类别是'TVS - 二极管'
TVS - 二极管 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 二极管元件材料 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 组成 | 应用 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 引脚数量 | 参考标准 | 终端样式 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 工作电压 | 极性 | 配置 | 通道数量 | 泄漏电流 | 元素配置 | 二极管类型 | 箱体转运 | 电源线保护 | 电压 - 击穿 | 功率 - 脉冲峰值 | 峰值脉冲电流(10/1000μs) | 最大反向漏电电流 | 不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 箝位电压 | 电压 - 反向断态(典型值) | 峰值脉冲电流 | 峰值脉冲功率 | 方向 | 测试电流 | 单向通道 | 产品类别 | 双向通道 | Rep Pk反向电压-最大值 | JEDEC-95代码 | 电容@频率 | 反向击穿电压 | 筛选水平 | 最大非代表峰值转速功率Dis | ESD保护 | 单向通道数 | 击穿电压-最小值 | 双向通道数 | 最大箝位电压 | 击穿电压-最大值 | 最小击穿电压 | Vf-正向电压 | 产品类别 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | MSMCGLCE90A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | SMCGLCE90 | 活跃 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | N | PLASTIC, SMCG, 2 PIN | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MSMCGLCE90A | 5 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 105.5 V | 5.35 | DO-215AB | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-215AB, SMC Gull Wing | YES | SMCG (DO-215AB) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Bulk | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | unknown | 2 | R-PDSO-G2 | 不合格 | UNIDIRECTIONAL | SINGLE | 跨压抑制二极管 | 无 | 100V | 1500W (1.5kW) | 10.3A | 146V | 90V | 1 | 90 V | DO-215AB | 90pF @ 1MHz | 1500 W | 100 V | 146 V | 111 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAPLAD30KP280CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | Bulk | PLAD | 250 W | Bi-Directional | 表面贴装 | 311 V | 2.5 W | + 150 C | - | 0.070548 oz | - 55 C | 1 | 66 A | 30 kW | Microchip | 微芯片技术 | N | - | S-PSSO-G1 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MAPLAD30KP280CA | 2.5 W | SQUARE | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.63 | Military grade | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | 非标准 SMD | YES | PLAD | SILICON | 1 | 微芯片技术 | PLAD30 | -55°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | Tin/Lead (Sn/Pb) | 通用型 | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | not_compliant | 2 | SMD/SMT | S-PSSO-G1 | 不合格 | 280 V | 280 V | 双向 | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 311V | 30000W (30kW) | 66A | 451V | 451 V | 280V | 5 mA | 1 | 280 V | - | Military | 30000 W | 有 | 311 V | 345 V | 4 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMCJ70A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | SMCJ70 | 活跃 | 7 V | Compliant | 7.78 V | 1.56 W | + 150 C | 0.008818 oz | - 65 C | 1 | 125 A | 1.5 kW | Microchip | 微芯片技术 | - | - | PLASTIC, SMCJ, 2 PIN | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MASMCJ70A | 1.56 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.41 | DO-214AB | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | 表面贴装 | DO-214AB, SMC | YES | 2 | DO-214AB (SMCJ) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Bulk | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | Tin/Lead (Sn/Pb) | 150 °C | -65 °C | Zener | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | J BEND | 未说明 | unknown | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-J2 | 不合格 | 7 V | 7 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | Single | 跨压抑制二极管 | 无 | 77.8V | 1500W (1.5kW) | 13.3A | 1 µA | 113V | 12 V | 70V | 125 A | 1.5 kW | 单向 | 1 mA | 1 | 70 V | DO-214AB | - | 1500 W | 1 | 77.8 V | 86 V | 7.78 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||
![]() | MAP6KE11CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | P6KE11 | 10.5 V | 5 W | + 150 C | 0.024692 oz | - 65 C | 1 | 38 A | 600 W | Microchip | 微芯片技术 | Details | ESD Suppressors / TVS Diodes | 通孔 | T-18, Axial | T-18 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | Axial | 9.4 V | 9.4 V | 双向 | 1 Channel | 无 | 10.5V | 600W | 38A | 15.6V | 15.6 V | 9.4V | 1 | - | 3.5 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAPLAD15KP160A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | PLAD15 | PLAD | 15000 W | Uni-Directional | 表面贴装 | PLASTIC PACKAGE-1 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MAPLAD15KP160A | 2.5 W | SQUARE | Microsemi Corporation | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.58 | 178 V | + 150 C | - | - 55 C | 58 A | 15 kW | - | Military grade | 表面贴装 | 非标准 SMD | YES | PLAD | SILICON | 1 | 微芯片技术 | 活跃 | -55°C ~ 150°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | unknown | 2 | SMD/SMT | S-PSSO-G1 | 不合格 | 160 V | UNIDIRECTIONAL | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 178V | 15000W (15kW) | 58A | 259V | 259 V | 160V | 5 mA | 1 | 160 V | - | Military | 15000 W | 有 | 178 V | 197 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMBJ6.0AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | SMBJ6.0 | 6.67 V | 1.38 W | + 150 C | 0.003527 oz | - 65 C | 1 | 58.3 A | 600 W | Microchip | 微芯片技术 | Details | R-PDSO-C2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 40 | 有 | MASMBJ60AE3 | 1.38 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 70.2 V | 5.51 | DO-214AA | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-214AA, SMB | YES | SMBJ (DO-214AA) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) - annealed | 通用型 | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | C 弯管 | 260 | not_compliant | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-C2 | 不合格 | 6 V | 6 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 6.67V | 600W | 58.3A | 10.3V | 10.3 V | 6V | 1 | 60 V | DO-214AA | - | 600 W | 66.7 V | 96.8 V | 73.7 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMCG78CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | SMCG78 | 86.7 V | 1.56 W | + 150 C | - | 0.008818 oz | - 65 C | 1 | 11.4 A | 1.5 kW | Microchip | 微芯片技术 | Details | - | R-PDSO-G2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 40 | 有 | MSMCG78CAE3 | 1.56 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.55 | DO-215AB | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-215AB, SMC Gull Wing | YES | SMCG (DO-215AB) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) - annealed | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 260 | compliant | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 不合格 | 78 V | 78 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 86.7V | 1500W (1.5kW) | 11.4A | 126V | 126 V | 78V | 1 | 78 V | DO-215AB | - | 1500 W | 86.7 V | 95.8 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MP6KE7.5AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Bulk | P6KE7.5 | 71.3 V | 5 W | + 150 C | 0.024692 oz | - 65 C | 1 | 5.8 A | 600 W | Microchip | 微芯片技术 | Details | - | O-PALF-W2 | 长式 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | MP6KE7.5AE3 | 1.47 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 7.5 V | 5.58 | ESD Suppressors / TVS Diodes | 通孔 | T-18, Axial | NO | T-18 | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | compliant | 2 | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | 64.1 V | 64.1 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 7.13V | 600W | 53A | 11.3V | 103 V | 6.4V | 1 | 6.4 V | - | 600 W | 7.13 V | 11.3 V | 7.88 V | 3.5 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMCJ90A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Bulk | SMCJ90 | 100 V | 1.56 W | + 150 C | - | 0.009065 oz | - 65 C | 1 | 10.3 A | 1.5 kW | Microchip | 微芯片技术 | N | - | 9 V | PLASTIC, SMCJ, 2 PIN | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MSMCJ9.0A | 1.56 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.56 | DO-214AB | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | 表面贴装 | DO-214AB, SMC | YES | 2 | DO-214AB (SMCJ) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | Tin/Lead (Sn/Pb) | 150 °C | -65 °C | Zener | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | J BEND | 未说明 | unknown | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-J2 | 不合格 | 90 V | 90 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | Single | 跨压抑制二极管 | 无 | 100V | 1500W (1.5kW) | 10.3A | 1 µA | 146V | 146 V | 90V | 97.4 A | 1.5 kW | 单向 | 1 mA | 1 | 9 V | DO-214AB | - | 1500 W | 1 | 10 V | 11.1 V | 10 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||
![]() | MASMBJ85AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | SMBJ85 | DO-214AA | 600 W | 表面贴装 | 9.44 V | 1.38 W | + 150 C | 0.003527 oz | - 65 C | 1 | 41.7 A | 600 W | Microchip | 微芯片技术 | Details | Military grade | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-214AA, SMB | SMBJ (DO-214AA) | 微芯片技术 | Bulk | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | 2 | SMD/SMT | 8.5 V | 8.5 V | 单向 | Single | 1 Channel | 无 | 94.4V | 600W | 4.4A | 137V | 14.4 V | 85V | 1 mA | 1 | - | Military | 有 | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMCG60CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | 活跃 | SMCG60 | 6.67 V | 1.56 W | + 150 C | 0.008818 oz | - 65 C | 1 | 145.6 A | 1.5 kW | Microchip | 微芯片技术 | N | PLASTIC, SMCG, 2 PIN | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MSMCG60CA | 1.56 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.56 | DO-215AB | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-215AB, SMC Gull Wing | YES | SMCG (DO-215AB) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Bulk | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | Tin/Lead (Sn/Pb) | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | unknown | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 不合格 | 6 V | 6 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 66.7V | 1500W (1.5kW) | 15.5A | 96.8V | 10.3 V | 60V | 1 | 60 V | DO-215AB | - | 1500 W | 66.7 V | 73.7 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MSMLG33CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | SMLG33 | DO-215AB | 3000 W | Bi-Directional | 表面贴装 | 36.7 V | 1.61 W | + 150 C | - | 0.008818 oz | - 65 C | - | N | 微芯片技术 | Microchip | 3 kW | 56.2 A | 1 | PLASTIC PACKAGE-2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | -65 °C | 未说明 | 150 °C | 无 | MSMLG33CA | 1.61 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.55 | DO-215AB | Military grade | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-215AB, SMC Gull Wing | YES | SMLG (DO-215AB) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | unknown | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 33 V | 33 V | 双向 | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 36.7V | 3000W (3kW) | 56.2A | 53.3V | 53.3 V | 33V | 1 mA | 1 | 33 V | DO-215AB | - | Military | 3000 W | 有 | 36.7 V | 40.6 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAPLAD15KP8.5AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | PLAD15 | PLAD | 15000 W | Uni-Directional | 表面贴装 | 9.44 V | 2.5 W | + 150 C | - | 0.077603 oz | - 55 C | 1 | 1.041 kA | 15 kW | Microchip | 微芯片技术 | Details | - | 2.5 W | SQUARE | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.58 | MAPLAD15KP8.5AE3 | 有 | PLASTIC/EPOXY | 小概要 | S-PSSO-G1 | 40 | Military grade | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | 非标准 SMD | YES | PLAD | SILICON | 1 | 微芯片技术 | 活跃 | -55°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 通用型 | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | SINGLE | 鸥翼 | 260 | compliant | 40 | 2 | SMD/SMT | S-PSSO-G1 | 不合格 | 8.5 V | 8.5 V | 单向 | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 9.44V | 15000W (15kW) | 1041A (1.041kA) | 14.4V | 14.4 V | 8.5V | 5 mA | 1 | 8.5 V | - | Military | 15000 W | 有 | 9.44 V | 10.4 V | 2 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MP6KE91CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | P6KE91 | 活跃 | 8.65 V | 5 W | + 150 C | 0.024692 oz | - 65 C | 1 | 4.8 A | 600 W | Microchip | 微芯片技术 | N | 7.78 V | PLASTIC, T-18, 2 PIN | 长式 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MP6KE91CA | 1.47 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 91 V | 5.58 | ESD Suppressors / TVS Diodes | 通孔 | 通孔 | T-18, Axial | NO | 2 | T-18 | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Bulk | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 150 °C | -65 °C | Zener | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | unknown | 2 | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | 7.78 V | 7.78 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | Single | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 86.5V | 600W | 4.8A | 1 µA | 125V | 13.4 V | 77.8V | 45 A | 600 W | 双向 | 1 mA | 1 | 77.8 V | - | 600 W | 86.5 V | 1 | 125 V | 95.5 V | 8.65 V | 3.5 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||
![]() | MLCE51AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | LCE51 | 100 pF | 56.7 V | + 150 C | - 65 C | 18.2 A | 1.5 kW | 通孔 | DO-201AA, DO-27, Axial | CASE-1 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | Axial | 51 V | 单向 | 1 Channel | 无 | 56.7V | 1500W (1.5kW) | 18.2A | 82.4V | 82.4 V | 51V | 1 | 100pF @ 1MHz | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAPLAD15KP170A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | Bulk | PLAD | 15000 W | Uni-Directional | 表面贴装 | 189 V | + 150 C | - | - 55 C | 55 A | 15 kW | - | PLASTIC PACKAGE-1 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MAPLAD15KP170A | 2.5 W | SQUARE | Microsemi Corporation | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.58 | Military grade | 表面贴装 | 非标准 SMD | YES | PLAD | SILICON | 1 | 微芯片技术 | PLAD15 | -55°C ~ 150°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | unknown | 2 | SMD/SMT | S-PSSO-G1 | 不合格 | 170 V | 单向 | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 189V | 15000W (15kW) | 55A | 275V | 275 V | 170V | 5 mA | 1 | 170 V | - | Military | 15000 W | 有 | 189 V | 209 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMBG64CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | Bulk | 71.1 V | 1.38 W | + 150 C | 0.003527 oz | - 65 C | 1 | 5.8 A | 600 W | Microchip | 微芯片技术 | Details | R-PDSO-G2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 40 | 有 | MASMBG64CAE3 | 1.38 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 74.85 V | 5.51 | DO-215AA | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-215AA, SMB Gull Wing | YES | SMBG (DO-215AA) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | SMBG64 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) - annealed | 通用型 | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 260 | not_compliant | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 不合格 | 64 V | 64 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 71.1V | 600W | 5.8A | 103V | 103 V | 64V | 1 | 64 V | DO-215AA | - | 600 W | 71.1 V | 103 V | 78.6 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAPLAD15KP58A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | PLAD15 | PLAD | 15000 W | Uni-Directional | 表面贴装 | 64.4 V | 2.5 W | + 150 C | - | 0.077603 oz | - 55 C | 1 | 159 A | 15 kW | Microchip | 微芯片技术 | N | - | PLASTIC PACKAGE-1 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MAPLAD15KP58A | 2.5 W | SQUARE | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.58 | Military grade | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | 非标准 SMD | YES | PLAD | SILICON | 1 | 微芯片技术 | 活跃 | -55°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | unknown | 2 | SMD/SMT | S-PSSO-G1 | 不合格 | 58 V | 58 V | 单向 | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 64.4V | 15000W (15kW) | 159A | 93.6V | 93.6 V | 58V | 5 mA | 1 | 58 V | - | Military | 15000 W | 有 | 64.4 V | 71.2 V | 2 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MP6KE68CA | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | 活跃 | P6KE68 | 58.1 V | 1 | Compliant | 6.45 V | 5 W | + 150 C | 0.024692 oz | - 65 C | 1 | 57 A | 600 W | Microchip | 微芯片技术 | - | - | PLASTIC, T-18, 2 PIN | 长式 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MP6KE6.8CA | 1.47 W | ROUND | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.57 | ESD Suppressors / TVS Diodes | 通孔 | 通孔 | T-18, Axial | NO | 2 | T-18 | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Bulk | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 150 °C | -65 °C | Zener | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | unknown | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | 5.8 V | 5.8 V | 双向 | SINGLE | 1 Channel | 1 mA | Single | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 64.6V | 600W | 6.5A | 1 µA | 92V | 92 V | 58.1V | 6.5 A | 600 W | 双向 | 1 mA | 1 | 5.8 V | - | 6.45 V | 600 W | 6.45 V | 1 | 7.14 V | 64.6 V | 3.5 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||
![]() | MP6KE6.8AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | Bulk | P6KE6.8 | 58.1 V | Compliant | 6.45 V | 5 W | + 150 C | 0.024692 oz | - 65 C | 1 | 57 A | 600 W | Microchip | 微芯片技术 | O-PALF-W2 | 长式 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 有 | MP6KE68AE3 | 1.47 W | ROUND | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 68 V | 5.58 | ESD Suppressors / TVS Diodes | 通孔 | 通孔 | T-18, Axial | NO | 2 | T-18 | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | 哑光锡 | 150 °C | -65 °C | Zener | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | AXIAL | WIRE | 未说明 | compliant | Axial | O-PALF-W2 | 不合格 | 5.8 V | 5.8 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | Single | 跨压抑制二极管 | ISOLATED | 无 | 6.45V | 600W | 57A | 1 µA | 10.5V | 92 V | 5.8V | 6.5 A | 600 W | 单向 | 1 mA | 1 | 58.1 V | - | 600 W | 1 | 64.6 V | 92 V | 71.4 V | 64.6 V | 3.5 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||
![]() | MSMCGLCE7.5A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 2 months ago) | 活跃 | SMCGLCE7.5 | 1 | Microchip | 微芯片技术 | N | 75 V | PLASTIC, SMCG, 2 PIN | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 无 | MSMCGLCE7.5A | 5 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 8.77 V | 5.36 | DO-215AB | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | 表面贴装 | DO-215AB, SMC Gull Wing | YES | 2 | SMCG (DO-215AB) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Bulk | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 150 °C | -65 °C | Zener | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | unknown | 未说明 | 2 | R-PDSO-G2 | 不合格 | UNIDIRECTIONAL | SINGLE | Single | 跨压抑制二极管 | 无 | 8.33V | 1500W (1.5kW) | 100A | 5 µA | 12.9V | 121 V | 7.5V | 12.4 A | 1.5 kW | 单向 | 1 mA | 1 | 7.5 V | DO-215AB | 100pF @ 1MHz | 1500 W | 1 | 8.33 V | 12.9 V | 10.2 V | 83.3 V | TVS 二极管 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MAP6KE10CAE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | P6KE10 | 9.5 V | 5 W | + 150 C | 0.024692 oz | - 65 C | 1 | 41 A | 600 W | Microchip | 微芯片技术 | Details | ESD Suppressors / TVS Diodes | 通孔 | T-18, Axial | T-18 | 微芯片技术 | Bulk | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | Zener | 通用型 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | Axial | 8.55 V | 8.55 V | 双向 | 1 Channel | 无 | 9.5V | 600W | 41A | 14.5V | 14.5 V | 8.55V | 1 | - | 3.5 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMCJLCE7.5A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Production (Last Updated: 1 month ago) | 活跃 | SMCJLCE7.5 | 75 V | Compliant | 90 pF | 83.3 V | 5 W | + 150 C | 8 kV | 0.009065 oz | - 65 C | 1 | 12.4 A | 1.5 kW | Microchip | 微芯片技术 | 15 kV | PLASTIC, SMCJ, 2 PIN | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MASMCJLCE7.5A | 5 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 9.265 V | 5.26 | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | 表面贴装 | DO-214AB, SMC | YES | 2 | DO-214AB (SMCJ) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | Bulk | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 150 °C | -65 °C | Zener | 通用型 | HIGH RELIABILITY | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | C 弯管 | 未说明 | unknown | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-C2 | 不合格 | 75 V | 75 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | Single | 跨压抑制二极管 | 无 | 8.33V | 1500W (1.5kW) | 100A | 5 µA | 12.9V | 121 V | 7.5V | 12.4 A | 1.5 kW | 单向 | 1 mA | 1 | 7.5 V | DO-214AB | 100pF @ 1MHz | 1500 W | 1 | 8.33 V | 14.3 V | 10.2 V | 83.3 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||
![]() | MAPLAD15KP14A | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | PLAD15 | PLAD | 15000 W | Uni-Directional | 表面贴装 | 15.6 V | + 150 C | - | - 55 C | 645 A | 15 kW | - | PLASTIC PACKAGE-1 | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 无 | MAPLAD15KP14A | 2.5 W | SQUARE | Microsemi Corporation | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 5.58 | Military grade | 表面贴装 | 非标准 SMD | YES | PLAD | SILICON | 1 | 微芯片技术 | 活跃 | -55°C ~ 150°C (TJ) | Military, MIL-PRF-19500 | e0 | 无 | EAR99 | Zener | 锡铅 | 通用型 | 8541.10.00.50 | AVALANCHE | SINGLE | 鸥翼 | 未说明 | unknown | 2 | SMD/SMT | S-PSSO-G1 | 不合格 | 14 V | 单向 | Single | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 15.6V | 15000W (15kW) | 645A | 23.2V | 23.2 V | 14V | 5 mA | 1 | 14 V | - | Military | 15000 W | 有 | 15.6 V | 17.2 V | TVS 二极管 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MASMBG85AE3 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | SMBG85 | 9.44 V | 1.38 W | + 150 C | 0.003527 oz | - 65 C | 1 | 41.7 A | 600 W | Microchip | 微芯片技术 | Details | R-PDSO-G2 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | 40 | 有 | MASMBG8.5AE3 | 1.38 W | RECTANGULAR | 1 | 活跃 | MICROSEMI CORP | 9.92 V | 5.46 | DO-215AA | ESD Suppressors / TVS Diodes | 表面贴装 | DO-215AA, SMB Gull Wing | YES | SMBG (DO-215AA) | SILICON | 2 | 微芯片技术 | 活跃 | -65°C ~ 150°C (TJ) | Bulk | Military, MIL-PRF-19500 | e3 | 有 | EAR99 | Zener | Matte Tin (Sn) - annealed | 通用型 | 8541.10.00.50 | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes | AVALANCHE | DUAL | 鸥翼 | 260 | not_compliant | 2 | MIL-19500 | SMD/SMT | R-PDSO-G2 | 不合格 | 9 V | 8.5 V | 单向 | SINGLE | 1 Channel | 跨压抑制二极管 | 无 | 94.4V | 600W | 4.4A | 137V | 14.4 V | 85V | 1 | 8.5 V | DO-215AA | - | 600 W | 9.44 V | 14.4 V | 10.4 V | TVS 二极管 |