类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 电压 | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 页面尺寸 | 刷新周期 | I2C控制字节 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 访问模式 | 自我刷新 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||
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.png) | CAT93C76WI-GT3 | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL01GS10DHA020 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 64-LBGA | YES | 64 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2006 | Automotive, AEC-Q100, GL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 64 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 3V | 1mm | 未说明 | 3.6V | 2.7V | 1Gb 64M x 16 | ASYNCHRONOUS | 100ns | FLASH | Parallel | 128MX8 | 8 | 60ns | 1073741824 bit | 3V | 1.4mm | 9mm | 9mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1011CV33-10ZSXAT | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Automotive grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 1996 | e4 | yes | Discontinued | 3 (168 Hours) | 44 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 3V~3.6V | DUAL | 3.3V | 0.8mm | CY7C1011 | 3.3V | 2Mb 128K x 16 | 1 | 100mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 16 | 10ns | 17b | 2 Mb | COMMON | Asynchronous | 16b | 3V | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST25VF080B-80-4C-SAE-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | 8 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2010 | SST25 | e3 | yes | Obsolete | 2 (1 Year) | 8 | 3A991.B.1.A | Matte Tin (Sn) | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1.27mm | 40 | SST25VF080B | 3.3V | SPI, Serial | 8Mb 1M x 8 | 20mA | 80MHz | 6 ns | FLASH | SPI | 8b | 8 | 10μs | 1b | 8 Mb | 0.00002A | Synchronous | 8b | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 100 | HARDWARE/SOFTWARE | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST26VF032BAT-104I/MF | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 8-WDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2014 | SST26 SQI® | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | Matte Tin (Sn) - annealed | 2.7V~3.6V | 未说明 | 未说明 | SST26VF032 | 不合格 | 3V | SPI, Serial | 32Mb 4M x 8 | 104MHz | FLASH | SPI - Quad I/O | 1.5ms | 32 Mb | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | HARDWARE/SOFTWARE | 256B | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| K4S281632I-UC75 | Samsung | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 3 | 8000000 | PLASTIC/EPOXY | TSOP54,.46,32 | 未说明 | 5.4 ns | 70 °C | 有 | K4S281632I-UC75 | 133 MHz | 8388608 words | 3.3 V | TSOP2 | RECTANGULAR | 三星半导体 | Obsolete | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC | 8.33 | YES | 54 | TSOP2, TSOP54,.46,32 | e6 | 有 | Tin/Bismuth (Sn97Bi3) | AUTO/SELF REFRESH | DRAMs | CMOS | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 0.8 mm | compliant | R-PDSO-G54 | 不合格 | 3.6 V | 3.3 V | COMMERCIAL | 3 V | 1 | SYNCHRONOUS | 0.2 mA | 8MX16 | 3-STATE | 1.2 mm | 16 | 0.002 A | 134217728 bit | COMMON | 同步剧 | 4096 | 1,2,4,8,FP | 1,2,4,8 | 四库页面突发 | YES | 22.22 mm | 10.16 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M24C64-FMB6TG | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-UFDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1.7V~5.5V | DUAL | 1 | 1.8V | 0.5mm | M24C64 | 8 | 5V | 1.7V | 2-Wire, I2C, Serial | 64Kb 8K x 8 | 800μA | 1MHz | 450ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 64 kb | 0.000001A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 40 | HARDWARE | 1010DDDR | 0.6mm | 3mm | 2mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT25XE011-XMHN-T | Adesto Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Cut Tape (CT) | 2013 | e4 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 1.65V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 1.8V | 0.65mm | 未说明 | 3.6V | 1.65V | SPI, Serial | 1Mb 128K x 8 | SYNCHRONOUS | 104MHz | 8 ns | FLASH | SPI | 1MX1 | 1 | 12μs, 3ms | 8 Mb | 256B | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL256LAGBHV020 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 15 Weeks | 表面贴装 | 24-TBGA | YES | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Tray | 2016 | FL-L | 活跃 | 3 (168 Hours) | 24 | IT ALSO HAVE MEMORY WIDTH X 1 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 3V | 1mm | 未说明 | R-PBGA-B24 | 3.6V | 2.7V | 256Mb 32M x 8 | SYNCHRONOUS | 133MHz | FLASH | SPI - Quad I/O, QPI | 64MX4 | 4 | 268435456 bit | SERIAL | 3V | 2 | 1.2mm | 8mm | 6mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 25AA040AXT-I/ST | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2009 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | DATA RETENTION > 200 YEARS; 1,000,000 ERASE/WRITE CYCLES | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 0.65mm | 40 | 25AA040A | 8 | 5V | SPI, Serial | 4Kb 512 x 8 | 5mA | 10MHz | 50 ns | EEPROM | SPI | 8 | 5ms | 4 kb | 0.000001A | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE/SOFTWARE | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BR24T32FV-WE2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | Copper, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-LSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2013 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | Matte Tin (Sn) | 1.6V~5.5V | DUAL | 225 | 1 | 2.5V | 0.65mm | 未说明 | BR24T32 | 不合格 | 5.5V | 1.6V | 2-Wire, I2C, Serial | 32Kb 4K x 8 | SYNCHRONOUS | 400kHz | 900 ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 32 kb | 0.000002A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 40 | HARDWARE | 1010DDDR | 1.35mm | 4.4mm | 3mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S71WS256PC0HH3YR3 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 26 Weeks | 表面贴装 | 84-TFBGA | YES | Non-Volatile | -25°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | WS-P | 活跃 | 3 (168 Hours) | 84 | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.71 | 1.7V~1.95V | BOTTOM | 1 | 1.8V | 0.8mm | R-PBGA-B84 | 1.8V | 1.95V | 1.7V | 256Mbit Flash 64Mbit RAM | 80MHz | FLASH, RAM | Parallel | 16MX16 | 16 | 268435456 bit | 80 ns | 1.2mm | 11.6mm | 8mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 25AA256T-E/MF | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 5 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-VDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2013 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 1.27mm | 40 | 25AA256 | 8 | 不合格 | 5.5V | 2/5V | SPI, Serial | 256Kb 32K x 8 | 6mA | SYNCHRONOUS | 10MHz | 50 ns | EEPROM | SPI | 8 | 5ms | 256 kb | 0.000001A | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE/SOFTWARE | 1mm | 5.99mm | 4.92mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1368C-166AXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2006 | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 100 | 3A991.B.2.A | Matte Tin (Sn) | 流水线结构 | 3.135V~3.6V | QUAD | 260 | 1 | 3.3V | 0.65mm | unknown | 20 | CY7C1368 | 100 | 不合格 | 3.3V | 3.6V | 3.135V | 8Mb 256K x 32 | 4 | 180mA | 166MHz | 3.5ns | SRAM | Parallel | 256KX32 | 3-STATE | 32 | 18b | 8 Mb | COMMON | Synchronous | 32b | 1.6mm | 20mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RC28F128P33B85A | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 64-TBGA | 64 | 64-EasyBGA (8x10) | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tray | 2007 | StrataFlash™ | Obsolete | 3 (168 Hours) | 85°C | -40°C | 2.3V~3.6V | 28F128P33 | 2.3V | Parallel, Serial | 3.6V | 2.3V | 128Mb 8M x 16 | 28mA | 52MHz | 85ns | FLASH | Parallel | 85ns | 23b | 128 Mb | Asynchronous | 16b | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BR25L640FJ-WE2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | Copper, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2005 | e2 | yes | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 锡铜 | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 1.27mm | 10 | BR25L640 | 8 | 5V | SPI, Serial | 64Kb 8K x 8 | 3mA | 5MHz | 70 ns | EEPROM | SPI | 8 | 5ms | 64 kb | 0.000002A | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 40 | HARDWARE | 1.65mm | 4.9mm | 3.9mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C026A-15AXI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 1997 | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 100 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 4.5V~5.5V | QUAD | 260 | 1 | 5V | 0.5mm | 40 | CY7C026 | 100 | 5V | 5V | 256Kb 16K x 16 | 2 | 305mA | SRAM | Parallel | 16KX16 | 3-STATE | 16 | 15ns | 14b | 256 kb | 0.0015A | 15 ns | COMMON | Asynchronous | 16b | 2V | 1.6mm | 14mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BR93H86RF-WCE2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 8-SOIC (0.173, 4.40mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Cut Tape (CT) | Automotive, AEC-Q100 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 2.7V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 4V | 1.27mm | 未说明 | R-PDSO-G8 | 不合格 | 5.5V | 2/5V | 2.7V | 16Kb 1K x 16 | SYNCHRONOUS | 1.25MHz | EEPROM | SPI | 1KX16 | 16 | 5ms | 0.000002A | 16384 bit | SERIAL | 3-WIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 10ms | 40 | SOFTWARE | 1.71mm | 5mm | 4.4mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | GD25Q16CTIG | GigaDevice Semiconductor (HK) Limited | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 4 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2016 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 2.7V~3.6V | 16Mb 2M x 8 | 120MHz | FLASH | SPI - Quad I/O | 50μs, 2.4ms | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25X10BVSNIG | Winbond Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2008 | SpiFlash® | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | 2.7V~3.6V | DUAL | 1 | 3V | 1.27mm | 8 | 3.3V | 3.6V | 2.7V | SPI, Serial | 1Mb 128K x 8 | 16.5mA | 104MHz | 7 ns | FLASH | SPI | 1MX1 | 1 | 3ms | 24b | 1 Mb | 0.000005A | Synchronous | 1b | 2.7V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 256B | 1.72mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 27C64-12ISO | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT28C256E-35UM/883 | Atmel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT45DB021E-MHN-Y | Adesto Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-UDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tray | 1997 | e4 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 1.65V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 1.8V | 1.27mm | 未说明 | 8 | 不合格 | 3.6V | 1.65V | SPI, Serial | 2Mb 264Bytes x 1024 pages | 16mA | 70MHz | 8 ns | FLASH | SPI | 8b | 2MX1 | 1 | 8μs, 3ms | 22b | 2 Mb | Synchronous | 2.7V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 256B | 0.6mm | 6mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY7C1021CV33-10ZC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2002 | e0 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 44 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 3V~3.6V | DUAL | 240 | 1 | 3.3V | 0.8mm | not_compliant | 10GHz | 30 | CY7C1021 | 44 | 不合格 | 3.3V | 3.63V | 2.97V | 1Mb 64K x 16 | 1 | 90mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 16 | 10ns | 16b | 1 Mb | 0.005A | COMMON | Asynchronous | 16b | 3V | Non-RoHS Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1041GE30-10BVXI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 48-VFBGA | YES | 48 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2010 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 3V~3.6V | BOTTOM | 1 | 3V | 0.75mm | CY7C1041 | 不合格 | 3.6V | 2.5/3.3V | 2.2V | 4Mb 256K x 16 | SRAM | Parallel | 256KX16 | 3-STATE | 16 | 10ns | 4194304 bit | 10 ns | COMMON | 1V | 1mm | 8mm | 6mm | ROHS3 Compliant |