类别是'TVS - 二极管'
TVS - 二极管 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 二极管元件材料 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 组成 | 应用 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | Reach合规守则 | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | 参考标准 | 终端样式 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 工作电压 | 极性 | 配置 | 通道数量 | 元素配置 | 二极管类型 | 箱体转运 | 电源线保护 | 电压 - 击穿 | 功率 - 脉冲峰值 | 峰值脉冲电流（10/1000μs） | 最大反向漏电电流 | 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 箝位电压 | 电压 - 反向断态（典型值） | 峰值脉冲电流 | 峰值脉冲功率 | 方向 | 测试电流 | 单向通道 | 双向通道 | Rep Pk反向电压-最大值 | JEDEC-95代码 | 电容@频率 | 筛选水平 | 最大非代表峰值转速功率Dis | ESD保护 | 单向通道数 | 击穿电压-最小值 | 最大箝位电压 | 击穿电压-最大值 | 最小击穿电压 | Vf-正向电压 | 产品类别 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | MPLAD7.5KP20AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 20 V | 7.5 kW | - | - | 231 A | - 55 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | Bulk | PLAD7.5 | 活跃 | 1 | 未说明 | 有 | MPLAD7.5KP20AE3 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.6 | 表面贴装 | Mini-PLAD-1 | Mini-PLAD | 微芯片技术 | Details | -55°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | MA | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) | 通用型 | 8541.10.00.50 | 未说明 | compliant | 10 uA | SMD/SMT | 20 V | 单向 | 1 Channel | 无 | 22.2V | 7500W (7.5kW) | 231A | 32.4V | 32.4 V | 20V | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MQ1N8182US | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 190 V | - | - | 4 pF | 510 mA | - 55 C | + 175 C | 1 | Bulk | 1N8182 | 活跃 | 表面贴装 | A-Package-2 | D-5A | 微芯片技术 | N | -55°C ~ 175°C (TJ) | Bulk | - | Zener | 通用型 | 500 nA | SMD/SMT | 170 V | 单向 | 1 Channel | 无 | 190V | 150W | 510mA | 294V | 294 V | 170V | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N8168 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 48.5 V | 150 W | - | - | 4 pF | 2.14 A | - 55 C | + 175 C | 1 | Bulk | 1N8168 | 活跃 | 无 | 1N8168 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.83 | 通孔 | SQ-MELF-2 | Axial | 微芯片技术 | N | -55°C ~ 175°C (TJ) | Bulk | - | EAR99 | Zener | 通用型 | 8541.10.00.50 | compliant | Axial | 43 V | 单向 | 1 Channel | 无 | 48.5V | 150W | 2.14A | 70.1V | 70.1 V | 43V | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPLAD7.5KP33AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 36.7 V | 7.5 kW | - | - | 141 A | - 55 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | Bulk | PLAD7.5 | 活跃 | 1 | 未说明 | 有 | MPLAD7.5KP33AE3 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.59 | 表面贴装 | Mini-PLAD-1 | Mini-PLAD | 微芯片技术 | Details | -55°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | MA | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) | 通用型 | 8541.10.00.50 | 未说明 | compliant | 10 uA | SMD/SMT | 33 V | 单向 | 1 Channel | 无 | 36.7V | 7500W (7.5kW) | 141A | 53.3V | 53.3 V | 33V | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX1N8168US | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 48.5 V | - | - | 4 pF | 2.14 A | - 55 C | + 175 C | 1 | Bulk | 1N8168 | 活跃 | 表面贴装 | A-Package-2 | D-5A | 微芯片技术 | N | -55°C ~ 175°C (TJ) | Bulk | - | Zener | 通用型 | 500 nA | SMD/SMT | 43 V | 单向 | 1 Channel | 无 | 48.5V | 150W | 2.14A | 70.1V | 70.1 V | 43V | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1N8161 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 25.7 V | 150 W | - | - | 4 pF | 4.01 A | - 55 C | + 175 C | 1 | Bulk | 1N8161 | 活跃 | 通孔 | SQ-MELF-2 | Axial | 微芯片技术 | N | -55°C ~ 175°C (TJ) | Bulk | - | Zener | 通用型 | Axial | 22 V | 单向 | 1 Channel | 无 | 25.7V | 150W | 4.01A | 37.4V | 37.4 V | 22V | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MQ1N8161 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 25.7 V | - | - | 4 pF | 4.01 A | - 55 C | + 175 C | 1 | Bulk | 1N8161 | 活跃 | 通孔 | A-Package-2 | A, Axial | 微芯片技术 | N | -55°C ~ 175°C (TJ) | Bulk | - | Zener | 通用型 | 500 nA | Axial | 22 V | 单向 | 1 Channel | 无 | 25.7V | 150W | 4.01A | 37.4V | 37.4 V | 22V | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MXLUPTB8E3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 9 V | 10.9 A | - 65 C | + 150 C | 1 | Bulk | UPTB8 | 活跃 | 1 | 未说明 | 有 | MXLUPTB8E3 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.79 | 表面贴装 | DO-216AA-2 | Powermite 1 (DO216-AA) | 微芯片技术 | Details | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | - | e3 | Zener | Matte Tin (Sn) | 通用型 | 未说明 | compliant | 2 uA | SMD/SMT | 8 V | 双向 | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 9V | 1000W (1kW) | 10.9A | 13.7V | 13.7 V | 8V | 1 | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPLAD7.5KP14CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | 15.6 V | 7.5 kW | - | - | 323 A | - 55 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | Bulk | PLAD7.5 | 活跃 | 1 | 未说明 | 有 | MPLAD7.5KP14CAE3 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.6 | 表面贴装 | Mini-PLAD-1 | Mini-PLAD | 微芯片技术 | Details | -55°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | MA | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) | 通用型 | 8541.10.00.50 | 未说明 | compliant | 10 uA | SMD/SMT | 14 V | 双向 | 1 Channel | 无 | 15.6V | 7500W (7.5kW) | 323A | 23.2V | 23.2 V | 14V | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAP6KE56AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | 53.2 V | 600 W | 7.8 A | - 65 C | + 150 C | 5 W | 1 | 0.024692 oz | T-18 | 600 W | Uni-Directional | 通孔 | Bulk | P6KE56 | 活跃 | 47.8 V | O-PALF-W2 | 长式 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | MAP6KE56AE3 | 5 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.5 | Military grade | 通孔 | 通孔 | T-18-2 | NO | 2 | T-18 | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Details | -65 to 150 °C | Bulk | P6KE | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 150 °C | -65 °C | Zener | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | compliant | 2 | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | 47.8 V | 47.8 V | 单向 | Single | 1 Channel | Single | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 53.2V | 600W | 7.8A | 1 µA | 77V | 77 V | 47.8V | 7.8 A | 600 W | 单向 | 1 mA | 1 | 47.8 V | - | Military | 600 W | 有 | 1 | 53.2 V | 58.8 V | 53.2 V | 3.5 V | |||||||||||||||||||||
| MAPLAD6.5KP11CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12.2 V | 6.5 kW | - | - | 358 A | - 55 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | Bulk | PLAD6.5 | 活跃 | S-PSSO-G1 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | -55 °C | 未说明 | 150 °C | 无 | MAPLAD6.5KP11CA | 2.5 W | SQUARE | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.6 | 表面贴装 | PLAD-2 | YES | Mini-PLAD | SILICON | 1 | 微芯片技术 | N | -55°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | MA | e0 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | compliant | AEC-Q101; MIL-19500 | SMD/SMT | S-PSSO-G1 | 130 V | 11 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | CATHODE | 无 | 12.2V | 6500W (6.5kW) | 358A | 18.2V | 18.2 V | 11V | 1 | 11 V | - | 6500 W | 12.2 V | 13.5 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAPLAD30KP180AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 200 V | 30 kW | - | - | 104 A | - 55 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | 0.070548 oz | PLAD | 250 W | Uni-Directional | 表面贴装 | Bulk | PLAD30 | 活跃 | S-PSSO-G1 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | 40 | 有 | MAPLAD30KP180AE3 | 2.5 W | SQUARE | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.6 | Military grade | 表面贴装 | PLAD-2 | YES | PLAD | SILICON | 1 | 微芯片技术 | Details | -55 to 150 °C | Bulk | MA | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | SINGLE | 鸥翼 | 260 | compliant | 2 | SMD/SMT | S-PSSO-G1 | 不合格 | 180 V | 180 V | 单向 | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 200V | 30000W (30kW) | 104A | 291V | 291 V | 180V | 5 mA | 1 | 180 V | - | Military | 30000 W | 有 | 200 V | 221 V | 4 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAP6KE22AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 20.9 V | 600 W | 20 A | - 65 C | + 150 C | 5 W | 1 | 0.024692 oz | T-18 | 600 W | Uni-Directional | 通孔 | Bulk | P6KE22 | 活跃 | O-PALF-W2 | 长式 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | MAP6KE22AE3 | 5 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.5 | Military grade | 通孔 | T-18-2 | NO | T-18 | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Details | -65 to 150 °C | Bulk | P6KE | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | compliant | 2 | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | 18.8 V | 18.8 V | 单向 | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 20.9V | 600W | 20A | 30.6V | 30.6 V | 18.8V | 1 mA | 1 | 18.8 V | - | Military | 600 W | 有 | 20.9 V | 23.1 V | 3.5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5KP48E3/TR13 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | 53.3 V | 5 kW | 58.5 A | - 55 C | + 175 C | 8 W | 500 | 0.074075 oz | Tape & Reel (TR) | 5KP48 | 活跃 | 48 V | 有 | 5KP48E3/TR13 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 59.2 V | 5.8 | 通孔 | 通孔 | P600-2 | NO | 2 | P600 | 微芯片技术 | Details | -55°C ~ 175°C (TJ) | Reel | - | EAR99 | Zener | 150 °C | -65 °C | 通用型 | 8541.10.00.50 | compliant | 2 uA | Axial | 48 V | 48 V | 单向 | 1 Channel | Single | 跨压抑制二极管 | 无 | 53.3V | 5000W (5kW) | 58.5A | 10 µA | 85.5V | 85.5 V | 48V | 58 A | 5 kW | 单向 | 5 mA | 1 | 48 V | - | 85.5 V | 53.3 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MRT100KP250A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 1 | 0.049384 oz | Bulk | MRT100KP250 | 活跃 | PLASTIC, CASE 5A, 2 PIN | 长式 | 1 | PLASTIC/EPOXY | -65 °C | 150 °C | 无 | MRT100KP250A | 7 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.57 | 通孔 | DO-204AR-2 | NO | Case 5A (DO-204AR) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | N | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | unknown | 未说明 | MIL-19500 | Axial | O-PALF-W2 | UNIDIRECTIONAL | SINGLE | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 278V | 100000W (100kW) | - | 493V | 250V | 1 | 250 V | DO-204AR | - | 100000 W | 278 V | 308 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAP4KE33A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 31.4 V | 400 W | 9 A | - 65 C | + 150 C | 2.5 W | 1 | Bulk | P4KE33 | 活跃 | PLASTIC, DO-41, 2 PIN | 长式 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MAP4KE33A | 1.13 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.57 | DO-41 | 通孔 | DO-2024-2 | NO | DO-204AL (DO-41) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Details | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | unknown | 2 | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | 28.2 V | 28.2 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 31.4V | 400W | 9A | 45.7V | 45.7 V | 28.2V | 1 | 28.2 V | DO-204AL | - | 400 W | 31.4 V | 34.7 V | 3.5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAP6KE30A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 28.5 V | 600 W | 14.4 A | - 65 C | + 150 C | 5 W | 1 | 0.024692 oz | Bulk | P6KE30 | 活跃 | O-PALF-W2 | 长式 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | MAP6KE30A | 5 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.51 | 通孔 | T-18-2 | NO | T-18 | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Details | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | P6KE | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | compliant | 2 | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | 25.6 V | 25.6 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 28.5V | 600W | 14.4A | 41.4V | 41.4 V | 25.6V | 1 | 25.6 V | - | 600 W | 28.5 V | 31.5 V | 3.5 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 15KPA20E3/TR13 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 22.34 V | 15 kW | 440.2 A | - 55 C | + 175 C | 8 W | 800 | 0.070548 oz | Tape & Reel (TR) | 15KPA20 | 活跃 | O-PALF-W2 | 长式 | 1 | PLASTIC/EPOXY | CASE P600 | -55 °C | 未说明 | 175 °C | 有 | 15KPA20E3/TR13 | 8 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.69 | 通孔 | P600-2 | NO | P600 | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Details | -55°C ~ 175°C (TJ) | Reel | - | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | compliant | 2 | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | 20 V | 20 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 21.06V | 15000W (15kW) | - | - | 34.3 V | 20V | 1 | 20 V | - | 15000 W | 22.34 V | 24.57 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 15KPA85E3/TR13 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 94.9 V | 15 kW | 109.7 A | - 55 C | + 175 C | 8 W | 800 | 0.070548 oz | Tape & Reel (TR) | 15KPA85 | 活跃 | 通孔 | P600-2 | P600 | 微芯片技术 | Details | -55°C ~ 175°C (TJ) | Reel | - | Zener | 通用型 | Axial | 85 V | 85 V | 单向 | 1 Channel | 无 | 89.51V | 15000W (15kW) | - | - | 137.6 V | 85V | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 15KPA18E3/TR13 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 20.11 V | 15 kW | 488.7 A | - 55 C | + 175 C | 8 W | 800 | 0.070548 oz | Tape & Reel (TR) | 15KPA18 | 活跃 | O-PALF-W2 | 长式 | 1 | PLASTIC/EPOXY | CASE P600 | -55 °C | 未说明 | 175 °C | 有 | 15KPA18E3/TR13 | 8 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.67 | 通孔 | P600-2 | NO | P600 | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Details | -55°C ~ 175°C (TJ) | Reel | - | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | compliant | 2 | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | 18 V | 18 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 18.95V | 15000W (15kW) | - | - | 30.9 V | 18V | 1 | 18 V | - | 15000 W | 20.11 V | 22.12 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 15KPA110CAE3/TR13 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 122.9 V | 15 kW | 84.5 A | - 55 C | + 175 C | 8 W | 800 | 0.070548 oz | Tape & Reel (TR) | 15KPA110 | 活跃 | O-PALF-W2 | 长式 | 1 | PLASTIC/EPOXY | CASE P600 | -55 °C | 未说明 | 175 °C | 有 | 15KPA110CAE3/TR13 | 8 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.69 | 通孔 | P600-2 | NO | P600 | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Details | -55°C ~ 175°C (TJ) | Reel | - | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | compliant | 2 | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | 110 V | 110 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 122.9V | 15000W (15kW) | 84.5A | 178.6V | 178.6 V | 110V | 1 | 110 V | - | 15000 W | 122.9 V | 129.05 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPLAD18KP10A/TR | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | PLAD18 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | 表面贴装 | 非标准 SMD | PLAD | 微芯片技术 | Tape & Reel (TR) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 汽车 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | 无 | 11.1V | 18000W (18kW) | 1059A (1.059kA) | 17V | 10V | 1 | - | ESD Suppressors / TVS Diodes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MLCE33A/TR | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | MLCE33 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | 通孔 | DO-201AA, DO-27, Axial | CASE-1 | 微芯片技术 | Tape & Reel (TR) | -65°C ~ 150°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | 无 | 36.7V | 1500W (1.5kW) | 28.1A | 53.3V | 33V | 1 | 100pF @ 1MHz | ESD Suppressors / TVS Diodes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MP6KE12CA/TR | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | MP6KE12 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | 通孔 | T-18, Axial | T-18 | 微芯片技术 | Tape & Reel (TR) | -65°C ~ 150°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | 无 | 11.4V | 600W | 36A | 16.7V | 10.2V | 1 | - | ESD Suppressors / TVS Diodes | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MP6KE16CA/TR | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | MP6KE16 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | 通孔 | T-18, Axial | T-18 | 微芯片技术 | Tape & Reel (TR) | -65°C ~ 150°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | 无 | 15.2V | 600W | 27A | 22.5V | 13.6V | 1 | - | ESD Suppressors / TVS Diodes |