类别是'PMIC - 栅极驱动器'
PMIC - 栅极驱动器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 质量 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 电压 - 额定直流 | 最大功率耗散 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 输出的数量 | 资历状况 | 最大输出电流 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 模拟 IC - 其他类型 | 工作电源电流 | 元素配置 | 电源电流 | 输出电流 | 最大电源电流 | 输出电流 | 传播延迟 | 输入类型 | 接通延迟时间 | 电压 - 输出 | 上升时间 | 下降时间（典型值） | 上升/下降时间(Typ) | 接口IC类型 | 信道型 | 驱动器数量 | 接通时间 | 输出峰值电流限制-名 | 电源电压1-额定值 | 闸门类型 | 峰值输出电流（源极，漏极） | 高边驱动器 | 关断时间 | 高压侧电压-最大值(自举) | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | ||||
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 | ISL6612ACBZAR5214 | Intersil (Renesas Electronics America) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | SOIC | 2001 | 85°C | 0°C | 2 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ISL6614BIRZ-T | Intersil (Renesas Electronics America) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | VQFN | 16 | 2W | Tape & Reel | 2001 | e3 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 16 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 85°C | -40°C | QUAD | 260 | 2 | 12V | 0.65mm | 40 | 16 | 4 | INDUSTRIAL | 13.2V | 7V | 7.1mA | 3A | 26ns | 18 ns | 基于半桥的mosfet驱动器 | 2 | YES | 1mm | 无 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ISL6612ACBZ-TR5214 | Intersil (Renesas Electronics America) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | SOIC | 2000 | 85°C | 0°C | 2 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ISL6612ACBZA-TR5214 | Intersil (Renesas Electronics America) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | SOIC | 2001 | 85°C | 0°C | 2 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ISL6605CRZR5168 | Intersil (Renesas Electronics America) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | VQFN | 8 | 2001 | 70°C | 0°C | 2 | 4A | 5.5V | 4.5V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | HIP6603BECBZ | Intersil (Renesas Electronics America) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | SOIC | 8 | Bulk | 2001 | e3 | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 85°C | 0°C | 12V | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 12V | 30 | 8 | 730mA | OTHER | 13.2V | 10.8V | 730mA | 50ns | 20 ns | 基于半桥的mosfet驱动器 | 2 | 0.73A | YES | 3.9mm | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
.png) | MC33151VD | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | SOIC | YES | 560mW | e0 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 125°C | -40°C | DUAL | 鸥翼 | 2 | 12V | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | INDUSTRIAL | 6.5V | 10.5mA | 800mV | 31ns | 32 ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | 2 | 0.1 µs | 1.5A | NO | 0.1 µs | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXDI509D1T/R | IXYS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 2.4V | 表面贴装 | 表面贴装 | 6-VDFN Exposed Pad | 6 | Low-Side | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2007 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | 4.5V~30V | DUAL | 无铅 | 未说明 | 1 | 18V | 未说明 | IXD*509 | 6 | 不合格 | 9A | 4.5/30V | 75mA | 35 ns | Inverting | 45ns | 40 ns | 25ns 23ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Single | 1 | 0.055 µs | 9A | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | 9A 9A | NO | 0.04 µs | 0.95mm | 5mm | 3.99mm | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IXG611S1 | IXYS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Bulk | Obsolete | 1 (Unlimited) | IX*611 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXK611S1 | IXYS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Bulk | Obsolete | 1 (Unlimited) | IX*611 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXDI514D1 | IXYS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 1V 2.5V | 表面贴装 | 表面贴装 | 6-VDFN Exposed Pad | 6 | Low-Side | -55°C~150°C TJ | Bulk | 2007 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | 4.5V~30V | DUAL | 无铅 | 未说明 | 1 | 18V | 未说明 | IXD*514 | 6 | 不合格 | 18V | 3mA | Inverting | 40ns | 50 ns | 25ns 22ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Single | 1 | 14A | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | 14A 14A | NO | 5mm | 4mm | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXE611S1T/R | IXYS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 35 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 449.991981mg | Tape & Reel (TR) | Obsolete | 1 (Unlimited) | IX*611 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ISL6614BCBZ | Intersil (Renesas Electronics America) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | SOIC | 1W | 2001 | e3 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 14 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 85°C | 0°C | DUAL | 鸥翼 | 260 | 2 | 12V | 30 | 14 | 4 | OTHER | 13.2V | 7V | 7.1mA | 3A | 26ns | 18 ns | 基于半桥的mosfet驱动器 | 2 | YES | 1.75mm | 8.65mm | 3.9mm | 无 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ISL6620IBZ-T | Intersil (Renesas Electronics America) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | SOIC | 2001 | e3 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 85°C | -40°C | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 5V | 未说明 | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | 4A | 5V | INDUSTRIAL | 5.5V | 4.5V | 1.27mA | 4A | 8ns | 8 ns | 和基于栅极的mosfet驱动器 | 2 | 4A | YES | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RT9624AZSP | Richtek USA Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.7V 3.2V | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad | Half-Bridge | -40°C~125°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2013 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 4.5V~13.2V | 开关控制器 | Inverting, Non-Inverting | 25ns 12ns | Synchronous | 2 | N-Channel MOSFET | 15V | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ISL78420ARTAZ | Intersil (Renesas Electronics America) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 18 Weeks | 表面贴装 | 10 | 3W | 2010 | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 10 | Matte Tin (Sn) - annealed | 125°C | -40°C | DUAL | 12V | 0.8mm | 10 | 2A | AUTOMOTIVE | 14V | 8V | 4mA | 基于半桥的mosfet驱动器 | 2 | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ISL6620AIBZ | Intersil (Renesas Electronics America) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | SOIC | 8 | 2001 | e3 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 85°C | -40°C | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 5V | 30 | 8 | 不合格 | 4A | 5V | INDUSTRIAL | 5.5V | 4.5V | 1.27mA | 4A | 8ns | 8 ns | 和基于栅极的mosfet驱动器 | 2 | 4A | YES | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ISL6620AIRZ | Intersil (Renesas Electronics America) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | DFN | 10 | 2001 | e3 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 10 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 85°C | -40°C | DUAL | 无铅 | 260 | 1 | 5V | 0.5mm | 未说明 | 10 | 不合格 | 4A | 5V | INDUSTRIAL | 5.5V | 4.5V | 1.27mA | 4A | 8ns | 8 ns | 和基于栅极的mosfet驱动器 | 2 | 4A | YES | 1mm | 3mm | 3mm | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ISL6608IB-T | Intersil (Renesas Electronics America) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | SOIC | 2004 | e0 | Discontinued | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 85°C | -40°C | DUAL | 鸥翼 | 240 | 1 | 5V | 未说明 | 8 | R-PDSO-G8 | 2 | 不合格 | 5.5V | 5V | INDUSTRIAL | 4.5V | 基于半桥的mosfet驱动器 | 4A | YES | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXC611S1 | IXYS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Bulk | Obsolete | 1 (Unlimited) | IX*611 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXDN509D1 | IXYS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 2.4V | 表面贴装 | 表面贴装 | 6-VDFN Exposed Pad | 6 | Low-Side | -55°C~150°C TJ | Bulk | 2007 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | 4.5V~30V | DUAL | 无铅 | 未说明 | 1 | 18V | 未说明 | IXD*509 | 6 | 不合格 | 4.5/30V | 75mA | Non-Inverting | 45ns | 40 ns | 25ns 23ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Single | 1 | 0.055 µs | 9A | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | 9A 9A | NO | 0.04 µs | 0.95mm | 5mm | 3.99mm | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXG611S1T/R | IXYS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 35 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 449.991981mg | Tape & Reel (TR) | Obsolete | 1 (Unlimited) | IX*611 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| NTCW4A01PZ | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tape & Reel (TR) | Obsolete | 3 (168 Hours) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ISL6613IRZ | Intersil (Renesas Electronics America) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | DFN | 10 | 2001 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 10 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 85°C | -40°C | DUAL | 无铅 | 260 | 1 | 0.5mm | 30 | 10 | 不合格 | 3A | INDUSTRIAL | 13.2V | 10.8V | 3A | 26ns | 18 ns | 基于半桥的mosfet驱动器 | 2 | 3A | 12V | YES | 1mm | 3mm | 3mm | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MAX17605ASA+ | Maxim Integrated | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 2V 4.25V | 12 ns | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Low-Side | -40°C~150°C TJ | Tube | 2012 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 588.2mW | 4V~14V | 鸥翼 | 2 | 12V | MAX17605 | 8 | 4A | Dual | 1A | 4A | Inverting, Non-Inverting | 12 ns | 6ns | 5 ns | 40ns 25ns | 基于半桥的mosfet驱动器 | Independent | 2 | 4A | IGBT, SiC MOSFET | 4A 4A | YES | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 无 | ROHS3 Compliant |