类别是'PMIC - 栅极驱动器'
PMIC - 栅极驱动器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 终端数量 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 终端 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 最大功率耗散 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 输出的数量 | 资历状况 | 最大输出电流 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 通道数量 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 模拟 IC - 其他类型 | 工作电源电流 | 电源电流 | 功率耗散 | 输出电流 | 输出电流 | 传播延迟 | 输入类型 | 接通延迟时间 | 最大输出电压 | 电压 - 输出 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 上升时间 | 供应电流-最大值(Isup) | 下降时间（典型值） | 最小输出电压 | 输出极性 | 输入特性 | 上升/下降时间(Typ) | 接口IC类型 | 信道型 | 驱动器数量 | 接通时间 | 输出峰值电流限制-名 | 电源电压1-额定值 | 闸门类型 | 峰值输出电流（源极，漏极） | 高边驱动器 | 关断时间 | 内置保护器 | 高压侧电压-最大值(自举) | 输出电流流向 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||
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.png) | MIC4421BM | Micrel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 小概要 | 1 | PLASTIC/EPOXY | SOP8,.25 | -40 °C | 18 V | 30 | 4.5 V | 85 °C | 无 | MIC4421BM | 0.08 µs | SOP | RECTANGULAR | Microchip Technology Inc | Obsolete | 0.08 µs | MICREL INC | 18 V | 5.04 | SOIC | YES | 8 | SOP, SOP8,.25 | e0 | EAR99 | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 8542.39.00.01 | MOSFET驱动器 | BCDMOS | DUAL | 鸥翼 | 240 | 1 | 1.27 mm | not_compliant | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | 4.5/18 V | INDUSTRIAL | TOTEM-POLE | 1.879 mm | INVERTED | STANDARD | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | 9 A | NO | 4.9 mm | 3.9 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UC3715DPG4 | NA | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 2V | 表面贴装 | 表面贴装 | 16-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 16 | 156.489368mg | Low-Side | 0°C~150°C TJ | Tube | no | Obsolete | 2 (1 Year) | 16 | EAR99 | 7V~20V | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 1 | 15V | unknown | 1MHz | 未说明 | UC3715 | 16 | 不合格 | 2A | 15V | 24mA | 2A | 100 ns | Non-Inverting | 30ns | 25 ns | 30ns 25ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Synchronous | 2 | 0.1 μs | 2A | N-Channel, P-Channel MOSFET | 500mA 1A | YES | 0.1 μs | 1.75mm | 9.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | LTC4441ES8-1#PBF | Linear Technology/Analog Devices | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 1.8V 2V | PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago) | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | 8 | Low-Side | -40°C~125°C TJ | Tube | 2011 | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 5V~25V | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 7.5V | 30 | LTC4441 | 8 | 不合格 | 6A | 7.5V | 36 ns | Non-Inverting | 36 ns | 13ns | 8 ns | 13ns 8ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Single | 1 | 6A | N-Channel MOSFET | 6A 6A | NO | 4.9025mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IR21366SPBF | International Rectifier | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 180 ns | 表面贴装 | SOIC | 28 | 1.6W | 2012 | e3 | 28 | SMD/SMT | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 125°C | -40°C | FLOATING LOAD DRIVER; UNDER VOLTAGE LOCKOUT CIRCUIT | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 15V | 1.27mm | 30 | 28 | 3 | 不合格 | 350mA | AUTOMOTIVE | 20V | 12V | 1.6W | 200mA | 250 ns | 20V | 620V | 190ns | 75 ns | 10V | 基于半桥的mosfet驱动器 | 3-Phase | 6 | 0.35A | YES | 17.9mm | 7.5mm | 无SVHC | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IXDI609SIATR | IXYS Integrated Circuits Division | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 0.8V 3V | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 8-SOIC | 540.001716mg | Low-Side | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2012 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 125°C | -40°C | 4.5V~35V | 1 | 35V | 4.5V | 10μA | Inverting | 22ns | 15 ns | 22ns 15ns | Single | 1 | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | 9A 9A | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | NCP81063MNTXG | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 4 Weeks | 0.7V 3.4V | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago) | 表面贴装 | 8-VFDFN Exposed Pad | High-Side or Low-Side | -40°C~125°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2017 | e3 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | Tin (Sn) | 4.5V~13.2V | 未说明 | 未说明 | 两端电压参考 | Non-Inverting | 30ns 27ns | Synchronous | 1 | N-Channel, P-Channel MOSFET | 2.5A 1.6A | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TC4428VOA713-VAO | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 2.4V | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | Low-Side | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | Automotive, AEC-Q100 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 4.5V~18V | DUAL | 鸥翼 | 2 | TC4428 | R-PDSO-G8 | Inverting, Non-Inverting | 19ns 19ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Independent | 2 | 0.04 µs | 1.5A | N-Channel, P-Channel MOSFET | 1.5A 1.5A | YES | 0.06 µs | 1.75mm | 4.9mm | 3.91mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | LM5100SD/NOPB | NA | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 3V 8V | 10 ns | 表面贴装 | 表面贴装 | 10-WDFN Exposed Pad | 10 | Half-Bridge | -40°C~125°C TJ | Tape & Reel (TR) | e3 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 10 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 9V~14V | DUAL | 无铅 | 260 | 1 | 12V | 0.8mm | 40 | LM5100 | 10 | 不合格 | 1.8A | 45 ns | Non-Inverting | 10 ns | 600ns | 600 ns | 600ns 600ns | Independent | 2 | 0.045 µs | 1.8A | 12V | N-Channel MOSFET | 1.6A 1.6A | 0.045 µs | UNDER VOLTAGE | 118V | 水槽 | 0.8mm | 4mm | 4mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRS26320C | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | 2016 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MIC4424YMTR | Micrel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 2005 | 活跃 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | UCC27325PG4 | NA | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 1V 2V | 通孔 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | Low-Side | -55°C~150°C TJ | Tube | 活跃 | 1 (Unlimited) | 4.5V~15V | UCC27325 | Inverting, Non-Inverting | 20ns 15ns | Independent | 2 | N-Channel, P-Channel MOSFET | 4A 4A | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXDD509PI | IXYS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 2.4V | 通孔 | 通孔 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | 599.989307mg | Low-Side | -55°C~150°C TJ | Tube | 2007 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 4.5V~30V | DUAL | 未说明 | 1 | 18V | 2.54mm | 未说明 | IXD*509 | 8 | R-PDIP-T8 | 不合格 | 75mA | Non-Inverting | 45ns | 40 ns | 25ns 23ns | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Single | 1 | 9A | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | 9A 9A | NO | 4.57mm | 9.59mm | 7.62mm | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IXDD430MYI | IXYS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 3.5V | 表面贴装 | 表面贴装 | TO-263-6, D2Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA | 1.59999g | Low-Side | -55°C~150°C TJ | Bulk | 2005 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 5 | EAR99 | 2W | 8.5V~35V | 鸥翼 | 未说明 | 1 | 18V | 未说明 | IXD*430 | 4 | R-PSSO-G5 | 不合格 | 35V | 3mA | 30A | Non-Inverting | 20ns | 18 ns | 18ns 16ns | BUFFER OR INVERTER BASED IGBT/MOSFET DRIVER | Single | 1 | 0.045 µs | 30A | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | 30A 30A | YES | 0.039 µs | 4.8mm | 9.975mm | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXDI402PI | IXYS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 3V | 通孔 | 通孔 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | 8 | 599.989307mg | Low-Side | -55°C~150°C TJ | Tube | 2004 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 4.5V~35V | DUAL | 260 | 2 | 18V | 35 | IXD*402 | 8 | 不合格 | 35V | 3mA | 2A | Inverting | 10ns | 9 ns | 8ns 8ns | 基于缓冲器或反相器的外设驱动器 | Independent | 2 | 2A | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | 2A 2A | 4.57mm | 9.59mm | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IR2137J | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 68-PLCC | YES | Half-Bridge | -40°C~150°C TJ | Tube | 2002 | e0 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 68 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 12.5V~20V | QUAD | J BEND | 15V | 1.27mm | IR2137J | S-PQCC-J68 | 不合格 | 15V | Inverting | 20mA | 115ns 25ns | 3-Phase | 3 | IGBT | 600V | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXDN414PI | IXYS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 0.8V 3.5V | 通孔 | 通孔 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | 8 | 599.989307mg | Low-Side | -55°C~150°C TJ | Tube | 2004 | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 833mW | 4.5V~35V | DUAL | 260 | 1 | 18V | 2.54mm | 35 | IXD*414 | 8 | 不合格 | 35V | 3mA | 14A | Non-Inverting | 27ns | 25 ns | 22ns 20ns | 基于缓冲器或反相器的外设驱动器 | Single | 1 | 0.033 µs | 14A | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | 14A 14A | 0.034 µs | 4.57mm | 9.59mm | 7.62mm | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | ISL6620CRZ-T | Intersil (Renesas Electronics America) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | DFN | 10 | 2001 | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 10 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 70°C | 0°C | DUAL | 无铅 | 260 | 1 | 5V | 0.5mm | 30 | 不合格 | 4A | 5V | COMMERCIAL | 5.5V | 4.5V | 1.27mA | 4A | 8ns | 8 ns | 和基于栅极的mosfet驱动器 | 2 | 4A | YES | 1mm | 3mm | 3mm | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IXDN602SITR | IXYS Integrated Circuits Division | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 0.8V 3V | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad | 8 | 8-SOIC-EP | Low-Side | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2012 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 125°C | -40°C | 4.5V~35V | 2 | 2A | 35V | 4.5V | 60 ns | Non-Inverting | 60 ns | 15ns | 15 ns | 7.5ns 6.5ns | Independent | 2 | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | 2A 2A | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | LTC1165CN8#PBF | Linear Technology/Analog Devices | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 通孔 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | NO | High-Side | 0°C~70°C TA | Tube | 1996 | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 1.8V~6V | DUAL | 未说明 | 3 | 2.54mm | 未说明 | LTC1165 | 8 | R-PDIP-T8 | 不合格 | 1.8/6V | Inverting | TOTEM-POLE | INVERTED | 触发器 | 基于缓冲器或逆变器的MOSFET驱动器 | Independent | 3 | 400 µs | N-Channel MOSFET | YES | 150 µs | 7.62mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | EL7242CSZ | Intersil Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | -40°C | YES | 8 | 85°C | e3 | 3 (168 Hours) | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 8542.39.00.01 | DUAL | 鸥翼 | 260 | 2 | 15V | 1.27mm | compliant | 30 | 8, 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | 16V | 15V | INDUSTRIAL | 4.5V | 和基于栅极的mosfet驱动器 | 0.025 µs | 2A | NO | 0.025 µs | 1.7272mm | 4.9022mm | 3.9116mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 1SC0450V2A0-65 | Power Integrations | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | Industrial grade | 表面贴装 | Module | Module | High-Side or Low-Side | -40°C~85°C TA | Tray | 2016 | SCALE™-2 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 14.5V~15.5V | 30ns 25ns | Single | 1 | IGBT | 50A 50A | 6500V | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IX21844G | IXYS Integrated Circuits Division | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 9 Weeks | 0.8V 2V | 通孔 | 通孔 | 14-DIP (0.300, 7.62mm) | 14-DIP | Half-Bridge | -40°C~150°C TJ | Tube | 2014 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 150°C | -40°C | 10V~20V | 1.8A | 1 | Non-Inverting | 23ns 14ns | Synchronous | 2 | IGBT, N-Channel MOSFET | 1.4A 1.8A | 600V | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IXDI614SITR | IXYS Integrated Circuits Division | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 0.8V 3V | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Exposed Pad | 8 | 8-SOIC-EP | Low-Side | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2015 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 125°C | -40°C | 4.5V~35V | 1 | 14A | 35V | 4.5V | 70 ns | Inverting | 70 ns | 35ns | 25 ns | 25ns 18ns | Single | 1 | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | 14A 14A | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IRS2332B | Infineon Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Bulk | 2016 | Obsolete | 1 (Unlimited) | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | L9857-TR-S | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 3 (168 Hours) | L9857 | ROHS3 Compliant |