null 产品销售 - PDF - null - 页 118 - 深圳市佳达源电子有限公司

类别是'存储卡'

存储卡 (4950)

产品型号	品牌	数据表	有效性	单价(CNY)	询价	工厂交货时间	底架	表面安装	引脚数	终端数量																																																								操作温度	已出版	系列	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	ECCN 代码	最高工作温度	最小工作温度	附加功能	HTS代码	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	功能数量	电源电压	端子间距	Reach合规守则	时间@峰值回流温度-最大值(s)	引脚数量	JESD-30代码	资历状况	工作电源电压	电源电压-最大值(Vsup)	电源	温度等级	电源电压-最小值(Vsup)	最大电源电压	最小电源电压	内存大小	端口的数量	操作模式	电源电流-最大值	访问时间	组织结构	输出特性	座位高度-最大	内存宽度	密度	待机电流-最大值	记忆密度	最高频率	锁相环	并行/串行	I/O类型	编程电压	刷新周期	访问模式
M378A5143DB0-CPB	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	Commercial	无	Single	15	FBGA	表面贴装	11	7.5	78	0	1.2	78FBGA	512Mx8	2133	64	4G	8	4Gbyte	DRAM模块	8542.32.00.71	4A994.a	DIMM, DIMM288,33	微电子组件	512000000	UNSPECIFIED	DIMM288,33	0.18 ns	85 °C	有	M378A5143DB0-CPB	1066 MHz	536870912 words	1.2 V	DIMM	RECTANGULAR	三星半导体	活跃	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	5.74			NO		288	85					Obsolete		EAR99			AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX		CMOS	DUAL	无铅		1			compliant		78	R-XDMA-N288	不合格		1.26 V	1.2 V	OTHER	1.14 V				1	SYNCHRONOUS	1.18 mA		512Mx64	3-STATE	31.4 mm	64		0.06 A	34359738368 bit				COMMON	DDR内存模块		8192	单库页面突发	YES	288UDIMM		133.35 mm	2.7 mm	符合RoHS标准
M378B1G73BH0-CH9	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	DRAM模块	8Gbyte	16	4G	64	0.255	1333	512Mx8	1.425	1.5	1.575	880	0	95	Double	无	Dual	8	9	有	DIM	UDIMM	Socket	30	133.35	4(Max)	240	No Lead						4A994.a					Obsolete																240															1Gx64								无							有	240UDIMM				符合RoHS标准
M392A4K40BM0-CPB	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	8473.30.11.40	DRAM模块	32Gbyte	18	16G	72	1066	4Gx4	FBGA	1.2	0	85	Commercial	Double	无	Dual	15	有	VLP RDIMM	Socket	18.75	133.35	3.9(Max)	288						4A994.a					Obsolete																288															4Gx72								无							无	288VLP RDIMM				符合RoHS标准
M393B5270CH0-CH9	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	DRAM模块	4Gbyte	18	2G	72	0.255	1333	512Mx4	FBGA	1.425	1.5	1.575	2880	0	95	Double	有	Single	8	9	有	DIMM	RDIMM	Socket	30	133.35	4(Max)	240	No Lead	18	Compliant		Socket		240		4A994.a					Obsolete				95 °C	0 °C											240			1.5 V					1.575 V	1.425 V					255 ps	512Mx72							1.333 GHz	无							有	240RDIMM				符合RoHS标准
M470T2864EH3-CE6	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	DRAM模块	1Gbyte	8	1G	64	0.45	667	64Mx16	FBGA	1.7	1.8	1.9	428	0	95	Commercial	Double	无	Dual	8	5	有	DIM	USODIMM	Socket	30	67.6	3.8(Max)	200	No Lead						4A994.a					Obsolete																200															128Mx64								无							有	200SODIMM				符合RoHS标准
M393B2G70BH0-CMA	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	DRAM模块	16Gbyte	36	4G	72	20	1866	1Gx4	FBGA	1.425	1.5	1.575	2800	0	95	Double	有	Dual	8	13	有	DIMM	RDIMM	Socket	30	133.35	4(Max)	240	No Lead						4A994.a					Obsolete																240															2Gx72								无							有	240RDIMM				符合RoHS标准
M393B2G70QH0-CK0	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	DRAM模块	16Gbyte	36	4G	72	1600	1Gx4	78FBGA	1.425	1.5	1.575	2800	0	95	Double	无	Dual	11	有	DIMM	RDIMM	Socket	30	133.35	4(Max)	240	No Lead	DIMM,	微电子组件	2000000000	UNSPECIFIED	85 °C	M393B2G70QH0-CK0	2147483648 words	1.5 V	DIMM	RECTANGULAR	三星半导体	活跃	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	5.7			NO		240	4A994.a				Obsolete						AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX		CMOS	DUAL	无铅		1		1 mm	compliant		240	R-XDMA-N240			1.575 V		OTHER	1.425 V				1	SYNCHRONOUS			2Gx72		30.15 mm	72			154618822656 bit		无			DDR内存模块			双库页面突发	有	240RDIMM		133.35 mm	4 mm	符合RoHS标准
M378B5173DB0-CK0	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	DRAM模块	4Gbyte	4G	72	20	1600	1.425	1.5	1.575	1080	0	95	无	Single	11	无	DIM	UDIMM	Socket	30	133.35	2.7	240	No Lead	DIMM,	微电子组件	512000000	UNSPECIFIED	85 °C	M378B5173DB0-CK0	536870912 words	1.5 V	DIMM	RECTANGULAR	三星半导体	Obsolete	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	5.71			NO		240	4A994.a					Obsolete					AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX		CMOS	DUAL	无铅		1		1 mm	unknown		240	R-XDMA-N240			1.575 V		OTHER	1.425 V				1	SYNCHRONOUS			512Mx64		30.15 mm	64			34359738368 bit		无			DDR内存模块			单库页面突发	有	DIMM		133.35 mm	2.7 mm	符合RoHS标准
M378A5143EB2-CRC	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	8473.30.11.40	DRAM模块	4Gbyte	8	4G	64	2400	512Mx8	78FBGA	1.14	1.2	1.26	720	有	Single	17	UDIMM	Socket	31.25	133.35	2.7(Max)	288	DIMM,	微电子组件	512000000	UNSPECIFIED	5.84	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	Obsolete	三星半导体	RECTANGULAR	DIMM	1.2 V	536870912 words	M378A5143EB2-CRC			NO		288	EAR99					Obsolete					AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX		CMOS	DUAL	无铅		1			compliant		288	R-XDMA-N288			1.26 V			1.14 V				1	SYNCHRONOUS			512Mx64		31.4 mm	64			34359738368 bit					DDR内存模块			单库页面突发	YES	288UDIMM		133.35 mm	2.7 mm
M393B2G70DB0-YH9	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	DRAM模块	16Gbyte	36	4G	72	1333	1Gx4	FBGA	1.35	0	85	Commercial	Double	无	Dual	9	DIMM	RDIMM	Socket	30	133.35	4(Max)	240	No Lead						4A994.a					Obsolete																240															2Gx72																240RDIMM				符合RoHS标准
M391A2K43BB1-CPB	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	8542.32.00.71	DRAM模块	16Gbyte	18	8G	72	2133	1Gx8	78FBGA	1.14	1.2	1.26	1125	Double	有	Dual	16	15	无	UDIMM	Socket	31.25	133.35	3.9(Max)	288						EAR99					活跃																288															2Gx72								无							有	288UDIMM				符合RoHS标准
AP-CF004GE3NR-NRQ	Apacer Memory America	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	4 Weeks		YES			CompactFlash®	0°C~70°C	2014	CFCIII	yes	不用于新设计	1 (Unlimited)	50	3A991.B.1.A			IT ALSO OPERATES AT 5V NOM SUPPLY	8542.32.00.51		UPPER	无铅	未说明	1	3.3V		unknown	未说明		R-XUUC-N50			3.465V			3.135V			4GB		ASYNCHRONOUS			4GX8			8			34359738368 bit		PARALLEL			3.3V					3.4mm	42.8mm	36.4mm	ROHS3 Compliant
M393B2G70BH0-CK0	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	DRAM模块	16Gbyte	36	4G	72	20	1600	1Gx4	FBGA	1.425	1.5	1.575	2800	0	95	Double	有	Dual	8	11	有	DIMM	RDIMM	Socket	30	133.35	4(Max)	240	No Lead	DIMM, DIMM240,40	微电子组件	2	2000000000	UNSPECIFIED	DIMM240,40	40	0.225 ns	85 °C	有	M393B2G70BH0-CK0	800 MHz	2147483648 words	1.5 V	DIMM	RECTANGULAR	三星半导体	活跃	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	5.45		NO		240	4A994.a				有	Obsolete						AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX		CMOS	DUAL	无铅	260	1		1 mm	compliant		240	R-XDMA-N240	不合格		1.575 V	1.5 V	OTHER	1.425 V				1	SYNCHRONOUS			2Gx72	3-STATE	30.15 mm	72			154618822656 bit		无		COMMON	DDR内存模块		8192	双库页面突发	有	240RDIMM	133.35 mm	4 mm	是,有豁免
AP-CF256ME3NR-NDNRQ	Apacer Memory America	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	4 Weeks		YES			CompactFlash®	0°C~70°C	2013	CFCIII	yes	不用于新设计	1 (Unlimited)	50	3A991.B.1.A			IT ALSO OPERATES AT 5V NOM SUPPLY	8542.32.00.51		UPPER	无铅	未说明	1	3.3V		unknown	未说明		R-XUUC-N50			3.465V			3.135V			256MB		ASYNCHRONOUS			256MX8			8			2147483648 bit		PARALLEL			3.3V					3.4mm	42.8mm	36.4mm	ROHS3 Compliant
AP-CF512ME3NR-ETNRQ	Apacer Memory America	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	4 Weeks		YES			CompactFlash®	-40°C~85°C	2013	CFCIII	yes	不用于新设计	1 (Unlimited)	50	3A991.B.1.A			IT ALSO OPERATES AT 5V NOM SUPPLY	8542.32.00.51		UPPER	无铅	未说明	1	3.3V		unknown	未说明		R-XUUC-N50		5V							512MB		ASYNCHRONOUS			512MX8			8			4294967296 bit		PARALLEL			3.3V					3.4mm	42.8mm	36.4mm	ROHS3 Compliant
KVR16LR11D4/16I	Kingston Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	DRAM模块	16Gbyte	36	4G	72	800	1Gx4	FBGA	1.28/1.425	1.35/1.5	1.45/1.575	0	85	Double	有	Dual	11	PC3L-12800	有	DIM	RDIMM	Socket	30	133.35	240	No Lead						EAR99					Obsolete																240															2Gx72								无							有	240DIMM				是,有豁免
M391B5273DH0-YH9	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	DRAM模块	4Gbyte	18	2G	72	0.255	1333	256Mx8	FBGA	1.28/1.425	1.35/1.5	1.45/1.575	900	0	90	Double	有	Dual	8	9	有	DIM	UDIMM	Socket	30	133.35	4(Max)	240	No Lead						4A994.a					Obsolete																240															512Mx72								无							有	240UDIMM				符合RoHS标准
M391A1G43DB0-CPB000	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	8542.32.00.71	DRAM模块	8Gbyte	18	4G	72	2133	512Mx8	78FBGA	1.14	1.2	1.26	1000	有	Dual	15	UDIMM	Socket	31.25	133.35	3.9(Max)	288						EAR99					Obsolete																	288														1Gx72																288UDIMM				符合RoHS标准
M393B2G70BH0-CH9	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	DRAM模块	16Gbyte	36	4G	72	20	1333	1Gx4	FBGA	1.425	1.5	1.575	2480	0	95	Double	有	Dual	8	9	有	DIMM	RDIMM	Socket	30	133.35	4(Max)	240	No Lead						4A994.a					Obsolete																240															2Gx72								无							有	240RDIMM				符合RoHS标准
M470T5663QZ3-CF700	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	8542.32.00.24	DRAM模块	2Gbyte	16	1G	64	0.4	800	128Mx8	FBGA	1.7	1.8	1.9	1360	0	95	Commercial	Double	无	Dual	8	6	有	DIM	USODIMM	Socket	30	67.6	3.8(Max)	200	No Lead						4A994.a					Obsolete																200															256Mx64								无							有	200USODIMM				符合RoHS标准
M378B5173QH0-CK0	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	DRAM模块	4Gbyte	8	4G	64	0.225	1600	512Mx8	FBGA	1.425	1.5	1.575	880	0	95	Single	无	Single	8	11	有	DIM	UDIMM	Socket	30	133.35	2.7(Max)	240	No Lead	DIMM,	微电子组件	512000000	UNSPECIFIED	85 °C	M378B5173QH0-CK0	536870912 words	1.5 V	DIMM	RECTANGULAR	三星半导体	活跃	SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC	5.72			NO		240	4A994.a				Obsolete						AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX		CMOS	DUAL	无铅		1		1 mm	compliant		240	R-XDMA-N240			1.575 V		OTHER	1.425 V				1	SYNCHRONOUS			512Mx64		30.15 mm	64			34359738368 bit		无			DDR内存模块			单库页面突发	有	240UDIMM		133.35 mm	2.7 mm	符合RoHS标准
KVR24N17S6/4	Kingston Technology	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	4 Weeks, 2 Days	8473.30.11.40	DRAM模块	4Gbyte	4	8G	64	2400	512Mx16	FBGA	1.2	0	85	Single	无	Single	17	PC4-2400	有	DIMM	Socket	31.25	133.35	288	DIMM,	微电子组件	512000000	UNSPECIFIED	85 °C	KVR24N17S6/4	536870912 words	1.2 V	DIMM	RECTANGULAR	Kingston Technology Company	接触制造商	KINGSTON TECHNOLOGY COMPANY INC	5.68		NO		288	EAR99					LTB					AUTO/SELF REFRESH		CMOS	DUAL	无铅		1			unknown		288	R-XDMA-N288					OTHER					1	SYNCHRONOUS			512Mx64		31.37 mm	64			34359738368 bit					DDR内存模块			单库页面突发	有	288DIMM		133.35 mm		是,有豁免
M393B1G70BH0-CK0	Samsung Electronics	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	DRAM模块	8Gbyte	18	4G	72	20	1600	1Gx4	FBGA	1.425	1.5	1.575	2440	0	95	Double	有	Single	8	11	有	DIMM	RDIMM	Socket	30	133.35	4(Max)	240	No Lead						4A994.a					Obsolete																240															1Gx72								无							有	240RDIMM				符合RoHS标准
SQF-MSDM1-64G-21E	Advantech Corp	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1										活跃																																																			ROHS3 Compliant
SQF-P10S2-32G-P8C	Advantech Corp	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 倍率: 1	13 Weeks					CompactFlash®	0°C~70°C	2013			活跃	1 (Unlimited)			70°C	0°C																						32GB									256 Gb															ROHS3 Compliant

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