类别是'PMIC - 栅极驱动器'
PMIC - 栅极驱动器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 终端数量 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 最大功率耗散 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 输出的数量 | 资历状况 | 输出电压 | 最大输出电流 | 工作电源电压 | 输入电压-Nom | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 模拟 IC - 其他类型 | 工作电源电流 | 电源电流 | 功率耗散 | 输出电流 | 最大电源电流 | 输出电流 | 传播延迟 | 电源电流-最大值 | 输入类型 | 接通延迟时间 | 电压 - 输出 | 输出特性 | 每个通道的输出电流 | 座位高度-最大 | 上升时间 | 下降时间（典型值） | 输出极性 | 输入特性 | 上升/下降时间(Typ) | 接口IC类型 | 信道型 | 驱动器数量 | 接通时间 | 输出峰值电流限制-名 | 电源电压1-额定值 | 闸门类型 | 峰值输出电流（源极，漏极） | 高边驱动器 | 关断时间 | 高压侧电压-最大值(自举) | 输出电流流向 | 电源电压1-最小值 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 器件厚度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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.png) | L6498LTR | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 1.45V 2V | 表面贴装 | 14-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | -40°C~125°C TJ | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 3 (168 Hours) | 10V~20V | High-Side or Low-Side | CMOS/TTL | 25ns 25ns | Independent | 2 | IGBT, N-Channel MOSFET | 2A 2.5A | 500V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IXDN430YI | IXYS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 3.5V | 表面贴装 | 表面贴装 | TO-263-6, D2Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA | 1.59999g | -55°C~150°C TJ | Tube | 2005 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 5 | EAR99 | 2W | 8.5V~35V | 鸥翼 | 未说明 | 1 | 18V | 未说明 | IXD*430 | 4 | R-PSSO-G5 | 不合格 | Low-Side | 30A | 3mA | 30A | Non-Inverting | 20ns | 18 ns | 18ns 16ns | BUFFER OR INVERTER BASED IGBT/MOSFET DRIVER | Single | 1 | 0.045 µs | 30A | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | 30A 30A | YES | 0.039 µs | 4.8mm | 9.975mm | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RT7020GS | Richtek USA Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 0.8V 2.5V | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOP | -40°C~125°C TJ | Tape & Reel (TR) | Obsolete | 3 (168 Hours) | 10V~20V | Half-Bridge | Non-Inverting | 70ns 35ns | Independent | 2 | IGBT, N-Channel MOSFET | 300mA 600mA | 600V | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXDN402SIA | IXYS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 3V | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 449.991981mg | -55°C~150°C TJ | Tube | 2004 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 4.5V~35V | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 2 | 18V | 未说明 | IXD*402 | 8 | 不合格 | Low-Side | 2A | 4.5/35V | 3mA | 2A | Non-Inverting | 10ns | 9 ns | 8ns 8ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Independent | 2 | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | 2A 2A | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IR2109STR | International Rectifier | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | SOIC | Tape & Reel (TR) | 2004 | e0 | Discontinued | 8 | EAR99 | 锡铅 | 125°C | -40°C | FLOATING LOAD DRIVER; UNDER VOLTAGE LOCKOUT CIRCUIT | DUAL | 鸥翼 | 245 | 1 | 15V | 30 | 8 | R-PDSO-G8 | 2 | 不合格 | AUTOMOTIVE | 10V | 基于半桥的mosfet驱动器 | 0.95 µs | 0.35A | YES | 5V | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 符合RoHS标准 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MIC4420BMM | Micrel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 1 | PLASTIC/EPOXY | TSSOP8,.19 | -40 °C | 30 | 4.5 V | 85 °C | 无 | MIC4420BMM | 0.075 µs | TSSOP | RECTANGULAR | Microchip Technology Inc | Obsolete | 0.075 µs | MICREL INC | 18 V | 5.26 | MSOP | YES | 8 | e0 | EAR99 | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 8542.39.00.01 | MOSFET驱动器 | BCDMOS | DUAL | 鸥翼 | 240 | 1 | 0.65 mm | not_compliant | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | TSSOP, TSSOP8,.19 | 4.5/18 V | INDUSTRIAL | 1.5 mA | TOTEM-POLE | 1.09 mm | TRUE | STANDARD | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | 6 A | NO | 3 mm | 2.97 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SN75452BPE4 | NA | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 ns | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | 通孔 | PDIP | 8 | 440.409842mg | Rail/Tube | e4 | yes | 8 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 70°C | 0°C | DUAL | 2 | 5V | 8 | 1W | 5.25V | 5V | COMMERCIAL | 71mA | 1W | 300mA | 35 ns | 8 ns | 30V | OPEN-COLLECTOR | INVERTED | GATED | 基于Nand门的外设驱动器 | 2 | 0.035 µs | 0.5A | 0.035 µs | SINK | 5.08mm | 9.81mm | 6.35mm | 3.9mm | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ISL6620CBZ-T | Intersil (Renesas Electronics America) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | SOIC | 8 | 2000 | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 70°C | 0°C | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 5V | 30 | 不合格 | 4A | 5V | COMMERCIAL | 5.5V | 4.5V | 1.27mA | 4A | 8ns | 8 ns | 和基于栅极的mosfet驱动器 | 2 | 4A | YES | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SD300C17A4 | Power Integrations | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 通孔 | Module | -40°C~85°C TA | Tray | SCALE™-2 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 14V~16V | Half-Bridge | 2 | IGBT | 30A 30A | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ISL6614CBZR5238 | Intersil (Renesas Electronics America) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | SOIC | 2001 | 85°C | 0°C | 4 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NCP3418PDR2 | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | OBSOLETE (Last Updated: 1 day ago) | YES | 8 | e3 | no | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Tin (Sn) | DUAL | 鸥翼 | 240 | 1 | 12V | 1.27mm | 30 | 8 | 不合格 | 13.2V | 12V | 商业扩展 | 4.6V | 基于半桥的mosfet驱动器 | 0.06 µs | YES | 0.06 µs | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADP3416JR | Analog Devices, Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | SOIC | YES | 8 | Bulk | e0 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | DUAL | 鸥翼 | 240 | 2 | 7V | 30 | 8 | 2 | 不合格 | 70°C | 7.5V | 7V | COMMERCIAL | 4.15V | 基于半桥的mosfet驱动器 | YES | 4V | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IXDI502D1T/R | IXYS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 3V | 表面贴装 | 6-VDFN Exposed Pad | YES | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2010 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | 4.5V~30V | DUAL | 无铅 | 未说明 | 2 | 15V | 1mm | 未说明 | IXD*502 | 6 | R-PDSO-N6 | 不合格 | Low-Side | 15V | 4.5/30V | 3mA | Inverting | 10ns | 9 ns | 7.5ns 6.5ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Independent | 2 | 0.04 μs | 2A | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | 2A 2A | NO | 0.038 μs | 0.9mm | 5mm | 3.99mm | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXS839S1 | IXYS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 2V | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 8-SOIC | 449.991981mg | -40°C~125°C TJ | Tube | 2004 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 85°C | -40°C | 4.5V~5.5V | IXS839 | 2 | Half-Bridge | 4A | 5.5V | 4.5V | 4mA | 2A | 60 ns | Non-Inverting | 20ns | 15 ns | 20ns 15ns | Synchronous | 2 | N-Channel MOSFET | 2A 4A | 24V | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXDF504D1 | IXYS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 3V | 表面贴装 | 表面贴装 | 6-VDFN Exposed Pad | 6 | -55°C~150°C TJ | Bulk | 2007 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | 4.5V~30V | DUAL | 无铅 | 未说明 | 2 | 18V | 1mm | 未说明 | IXD*504 | 6 | 不合格 | Low-Side | 4.5/30V | 10mA | Inverting, Non-Inverting | 16ns | 14 ns | 9ns 8ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Independent | 2 | 4A | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | 4A 4A | NO | 0.05 µs | 0.9mm | 5mm | 3.99mm | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NCV81071CZR2G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) | yes | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ISL6615CRZ-T | Intersil (Renesas Electronics America) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 18 Weeks | 表面贴装 | DFN | 10 | 2006 | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 10 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 70°C | 0°C | DUAL | 无铅 | 未说明 | 1 | 12V | 0.5mm | 未说明 | 10 | 不合格 | 4A | COMMERCIAL | 13.2V | 6.8V | 4.5mA | 4A | 13ns | 10 ns | 和基于栅极的mosfet驱动器 | 2 | 6A | 12V | YES | 1mm | 3mm | 3mm | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | LT8309HS5#PBF | Analog Devices | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 5 | 1.75(Max) | 2.9 | 0.9(Max) | 表面贴装 | TSOT-23 | SOT | 有 | 电流限制 | 汽车 | 125 | -40 | 2.7|0.8 | 40 | 4.5 | 38 | 11(Typ) | 21(Typ) | 8542.39.00.01 | EAR99 | Compliant | VSSOP, | SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH | PLASTIC/EPOXY | 05-08-1635 | 有 | 40 V | LT8309HS5#PBF | VSSOP | RECTANGULAR | Analog Devices Inc | 活跃 | 4.5 V | ANALOG DEVICES INC | 5.63 | Analog Devices Inc | YES | 5 | 5 | 卷带 | e3 | 无 | Unconfirmed | MOSFET | Matte Tin (Sn) | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 1 | 0.95 mm | compliant | 未说明 | 5 | R-PDSO-G5 | 1 | Gull-wing | 7 V | 开关稳压器 | 1 mm | 1 | 2.9 mm | 1.625 mm | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UC2714DPG4 | NA | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 2V | 表面贴装 | 表面贴装 | 16-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 16 | 16-SOIC | -40°C~150°C TJ | Tube | Obsolete | 2 (1 Year) | 85°C | -40°C | 7V~20V | UC2714 | 2 | Low-Side | 7V | 24mA | Non-Inverting | 60ns | 60 ns | 30ns 25ns | Synchronous | 2 | N-Channel, P-Channel MOSFET | 500mA 1A | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UC3707DWG4 | NA | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | SOIC | 16 | 473.692182mg | e4 | yes | 2 (1 Year) | 16 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 70°C | 0°C | DUAL | 鸥翼 | 260 | 2 | 20V | 16 | 1.5A | COMMERCIAL | 40V | 5V | 15mA | 15mA | 60ns | 65 ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | 2 | 0.05 µs | 1.5A | NO | 0.065 µs | 2.35mm | 10.28mm | 7.52mm | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ISL55110IRZ | Intersil (Renesas Electronics America) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 18 Weeks | 表面贴装 | QFN | 16 | 2006 | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 16 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 85°C | -40°C | QUAD | 无铅 | 260 | 2 | 12V | 0.5mm | 30 | 不合格 | 3.5A | 3/5V | INDUSTRIAL | Logic | 5.5V | 2.7V | 100mA | 1.5ns | 1.5 ns | 2 | 3.5A | NO | 1mm | 4mm | 4mm | Unknown | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HIP4081AIBZT | Renesas Electronics America Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 1V 2.5V | Industrial grade | 表面贴装 | 20-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | YES | -40°C~125°C TJ | Cut Tape (CT) | 1993 | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 20 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 9.5V~15V | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 12V | 1.27mm | 30 | HIP4081A | 20 | R-PDSO-G20 | 不合格 | 950mV | Half-Bridge | 2.6A | Non-Inverting | 10ns 10ns | 全桥mosfet驱动器 | Independent | 4 | 0.09 μs | 2.6A | N-Channel MOSFET | 2.6A 2.4A | YES | 0.07 μs | 95V | 2.65mm | 12.8mm | 7.5mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC4427VPA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 0.8V 2.4V | 通孔 | 通孔 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | 8 | -40°C~150°C TJ | Tube | 2004 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 730mW | 4.5V~18V | DUAL | 2 | TC4427 | 8 | Low-Side | 1.5A | 4.5mA | 730mW | 4.5mA | 50 ns | Non-Inverting | 30ns | 30 ns | 19ns 19ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Independent | 2 | 0.04 μs | 1.5A | N-Channel, P-Channel MOSFET | 1.5A 1.5A | YES | 0.06 μs | 9.46mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MAX15024AATB+T | Maxim Integrated | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 0.8V 2V | 18 ns | 表面贴装 | 表面贴装 | 10-WFDFN Exposed Pad | 10 | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2011 | Automotive, AEC-Q100 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 10 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 1.4815W | 4.5V~28V | DUAL | 260 | 1 | 10V | 0.5mm | 30 | MAX15024 | 10 | Low-Side | 8A | 1.5mA | Inverting, Non-Inverting | 18 ns | 24ns | 16 ns | 22ns 16ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Single | 1 | 0.032 μs | 8A | N-Channel MOSFET | 4A 8A | NO | 0.032 μs | 0.8mm | 3mm | 3mm | 无 | Unknown | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HIP2100IBZT | Renesas Electronics America Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 9 Weeks | 4V 7V | Industrial grade | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | -55°C~150°C TJ | Cut Tape (CT) | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 9V~14V | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 1 | 12V | 未说明 | HIP2100 | 8 | R-PDSO-G8 | Half-Bridge | Non-Inverting | 10ns 10ns | Independent | 2 | 0.045 µs | N-Channel MOSFET | 2A 2A | YES | 0.045 µs | 114V | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant |