类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 终端数量 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 界面 | 内存大小 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 最大电源电流 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 访问时间(最大) | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | I2C控制字节 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||
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SST39VF802C-70-4I-B3KE | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-TFBGA | 48 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2011 | SST39 MPF™ | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | TOP BOOT BLOCK | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 5MHz | 40 | SST39VF802C | 48 | 3.3V | 3.6V | 2.7V | 8Mb 512K x 16 | 18mA | 70ns | FLASH | Parallel | 16b | 512KX16 | 10μs | 19b | 8 Mb | 0.00002A | Asynchronous | 16b | 2.7V | YES | YES | YES | 256 | 2K | YES | TOP | YES | 750μm | 8mm | 6mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
N25Q128A13BF840E | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-VDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2011 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | 3A991.B.1.A | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | 30 | N25Q128A13 | 8 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | SPI, Serial | 128Mb 16M x 8 | 20mA | 108MHz | 7 ns | FLASH | SPI | 8 | 8ms, 5ms | 24b | 128 Mb | 0.0001A | Synchronous | 8b | 3V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 256B | BOTTOM | 1mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SST39LF020-45-4C-MME | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 34-WFBGA | YES | 34 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2010 | SST39 MPF™ | e1 | yes | Obsolete | 2 (1 Year) | 34 | EAR99 | 锡银铜 | 8542.32.00.51 | 3V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3.3V | 0.5mm | 40 | SST39LF020 | 34 | 3.3V | 3.6V | 3V | 2Mb 256K x 8 | 20mA | 45ns | FLASH | Parallel | 8b | 256KX8 | 8 | 20μs | 18b | 2 Mb | 0.000015A | Asynchronous | 8b | 3V | YES | YES | YES | 64 | 4K | 0.73mm | 6mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
24LC21A-I/PG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | IN-LINE | 128 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 未说明 | 85 °C | 有 | 24LC21A-I/PG | 0.4 MHz | 128 words | 3 V | DIP | RECTANGULAR | Microchip Technology Inc | 活跃 | MICROCHIP TECHNOLOGY INC | 5.21 | DIP | NO | 8 | 0.300 INCH, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-8 | e3 | 有 | EAR99 | 哑光锡 | 2-WIRE SERIAL INTERFACE | 8542.32.00.51 | CMOS | DUAL | THROUGH-HOLE | 未说明 | 1 | 2.54 mm | compliant | 8 | R-PDIP-T8 | 不合格 | 5.5 V | INDUSTRIAL | 2.5 V | SYNCHRONOUS | 128X8 | 5.33 mm | 8 | 1024 bit | SERIAL | EEPROM | I2C | 10 ms | 9.27 mm | 7.62 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NV25040DWHFT3G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 9 Weeks | Automotive grade | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~150°C TA | Tape & Reel (TR) | Automotive, AEC-Q100 | e4 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 2.5V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 5V | 1.27mm | 未说明 | R-PDSO-G8 | 5.5V | 2.5V | 4Kb 512 x 8 | SYNCHRONOUS | 10MHz | 40ns | EEPROM | SPI | 512X8 | 8 | 4ms | 4096 bit | SERIAL | SPI | 4ms | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AM29F040B-70JC | AMD | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | CHIP CARRIER | 512000 | PLASTIC/EPOXY | LDCC32,.5X.6 | 未说明 | 70 ns | 70 °C | 无 | AM29F040B-70JC | 524288 words | 5 V | QCCJ | RECTANGULAR | AMD | Transferred | ADVANCED MICRO DEVICES INC | 3.77 | LCC | YES | 32 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | e0 | EAR99 | NOR型号 | MINIMUM 1000K PROGRAM/ERASE CYCLE ;20 YEAR DATA RETENTION | 8542.32.00.51 | 闪存 | CMOS | QUAD | J BEND | 未说明 | 1 | 1.27 mm | unknown | 32 | R-PQCC-J32 | 不合格 | 5.5 V | 5 V | COMMERCIAL | 4.5 V | ASYNCHRONOUS | 0.04 mA | 512KX8 | 3-STATE | 3.556 mm | 8 | 0.000005 A | 4194304 bit | PARALLEL | FLASH | 5 V | 1000000 Write/Erase Cycles | 20 | YES | YES | YES | 8 | 64K | 13.97 mm | 11.43 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
W9825G2JB-6I | Winbond Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 90-TFBGA | 90 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2011 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 90 | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.24 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 1 | 3.3V | 0.8mm | 90 | 3.3V | 3.6V | 2.7V | 256Mb 8M x 32 | 1 | 150mA | 166MHz | 5ns | DRAM | Parallel | 32b | 8MX32 | 32 | 12b | 256 Mb | 0.004A | COMMON | 4096 | 1248FP | 1248 | 1.2mm | 13mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
25AA080BT-I/MS | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2007 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 0.65mm | 40 | 25AA080B | 8 | 5.5V | 2/5V | SPI, Serial | 8Kb 1K x 8 | 6mA | 10MHz | 160 ns | EEPROM | SPI | 8 | 5ms | 8 kb | 0.000001A | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE/SOFTWARE | 1.1mm | 3mm | 3mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AT93C66B-XPD-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2010 | Automotive, AEC-Q100 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | IT ALSO OPERATES AT 4.5 TO 5.5 | 2.5V~5.5V | DUAL | 1 | 5V | 0.65mm | 5.5V | 3/5V | 2.5V | Serial | 4Kb 512 x 8 256 x 16 | 2mA | 1MHz | EEPROM | SPI | 256X16 | 16 | 5ms | 4 kb | 0.00001A | 3-WIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 100 | SOFTWARE | 8 | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
93C66C-I/ST | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2008 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.65mm | 40 | 93C66C | 8 | 5V | 5V | Serial | 4Kb 512 x 8 256 x 16 | 2mA | 3MHz | 200 ns | EEPROM | SPI | 256X16 | 16 | 2ms | 4 kb | 0.000001A | MICROWIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 2ms | 200 | SOFTWARE | 8 | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AT28C256E-15SUSL383 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Parallel | 256 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AT25SF041-SHD-B | Adesto Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | 8 | 540.001716mg | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tube | 2014 | e4 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 2.5V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | 未说明 | 3.3V | 3.6V | 2.5V | SPI, Serial | 4Mb 512K x 8 | SYNCHRONOUS | 8mA | 104MHz | 8 ns | FLASH | SPI | 8b | 4MX1 | 5μs, 2.5ms | 4 Mb | 2.7V | SPI | 256B | 1.91mm | 5.4mm | 5.35mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CY7C1339S-133AXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 100-LQFP | 100-TQFP (14x14) | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2016 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 70°C | 0°C | 3.15V~3.6V | 133MHz | CY7C1339 | Parallel | 4Mb 128K x 32 | 133MHz | 4ns | SRAM | Parallel | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
93LC46XT/SN | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | Tin | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | 8 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2004 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 3 WIRE INTERFACE; AUTOMATIC WRITE; ERAL AT 4.5V TO 6.0V | 2.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 1.27mm | 40 | 93LC46 | 8 | 6V | 3/5V | 2V | 2-Wire, Serial | 1Kb 128 x 8 64 x 16 | 3mA | 2MHz | 10 ms | EEPROM | SPI | 8 | 1 kb | 0.00003A | MICROWIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 200 | SOFTWARE | 16 | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CY7C09279V-12AXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 1997 | e4 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 100 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE | 3V~3.6V | QUAD | 260 | 1 | 3.3V | 0.5mm | 30 | CY7C09279 | 100 | 3.3V | 3.6V | 3V | 512Kb 32K x 16 | 2 | 180mA | 50MHz | 12ns | SRAM | Parallel | 3-STATE | 16 | 15b | 512 kb | COMMON | Synchronous | 16b | 3V | 1.6mm | 14mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SST26WF016BT-104I/CS | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 8-UFBGA, CSPBGA | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2014 | SST26 SQI® | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 1.65V~1.95V | 未说明 | 未说明 | SST26WF016 | SPI | 16Mb 2M x 8 | 104MHz | FLASH | SPI - Quad I/O | 1.5ms | 1.8V | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S29AL016J70FFI022 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 64-LBGA | YES | 64 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | AL-J | 活跃 | 3 (168 Hours) | 64 | 底部启动区块 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 3V | 1mm | 未说明 | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 16Mb 2M x 8 1M x 16 | ASYNCHRONOUS | 0.03mA | FLASH | Parallel | 1MX16 | 16 | 70ns | 0.000005A | 16777216 bit | 70 ns | 3V | 8 | YES | YES | YES | 12131 | YES | BOTTOM | YES | 1.4mm | 9mm | 9mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CY14B101J2-SXI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Gold, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2008 | e4 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | 20 | CY14B101 | 8 | 不合格 | 3.3V | 3.6V | 2.7V | 2-Wire, I2C, Serial | 1Mb 128K x 8 | 1mA | SYNCHRONOUS | 3.4MHz | 900 ns | NVSRAM | I2C | 8b | 8 | 1 Mb | 0.00015A | 8b | 1.727mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AT45DB081E-SSHN2B-T | Adesto Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 540.001716mg | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tape & Reel (TR) | 2012 | e4 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 1.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | 未说明 | 不合格 | 3.6V | 1.7V | SPI, Serial | 8Mb 256Bytes x 4096 pages | 15mA | 15mA | 85MHz | 7 ns | FLASH | SPI | 8b | 1 | 8μs, 4ms | 21b | 8 Mb | 0.000001A | Synchronous | 8b | 2.7V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 1.75mm | 4.925mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AT24CS16-SSHM-B | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 3 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2016 | e4 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | 1.7V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 1.27mm | 30 | AT24CS16 | R-PDSO-G8 | 5.5V | 1.7V | 2-Wire, I2C, Serial | 16Kb 2K x 8 | SYNCHRONOUS | 1MHz | 550ns | EEPROM | I2C | 2KX8 | 8 | 5ms | 16 kb | I2C | 5ms | 1.75mm | 4.925mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CY7C028V-20AXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2004 | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 100 | Matte Tin (Sn) | AUTOMATIC POWER-DOWN | 3V~3.6V | QUAD | 260 | 1 | 3.3V | 0.5mm | 20GHz | 30 | CY7C028 | 3.3V | 3.6V | 3V | 1Mb 64K x 16 | 2 | 175mA | SRAM | Parallel | 64KX16 | 3-STATE | 16 | 20ns | 32b | 1 Mb | 0.00005A | COMMON | Asynchronous | 16b | 2V | 1.6mm | 14mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
24C01CT-I/MC | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 5 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-VFDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2008 | e3 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.5mm | 40 | 24C01C | 8 | 5V | 5V | I2C, Serial | 1Kb 128 x 8 | 3mA | 400kHz | 900ns | EEPROM | I2C | 8 | 1ms | 1 kb | 0.00005A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 1ms | 200 | 1010DDDR | 1mm | 3mm | 2mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
6116SA20SOG8 | Renesas Electronics America Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 15 Weeks | 表面贴装 | 24-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 1 (Unlimited) | 4.5V~5.5V | IDT6116 | 16Kb 2K x 8 | SRAM | Parallel | 20ns | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
M36DR432AD10ZA6T | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 66-LFBGA | YES | 66 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | e0 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 66 | Tin/Lead (Sn/Pb) | SRAM IS ORGANIZED AS 256K X 16 | 8542.32.00.71 | 1.65V~2.2V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 1.8V | not_compliant | 未说明 | M36DR432 | 66 | 不合格 | 1.8V | 2.2V | 1.8/2V | 1.65V | 32Mb 2M x 16 | ASYNCHRONOUS | 100ns | FLASH | Parallel | 2MX16 | 0.00001A | 33554432 bit | 1.1mm | 12mm | 8mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
11LC160T-E/MS | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2009 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 2.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.65mm | 40 | 11LC160 | 8 | 5V | Serial | 16Kb 2K x 8 | 5mA | 100kHz | EEPROM | 单线 | 8 | 5ms | 16 kb | 0.000005A | 1-WIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 10ms | 200 | SOFTWARE | 1.1mm | 3mm | 3mm | 无 | ROHS3 Compliant |