			符合RoHS标准
M393A1K43BB0-CRC	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	DRAM模块	8Gbyte	9	8G	72	2400	1Gx8	78FBGA	1.14	1.2	1.26	1323	Double	有	Single	17	无	DIM	RDIMM	Socket	31.25	133.35	4.3(Max)	288	No Lead	DIMM,	微电子组件	1000000000	UNSPECIFIED	未说明	有	M393A1K43BB0-CRC	1073741824 words	1.2 V	DIMM	RECTANGULAR	三星半导体	Obsolete	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	5.83			NO	288		EAR99				Obsolete		AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX		CMOS	DUAL	无铅	未说明	1		compliant	288	R-XDMA-N288		1.26 V		1.14 V		1	SYNCHRONOUS	1Gx72	31.4 mm	72		77309411328 bit	无	DDR内存模块		单库页面突发	有		288RDIMM	133.35 mm	4.1 mm	符合RoHS标准
MTA18ASF2G72HZ-2G6E4	Micron Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	DRAM模块	16Gbyte	18	8G	72	2666	1Gx8	1.14	1.2	1.26	1629	0	95	Commercial	Double	有	Dual	16	19	有	SODIMM	Socket	30.13(Max)	69.73(Max)	3.7(Max)	260	100	美光技术	Micron	Tray	MTA18	2666	活跃	DDR4 SDRAM	内存模块		260-SODIMM			Micron Technology Inc.	8473.30.11.40		DDR4 SDRAM		Unconfirmed											260						16GB			2Gx72								有	内存模块	260SODIMM			符合RoHS标准
KVR667D2N5/2G	Kingston Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	8473.30.20.00	DRAM模块	2Gbyte	16	1G	64	667	128Mx8	FBGA	1.7	1.8	1.9	Double	无	5	无	DIM	DIMM	Socket	30	133.35	4	240	No Lead	,	KVR667D2N5/2G	Kingston Technology Company	Obsolete	KINGSTON TECHNOLOGY COMPANY INC	5.84						EAR99				Obsolete										unknown	240									256Mx64					无						240DIMM			是,有豁免
TS8D30AR00SNS	Transcend Information	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	8473.30.11.40	DRAM模块	8Gbyte	4G	64	1600	512Mx8	FBGA	1.425	1.5	1.575	880	0	85	无	Dual	SODIMM	Socket	30	63.6	204	1600(MHz)	85C	8GByte(b)	Commercial	SODIMM	0C to 85C	64(b)	1.575(V)	1.5(V)	无	1.425(V)	0C	DRAM模块						4A994.a	Bulk			活跃											204									1Gx64											204SODIMM			符合RoHS标准
KSM26RS4/16MEI	Kingston Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	8473.30.11.40	DRAM模块	16Gbyte	18	8G	72	2666	2Gx4	FBGA	1.2	2358	0	85	有	Single	19	RDIMM	Socket	31.25	133.35	288						EAR99				Obsolete											288									2Gx72											288DIMM			符合RoHS标准
M393A2K40BB2-CTD8Q	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	DRAM模块	16Gbyte	18	8G	72	2666	2Gx4	78FBGA	1.14	1.2	1.26	2263	Double	有	Single	19	无	DIM	RDIMM	Socket	31.25	133.35	4.3(Max)	288	No Lead						EAR99				活跃											288									2Gx72					无				有		288RDIMM			符合RoHS标准
DTM64385F	Dataram	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	8473.30.11.40	DRAM模块	16Gbyte	36	4G	72	0.225	1600	1Gx4	1.425	1.5	1.575	2150	0	70	Double	有	Dual	11	RDIMM	Socket	30	133.35	3.94(Max)	240						EAR99				活跃											240									2Gx72											240RDIMM			符合RoHS标准

存储卡 (4950)