类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 终端 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 电压 | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 最大电源电流 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 无卤素 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 最高频率 | 访问时间(最大) | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 输出启用 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 通用闪存接口 | I2C控制字节 | 组织的记忆 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
M29W256GH70ZS6E | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 64-LBGA | YES | 64 | -40°C~85°C TA | Tray | 2015 | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 64 | 3A991.B.1.A | 锡银铜 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 1mm | 30 | M29W256 | 64 | Non-Volatile | 3/3.3V | 2.7V | 256Mb 32M x 8 16M x 16 | 10mA | FLASH | Parallel | 16MX16 | 16 | 70ns | 256 Mb | 0.0001A | 70 ns | Asynchronous | 0.00007ms | 8 | YES | YES | YES | 256 | 128K | 8/16words | YES | BOTTOM/TOP | YES | 1.4mm | 13mm | 11mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IS25WP064A-JKLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 8-WDFN Exposed Pad | YES | -40°C~105°C TA | Tray | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | Tin (Sn) | 1.65V~1.95V | DUAL | 未说明 | 1 | 1.8V | 1.27mm | 未说明 | R-PDSO-N8 | Non-Volatile | 1.95V | 1.65V | 64Mb 8M x 8 | SYNCHRONOUS | 133MHz | FLASH | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 8MX8 | 8 | 800μs | 67108864 bit | SERIAL | 1.8V | 0.8mm | 6mm | 5mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S25FL128LAGMFI001 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | YES | -40°C~85°C TA | Tube | FL-L | 活跃 | 3 (168 Hours) | 16 | IT ALSO HAVE MEMORY WIDTH X 1 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3V | 1.27mm | 未说明 | R-PDSO-G16 | Non-Volatile | 3.6V | 2.7V | 128Mb 16M x 8 | SYNCHRONOUS | 133MHz | FLASH | SPI - Quad I/O, QPI | 32MX4 | 4 | 134217728 bit | SERIAL | 3V | 2 | 2.65mm | 10.3mm | 7.5mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IS62C256-70U | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 28-SOP | 28 | 0°C~70°C TA | Tube | e0 | no | Obsolete | 2 (1 Year) | 28 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 4.5V~5.5V | DUAL | 240 | 1 | 5V | 30 | 28 | Volatile | 5V | 5V | 256Kb 32K x 8 | 1 | 60mA | SRAM | Parallel | 32KX8 | 3-STATE | 8 | 70ns | 15b | 256 kb | 0.0002A | 70 ns | COMMON | Asynchronous | 8b | 2V | YES | 2.8448mm | 无 | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CAT24C164LI-G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 20 Weeks | Gold | 通孔 | 通孔 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | 8 | -40°C~85°C TA | Tube | 2006 | e4 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 2.54mm | CAT24C164 | 8 | Non-Volatile | 5V | 2-Wire, I2C, Serial | 16Kb 2K x 8 | 1mA | 400kHz | 900ns | EEPROM | I2C | 无卤素 | 5ms | 16 kb | 0.000001A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 100 | HARDWARE | 1DDDMMMR | 4.95mm | 10.16mm | 7.11mm | 无 | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S25FL128SAGBHIA03 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | Copper, Silver, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 24-TBGA | 24 | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2014 | FL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 24 | ALSO CONFIGURABLE AS 128M X 1 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 1 | 3V | 1mm | Non-Volatile | 3V | 3.6V | 2.7V | SPI, Serial | 128Mb 16M x 8 | 133MHz | 0.1mA | 8 ns | FLASH | SPI - Quad I/O | 32MX4 | 4 | 1b | 128 Mb | 0.0001A | 3V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 500ms | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 2 | BOTTOM | 1.2mm | 8mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDT71V416S15Y | Renesas Electronics America Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 44-BSOJ (0.400, 10.16mm Width) | 44-SOJ | 0°C~70°C TA | Tube | Obsolete | 3 (168 Hours) | 3V~3.6V | IDT71V416 | Volatile | 4Mb 256K x 16 | 15ns | SRAM | Parallel | 15ns | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
24AA32AXT-I/ST | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2006 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 2-WIRE SERIAL INTERFACE; DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 0.65mm | 40 | 24AA32A | 8 | Non-Volatile | 5.5V | 2/5V | 1.7V | I2C, Serial | 32Kb 4K x 8 | 3mA | 400kHz | 900ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 32 kb | 0.000001A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE | 1010DDDR | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CY7C1424AV18-250BZC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | 0°C~70°C TA | Tray | 2003 | e0 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 165 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 流水线结构 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 220 | 1 | 1.8V | 1mm | not_compliant | 未说明 | CY7C1424 | 165 | 不合格 | Volatile | 1.8V | 1.9V | 1.7V | 36Mb 4M x 9 | 2 | 800mA | 250MHz | 450 ps | SRAM | Parallel | 3-STATE | 18 | 19b | 36 Mb | SEPARATE | Synchronous | 36b | 1.7V | 1.4mm | 17mm | Non-RoHS Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IS61WV25616BLS-25TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44 | -40°C~85°C TA | Tray | e3 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 44 | Matte Tin (Sn) - annealed | 2.4V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3.3V | 0.8mm | 10 | 44 | Volatile | 3.6V | 2.5/3.3V | 2.4V | 4Mb 256K x 16 | 1 | 25mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 16 | 25ns | 18b | 4 Mb | 0.009A | 25 ns | COMMON | Asynchronous | 16b | 2V | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AT45DB081E-MHN-Y | Adesto Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-UDFN Exposed Pad | 8 | 9.49709mg | -40°C~85°C TC | Tray | 2012 | e4 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 1.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | 未说明 | 不合格 | Non-Volatile | 3.6V | 1.7V | SPI, Serial | 8Mb 264Bytes x 4096 pages | 15mA | 15mA | 85MHz | 7 ns | FLASH | SPI | 8b | 1 | 8μs, 4ms | 21b | 8 Mb | 0.000001A | Synchronous | 8b | 2.7V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 0.6mm | 6mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
25LC010AT-H/SN | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 8-SOIC | -40°C~150°C TA | Tape & Reel (TR) | 2012 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 150°C | -40°C | 2.5V~5.5V | 5MHz | 25LC010A | Non-Volatile | SPI, Serial | 5.5V | 2.5V | 1Kb 128 x 8 | 5mA | 10MHz | 160 ns | EEPROM | SPI | 5ms | 1 kb | 5MHz | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CY7C1338G-100AXCT | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100 | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2002 | e4 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 100 | 3A991.B.2.A | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | FLOW-THRU ARCHITECTURE | 3.15V~3.6V | QUAD | 260 | 1 | 3.3V | 0.65mm | 20 | CY7C1338 | Volatile | 3.3V | 3.63V | 3.135V | 4Mb 128K x 32 | 4 | 205mA | 100MHz | 8ns | SRAM | Parallel | 128KX32 | 3-STATE | 32 | 17b | 4 Mb | COMMON | Synchronous | 32b | 1.6mm | 20mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
23LCV512T-I/SN | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2012 | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | Matte Tin (Sn) - annealed | 2.5V~5.5V | 260 | 1 | 40 | 23LCV512 | Non-Volatile | 5.5V | 2.5V | SPI, Serial | 512Kb 64K x 8 | 1 | 10mA | 20MHz | 25 ns | NVSRAM | SPI - Dual I/O | 8 | 512 kb | Synchronous | 8b | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
GE28F320C3TC90 | Intel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | LEAD FREE, VFBGA-48 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 1 | 2000000 | PLASTIC/EPOXY | BGA47,6X8,30 | -40 °C | 未说明 | 90 ns | 85 °C | 无 | GE28F320C3TC90 | 2097152 words | 3 V | VFBGA | RECTANGULAR | Numonyx内存解决方案 | Obsolete | NUMONYX | 5.81 | BGA | YES | 48 | Bulk | 无 | 3A991.B.1.A | NOR型号 | USER-SELECTABLE 3V OR 12V VPP; TOP BOOT BLOCK | 8542.32.00.51 | 闪存 | CMOS | BOTTOM | BALL | 225 | 1 | 0.75 mm | unknown | 90 GHz | 48 | R-PBGA-B48 | 不合格 | Non-Compliant | 3.6 V | 1.8/3.3,3/3.3 V | INDUSTRIAL | 2.7 V | 30.5 MB | ASYNCHRONOUS | 0.018 mA | 90 ns | 2MX16 | 1 mm | 16 | 0.00002 A | 33554432 bit | PARALLEL | FLASH | 3 V | NO | NO | YES | 8,63 | 4K,32K | TOP | YES | 10.85 mm | 7.286 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
R1LV0408DSB-7LR#B0 | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 3.0000 V | 2.7 V | Asynchronous | 512 kWords | 8 Bit | 3.6 V | 表面贴装 | Bulk | R1LV0408D | Obsolete | Volatile | 表面贴装 | 32-SOIC (0.400, 10.16mm Width) | 32-TSOP II | Renesas Electronics America Inc | 0 to 70 °C | - | SRAM | 2.7V ~ 3.6V | 32 | TSOP-II | 4Mbit | 1 | 70 ns | SRAM | Parallel | 70ns | 19 Bit | 4 Mb | 512K x 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
25AA256T-E/SN | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2013 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 8542.32.00.51 | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 1.27mm | 40 | 25AA256 | 8 | R-PDSO-G8 | Non-Volatile | 5.5V | 2/5V | 1.8V | SPI, Serial | 256Kb 32K x 8 | 10MHz | 50 ns | EEPROM | SPI | 32KX8 | 8 | 5ms | 256 kb | 0.000001A | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE/SOFTWARE | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CY7C1386D-167AXCT | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100 | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2004 | e4 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 100 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 3.135V~3.6V | QUAD | 0.635mm | CY7C1386 | Volatile | 3.3V | 18Mb 512K x 36 | 4 | 275mA | 167MHz | 3.4ns | SRAM | Parallel | 512KX36 | 3-STATE | 36 | 19b | 18 Mb | 0.07A | COMMON | Synchronous | 36b | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CAT25512XI-T2 | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 小概要 | 3 | 64000 | PLASTIC/EPOXY | SOP8,.3 | 751BE | -40 °C | 未说明 | 85 °C | CAT25512XI-T2 | 5 MHz | 65536 words | 5 V | SOP | RECTANGULAR | 安森美半导体 | 活跃 | ON SEMICONDUCTOR | 5.59 | SOIC | 安森美半导体 | YES | 8 | e3 | 有 | EAR99 | Tin (Sn) | 100 YEAR DATA RETENTION | 8542.32.00.51 | EEPROMs | CMOS | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 1 | 1.27 mm | compliant | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | 0.208 INCH, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SOIC-8 | 5.5 V | 2/5 V | INDUSTRIAL | 1.8 V | SYNCHRONOUS | 0.003 mA | 64KX8 | 2.03 mm | 8 | 0.000001 A | 524288 bit | SERIAL | EEPROM | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5 ms | 100 | HARDWARE/SOFTWARE | 5.255 mm | 5.23 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
M27W401-80B6 | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 通孔 | 通孔 | 32-DIP (0.600, 15.24mm) | 32 | -40°C~85°C TA | Tube | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 32 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | ACCESS TIME 70 NANO SECS AT VCC 3V TO 3.6V | 2.7V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3V | 2.54mm | 未说明 | M27W401 | 32 | 不合格 | Non-Volatile | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 4Kb 512 x 8 | 50mA | ASYNCHRONOUS | 80ns | EPROM | Parallel | 512KX8 | 3-STATE | 8 | 4 Mb | 0.000015A | COMMON | 5.08mm | 41.91mm | 15.24mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CAT28F020GI-12T | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-LCC (J-Lead) | 32 | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2007 | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 32 | EAR99 | 4.5V~5.5V | QUAD | 245 | 1 | 5V | 1.27mm | unknown | 40 | CAT28F020 | 32 | 不合格 | Non-Volatile | 5V | 5V | 7V | 2Mb 256K x 8 | 30mA | FLASH | Parallel | 8b | 256KX8 | 8 | 120ns | 18b | 2 Mb | 0.0001A | 120 ns | Asynchronous | 8b | 100000 Write/Erase Cycles | NO | NO | YES | 3.55mm | 13.97mm | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CAT24C16VP2I-GT3 | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WFDFN Exposed Pad | 8 | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2011 | e4 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | 1.7V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 3.3V | 0.5mm | 40 | CAT24C16 | 8 | Non-Volatile | 5V | 1.7V | 2-Wire, I2C, Serial | 16Kb 2K x 8 | 2mA | 400kHz | 900ns | EEPROM | I2C | 16KX1 | 无卤素 | 1 | 5ms | 16 kb | 0.000001A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 100 | HARDWARE | 1010MMMR | 3mm | 2mm | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
M95020-RMB6TG | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-UFDFN Exposed Pad | 8 | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | e4 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | SMD/SMT | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 0.5mm | 30 | M95020 | 8 | Non-Volatile | 5V | SPI, Serial | 2Kb 256 x 8 | 3mA | 20MHz | 60 ns | EEPROM | SPI | 8 | 5ms | 2 kb | 0.000001A | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 40 | HARDWARE/SOFTWARE | 0.6mm | 3mm | 2mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
47C16T-I/ST | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 29 Weeks | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | YES | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | Matte Tin (Sn) - annealed | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.65mm | 40 | 47C16 | R-PDSO-G8 | Non-Volatile | 5.5V | 4.5V | 16Kb 2K x 8 | SYNCHRONOUS | 1MHz | 400ns | EERAM | I2C | 2KX8 | 8 | 1ms | 16384 bit | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SST39WF1602-70-4C-MAQE | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-WFBGA | 48 | 0°C~70°C TA | Tray | 2010 | SST39 MPF™ | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | TOP BOOT-BLOCK | 8542.32.00.51 | 1.65V~1.95V | BOTTOM | 260 | 1 | 1.8V | 0.5mm | 40 | SST39WF1602 | 48 | Non-Volatile | 1.8V | 1.95V | 1.65V | 16Mb 1M x 16 | 10mA | 70ns | FLASH | Parallel | 16b | 1MX16 | 16 | 40μs | 20b | 16 Mb | 0.00004A | Asynchronous | 16b | YES | YES | YES | 512 | 2K | TOP | YES | 0.73mm | 6mm | 无 | ROHS3 Compliant |