类别是'PMIC - 栅极驱动器'
PMIC - 栅极驱动器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 质量 | 终端数量 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 终端 | ECCN 代码 | 类型 | 电阻 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 最大功率耗散 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 输出的数量 | 资历状况 | 输出电压 | 最大输出电流 | 工作电源电压 | 电源 | 温度等级 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 工作电源电流 | 电源电流 | 功率耗散 | 输出电流 | 最大电源电流 | 输出电流 | 传播延迟 | 输入类型 | 接通延迟时间 | 最大输出电压 | 座位高度-最大 | 上升时间 | 下降时间（典型值） | 最小输出电压 | 上升/下降时间(Typ) | 接口IC类型 | 信道型 | 驱动器数量 | 接通时间 | 输出峰值电流限制-名 | 电源电压1-额定值 | 闸门类型 | 峰值输出电流（源极，漏极） | 最大结点温度（Tj） | 高边驱动器 | 关断时间 | 内置保护器 | 高压侧电压-最大值(自举) | 环境温度范围高 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | NCP3418APDR2 | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 2V | OBSOLETE (Last Updated: 2 days ago) | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad | 8 | Half-Bridge | 0°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2007 | e3 | no | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Tin (Sn) | 4.6V~13.2V | DUAL | 鸥翼 | 240 | 1 | 12V | 30 | NCP3418 | 8 | 不合格 | 6mA | Non-Inverting | 18ns 10ns | Synchronous | 2 | 0.06 µs | N-Channel MOSFET | YES | 0.06 µs | 30V | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TPIC44L01DB | NA | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 24-SSOP (0.209, 5.30mm Width) | 24 | 170.494032mg | Low-Side | -40°C~150°C TJ | Tube | e4 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 24 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 4.5V~5.5V | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 5V | 0.65mm | TPIC44L01 | 24 | 4 | 5V | 5V | 4.2mA | 2.5mA | Non-Inverting | 30ns | 20 ns | 3.5μs 3μs | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Independent | 12V | N-Channel, P-Channel MOSFET | 1.2mA 1.2mA | NO | 3.5 µs | 2mm | 8.2mm | 5.3mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TPIC44H01DARG4 | NA | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-TSSOP (0.240, 6.10mm Width) | 32 | 173.300635mg | High-Side | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | e4 | yes | Discontinued | 2 (1 Year) | 32 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 4.5V~5.5V | DUAL | 鸥翼 | 260 | 4 | 5V | 0.65mm | TPIC44H01 | 32 | 512V | Non-Inverting | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Independent | 4 | 5 µs | 12V | N-Channel MOSFET | YES | 5 µs | 1.2mm | 11mm | 6.1mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | E-L6385D | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 | 4(Max) | 5(Max) | 1.65(Max) | 表面贴装 | SO N | SOP | 欠压锁定 | 125 | -45 | 750 | 600(Max) | 3.6(Min) | 1.5(Max) | 0.32 | 17 | TTL|CMOS | 110(Typ) | 400 | 30(Typ) | 50(Typ) | Synchronous | Non-Inverting | 高低侧 | EAR99 | SOP, | 小概要 | PLASTIC/EPOXY | 15 V | E-L6385D | SOP | RECTANGULAR | STMicroelectronics | Obsolete | STMICROELECTRONICS | 17 V | 5.82 | SOIC | YES | 8 | Gull-wing | Tube | Obsolete | EAR99 | MOSFET|IGBT | 8542.39.00.01 | DUAL | 鸥翼 | 1 | 1.27 mm | unknown | 8 | R-PDSO-G8 | 2 | 不合格 | 1.75 mm | 基于半桥的mosfet驱动器 | 2 | 0.65 A | YES | 4.9 mm | 3.9 mm | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IPN10ELSXUMA1 | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 26 Weeks | 0.8V 3.5V | Automotive grade | 表面贴装 | 14-LSSOP (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad | Half-Bridge | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2005 | 汽车 | Obsolete | 1 (Unlimited) | EAR99 | 4V~40V | 未说明 | compliant | 未说明 | Non-Inverting | 380ns 380ns | Independent | 2 | N-Channel, P-Channel MOSFET | 400mA 400mA | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MCP14E5T-E/SL | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 0.8V 2.4V | 表面贴装 | 16-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Low-Side | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2008 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 4.5V~18V | MCP14E5 | 4.5A | Inverting, Non-Inverting | 15ns 18ns | Independent | 2 | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | 4A 4A | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
.png) | LT8311EFE#TRPBF | Analog Devices, Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | PRODUCTION (Last Updated: 3 months ago) | 表面贴装 | TSSOP | 20 | 150°C | -40°C | 4.5mA | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ISL89165FBEBZ-T | Intersil (Renesas Electronics America) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 25 ns | 表面贴装 | SOIC | 8 | 33.3W | Tape & Reel (TR) | 2010 | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 125°C | -40°C | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 12V | 未说明 | 不合格 | 6A | AUTOMOTIVE | 16V | 4.5V | 5mA | 6A | 25 ns | 20ns | 20 ns | 和基于栅极的mosfet驱动器 | 2 | 0.05 µs | 6A | YES | 0.05 µs | 3.9mm | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL7412CM | Rochester Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | SOIC | Bulk | 85°C | -40°C | 4 | 100mA | 符合RoHS标准 | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MAX5048BAUT+T | Maxim Integrated | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 0.8V 2.4V | 表面贴装 | SOT-23-6 | YES | 6 | Low-Side | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2012 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 4V~12.6V | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 12V | 0.95mm | 未说明 | MAX5048 | 不合格 | Inverting, Non-Inverting | 82ns 12.5ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Single | 1 | N-Channel MOSFET | 1.3A 7.6A | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MAX628CSA+ | Maxim Integrated | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 0.8V 2.4V | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | 8 | Low-Side | 0°C~70°C TA | Tube | 1997 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 4.5V~18V | DUAL | 鸥翼 | 260 | 2 | 未说明 | MAX628 | 8 | 2 | 不合格 | 18V | 2A | Inverting, Non-Inverting | 25ns 20ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Independent | 0.06 μs | 2A | N-Channel, P-Channel MOSFET | 2A 2A | NO | 0.04 μs | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX5062BASA+ | Maxim Integrated | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Half-Bridge | -40°C~150°C TJ | Tube | 2007 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 470.6mW | 8V~12.6V | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 12V | 未说明 | MAX5062 | 8 | 不合格 | 2A | 3mA | 3mA | Inverting, Non-Inverting | 65ns | 65 ns | 65ns 65ns | Independent | 2 | 0.063 μs | 2A | N-Channel MOSFET | 2A 2A | YES | 0.063 μs | 125V | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IXDD409YI | IXYS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 3.5V | 表面贴装 | 表面贴装 | TO-263-6, D2Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA | 1.59999g | Low-Side | -55°C~150°C TJ | Tube | 2004 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 5 | EAR99 | Tin (Sn) | 4.5V~35V | 鸥翼 | NOT APPLICABLE | 1 | 18V | NOT APPLICABLE | IXD*409 | 4 | R-PSSO-G5 | 不合格 | 35V | 3mA | 9A | Non-Inverting | 15ns | 15 ns | 10ns 10ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Single | 1 | 0.04 µs | 9A | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | 9A 9A | NO | 0.036 µs | 4.8mm | 9.975mm | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IXDD509D1 | IXYS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 2.4V | 表面贴装 | 表面贴装 | 6-VDFN Exposed Pad | 6 | Low-Side | -55°C~150°C TJ | Bulk | 2007 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | 4.5V~30V | DUAL | 无铅 | 未说明 | 2 | 18V | 未说明 | IXD*509 | 6 | 不合格 | 75mA | Non-Inverting | 45ns | 40 ns | 25ns 23ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Single | 1 | 9A | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | 9A 9A | NO | 5mm | 4mm | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IXDD408CI | IXYS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 3.5V | 通孔 | 通孔 | TO-220-5 | 5 | 3.000003g | Low-Side | -40°C~150°C TJ | Tube | 2001 | e3 | Obsolete | 不适用 | 5 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 17W | 4.5V~25V | 260 | 1 | 18V | 35 | IXD*408 | 3 | 不合格 | 25V | 3mA | 8A | Non-Inverting | 18ns | 19 ns | 14ns 15ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Single | 1 | 0.042 µs | 8A | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | 8A 8A | YES | 0.038 µs | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IRS2181STRPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 0.8V 2.5V | 220 ns | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 540.001716mg | Half-Bridge | -40°C~150°C TJ | Cut Tape (CT) | 1996 | e3 | 活跃 | 2 (1 Year) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 625mW | 10V~20V | DUAL | 鸥翼 | 1 | 15V | IRS2181SPBF | 10V | 2.3A | 15V | 240μA | 120μA | 625mW | 240μA | 1.9A | 220 ns | Non-Inverting | 180 ns | 40ns | 20 ns | 40ns 20ns | 基于缓冲器或反相器的外设驱动器 | Independent | 2 | IGBT, N-Channel MOSFET | 1.9A 2.3A | 150°C | 0.33 μs | TRANSIENT; UNDER VOLTAGE | 600V | 125°C | 1.75mm | 4.9784mm | 3.9878mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRS2128STRPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 2.5V | 150 ns | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | High-Side | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1996 | e3 | Obsolete | 2 (1 Year) | 8 | EAR99 | 125Ohm | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 625mW | 12V~20V | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 15V | 30 | IRS2128SPBF | 600mA | 120μA | 625mW | 120μA | 200mA | 200 ns | Inverting | 150 ns | 130ns | 65 ns | 80ns 40ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Single | 1 | 0.2 μs | 0.6A | IGBT, N-Channel MOSFET | 290mA 600mA | YES | 0.2 μs | 600V | 1.4986mm | 4.9784mm | 3.9878mm | 无 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRS26072DSPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 2.5V | 300 ns | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Half-Bridge | -40°C~150°C TJ | Tube | 1996 | e3 | Obsolete | 2 (1 Year) | 8 | EAR99 | 200Ohm | Matte Tin (Sn) | 625mW | 10V~20V | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 15V | 30 | IRS26072DSPBF | 2 | 20V | 350mA | 15V | 1.1mA | 625mW | 200mA | 300 ns | Non-Inverting | 300 ns | 220ns | 80 ns | 150ns 50ns | Independent | 0.3 μs | IGBT, N-Channel MOSFET | 200mA 350mA | 0.3 μs | TRANSIENT; UNDER VOLTAGE | 600V | 1.4986mm | 4.9784mm | 3.9878mm | 无 | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRS25091SPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 2.2V | 250 ns | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Half-Bridge | -40°C~150°C TJ | Tube | 2006 | Obsolete | 2 (1 Year) | 8 | EAR99 | 625mW | 10V~20V | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 1 | 15V | 未说明 | IRS25091SPBF | 不合格 | 200mA | 15V | 625mW | 200mA | 1.1 μs | Non-Inverting | 60 ns | 220ns | 80 ns | 150ns 50ns | Synchronous | 2 | IGBT, N-Channel MOSFET | 200mA 350mA | 0.4 μs | TRANSIENT; OVER CURRENT; UNDER VOLTAGE | 600V | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IR25606SPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 0.8V 2.9V | 280 ns | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Half-Bridge | -40°C~150°C TJ | Tube | 1996 | 最后一次购买 | 2 (1 Year) | 8 | EAR99 | 625mW | 10V~20V | DUAL | 鸥翼 | 15V | IR25606SPBF | 2 | 20V | 350mA | 15V | 200mA | 625mW | 200mA | 300 ns | Non-Inverting | 46 ns | 220ns | 80 ns | 150ns 50ns | Independent | IGBT, N-Channel MOSFET | 200mA 350mA | 600V | 1.5mm | 5mm | 4mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IR2111STRPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 8.3V 12.6V | 180 ns | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Half-Bridge | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 1996 | e3 | 活跃 | 2 (1 Year) | 8 | SMD/SMT | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 625mW | 10V~20V | DUAL | 鸥翼 | 1 | 15V | IR2111SPBF | 20V | 500mA | 15V | 180μA | 625mW | 180μA | 500mA | 950 ns | Non-Inverting | 950 ns | 20V | 130ns | 65 ns | 10V | 80ns 40ns | Synchronous | 2 | 0.95 μs | 0.5A | IGBT, N-Channel MOSFET | 250mA 500mA | YES | 600V | 1.4986mm | 4.9784mm | 3.9878mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IR2109SPBF | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 0.8V 2.9V | 70 ns | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Half-Bridge | -40°C~150°C TJ | Tube | 1996 | e3 | 活跃 | 2 (1 Year) | 8 | SMD/SMT | EAR99 | Matte Tin (Sn) | FLOATING LOAD DRIVER; UNDER VOLTAGE LOCKOUT CIRCUIT | 625mW | 10V~20V | DUAL | 鸥翼 | 1 | 15V | IR2109SPBF | 2 | 20V | 350mA | 15V | 1.6mA | 625mW | 1.6mA | 200mA | 950 ns | Non-Inverting | 70 ns | 20V | 220ns | 80 ns | 10V | 150ns 50ns | Synchronous | 0.95 μs | 0.35A | IGBT, N-Channel MOSFET | 200mA 350mA | YES | 600V | 1.4986mm | 4.9784mm | 3.9878mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | Contains Lead, Lead Free | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MAX5048BATT+T | Maxim Integrated | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 0.8V 2.4V | 表面贴装 | 表面贴装 | 6-WDFN Exposed Pad | 6 | Low-Side | -40°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2012 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 1.454W | 4V~12.6V | DUAL | 260 | 1 | 12V | 0.95mm | MAX5048 | 6 | 7.6A | 1.5mA | 6.85μA | Inverting, Non-Inverting | 82ns | 12.5 ns | 82ns 12.5ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Single | 1 | 0.027 µs | 7.6A | N-Channel MOSFET | 1.3A 7.6A | YES | 0.027 µs | 0.8mm | 3mm | 3mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MAX15070AAUT+T | Maxim Integrated | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | SOT-23-6 | 6 | 22 ns | Strip | 2013 | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 125°C | -40°C | OUTPUT PEAK SOURCE CURRENT IS 3A | 696mW | DUAL | 鸥翼 | 1 | 4.5V | 0.95mm | 3A | AUTOMOTIVE | 14V | 4V | 1mA | 21 ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | 1 | 7A | NO | 0.022 μs | 2.9mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IXDD409SI | IXYS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 3.5V | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 449.991981mg | Low-Side | -55°C~150°C TJ | Tube | 2004 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 4.5V~35V | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 1 | 18V | 未说明 | IXD*409 | 8 | 不合格 | 9A | 3mA | 9A | 40 ns | Non-Inverting | 40 ps | 15ns | 15 ns | 10ns 10ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Single | 1 | 0.04 µs | 9A | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | 9A 9A | NO | 0.036 µs | 4.9mm | 3.9mm | 符合RoHS标准 |