类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 产品类别 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 最高频率 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 引导模块 | I2C控制字节 | 产品类别 | 组织的记忆 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | CY7C131E-55JXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 52-LCC (J-Lead) | 52 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | 2011 | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 52 | Matte Tin (Sn) | 4.5V~5.5V | QUAD | 260 | 1 | 5V | 1MHz | 30 | 5V | 5V | 8Kb 1K x 8 | 2 | 160mA | SRAM | Parallel | 1KX8 | 3-STATE | 55ns | 20b | 8 kb | 0.015A | 55 ns | COMMON | Asynchronous | 8b | 4.572mm | 19.2mm | 19.2024mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 24LC32AXT-I/ST | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2006 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 2-WIRE SERIAL INTERFACE; DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED | 2.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.65mm | 40 | 24LC32A | 8 | 5.5V | 3/5V | 2.5V | I2C, Serial | 32Kb 4K x 8 | 3mA | 400kHz | 900ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 32 kb | 0.000001A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE | 1010DDDR | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1021CV33-12VXE | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-BSOJ (0.400, 10.16mm Width) | 44 | Volatile | -40°C~125°C TA | Tube | 1996 | e4 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 44 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 3V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3.3V | 12GHz | 30 | CY7C1021 | 44 | 3.3V | 3.63V | 2.97V | 1Mb 64K x 16 | 1 | 90mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 16 | 12ns | 16b | 1 Mb | COMMON | Asynchronous | 16b | 3V | 3.7592mm | 28.575mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MT41K512M8DA-093:P | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | Commercial grade | Copper, Silver, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 78-TFBGA | 78 | Volatile | 0°C~95°C TC | Tray | 2016 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 78 | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 1.283V~1.45V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 1.35V | 0.8mm | 未说明 | 1.35V | 1.45V | 1.283V | 4Gb 512M x 8 | 1 | SYNCHRONOUS | 1067MHz | 20ns | DRAM | Parallel | 512MX8 | 8 | 4294967296 bit | 1.2mm | 10.5mm | 8mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
.png) | S34ML01G200TFI00 | Cypress Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT28C040-25FM/883 | Atmel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT93C46A-10PC | Atmel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT28C256F-35UM/883 | Atmel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT24C01A-10SI-1.8SL383 | Atmel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT28C256E-35DM/883 | Atmel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MX25L25645GM2I-10G | Macronix | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2017 | MXSMIO™ | e3 | 不用于新设计 | 3 (168 Hours) | Matte Tin (Sn) | 2.7V~3.6V | 260 | 40 | 256Mb 32M x 8 | 120MHz | FLASH | SPI | 30μs, 750μs | Non-RoHS Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST39SF010A-55-4C-WHE-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-TFSOP (0.488, 12.40mm Width) | 32 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2010 | SST39 MPF™ | 活跃 | 3 (168 Hours) | 32 | 4.5V~5.5V | DUAL | 5V | 0.5mm | SST39SF010A | 不合格 | 5V | 5V | 1Mb 128K x 8 | 25mA | 55ns | FLASH | Parallel | 8b | 128KX8 | 8 | 20μs | 17b | 1 Mb | 0.0001A | Asynchronous | 8b | YES | YES | YES | 32 | 4K | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SST39SF020A-55-4C-WHE-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-TFSOP (0.488, 12.40mm Width) | 32 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2010 | SST39 MPF™ | 活跃 | 3 (168 Hours) | 32 | 4.5V~5.5V | DUAL | 5V | 0.5mm | SST39SF020A | 5V | 5V | 2Mb 256K x 8 | 25mA | 55ns | FLASH | Parallel | 8b | 256KX8 | 8 | 20μs | 18b | 2 Mb | 0.0001A | Asynchronous | 8b | YES | YES | YES | 64 | 4K | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 24C00T-I/MNY | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WFDFN Exposed Pad | 8 | 8-TDFN (2x3) | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2011 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 85°C | -40°C | 4.5V~5.5V | 400kHz | 24C00 | 5V | 2-Wire, I2C, Serial | 5.5V | 4.5V | 128b 16 x 8 | 2mA | 400kHz | 3500ns | EEPROM | I2C | 4ms | 128 b | 400kHz | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5962-8687503YA | Renesas Electronics America Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | Tube | 5962-8687503 | This product may require additional documentation to export from the United States. | + 125 C | 5.5 V | - 55 C | 34 | 4.5 V | Parallel | Renesas Electronics | Renesas Electronics | N | SRAM | 表面贴装 | 48-LCC | 48-LCC (14.22x14.22) | Renesas Electronics America Inc | Volatile | -55°C ~ 125°C (TA) | Tube | - | Asynchronous | Memory & Data Storage | 4.5V ~ 5.5V | 8Kbit | 65 mA | 55 ns | SRAM | Parallel | 1 k x 8 | 55ns | SRAM | 1K x 8 | 1.78 mm | 14.2 mm | 14.22 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT28LV64-30SI | Atmel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT28HC256F-12PC | Atmel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT28C64B-20UM/883 | Atmel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT24C64-10TC | Atmel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT24C44V-TE13 | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 小概要 | 16 | PLASTIC/EPOXY | SOP8,.25 | 40 | 375 ns | 70 °C | 有 | CAT24C44V-TE13 | 16 words | 5 V | SOP | RECTANGULAR | Catalyst Semiconductor | Transferred | CATALYST SEMICONDUCTOR INC | 5.13 | SOIC | YES | 8 | SOP, SOP8,.25 | e3 | EAR99 | 哑光锡 | 8542.32.00.41 | SRAMs | CMOS | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 1.27 mm | unknown | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | 5.5 V | 5 V | COMMERCIAL | 4.5 V | SYNCHRONOUS | 0.003 mA | 16X16 | 1.75 mm | 16 | 0.00003 A | 256 bit | SERIAL | NON-VOLATILE SRAM | 4.9 mm | 3.9 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST49LF008A-33-4C-EIE-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 40-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | 40 | Non-Volatile | 0°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2001 | SST49 | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 40 | Matte Tin (Sn) - annealed | 3V~3.6V | DUAL | 1 | 3.3V | 0.5mm | SST49LF008A | 3.3V | 3.6V | 3V | Parallel, SPI, Serial | 8Mb 1M x 8 | 12mA | 33MHz | 120ns | FLASH | Parallel | 8b | 1MX8 | 8 | 20μs | 11b | 8 Mb | 0.0001A | Asynchronous | 8b | 3V | YES | YES | 256 | 4K | TOP | 1.2mm | 18.4mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1061AV33-10BAC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 60-TFBGA | YES | 60 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 1996 | e0 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 60 | 3A991.B.2.A | 锡铅 | 8542.32.00.41 | 3V~3.6V | BOTTOM | 240 | 1 | 3.3V | 0.75mm | not_compliant | 30 | CY7C1061 | 60 | 不合格 | 3.6V | 3.3V | 3V | 16Mb 1M x 16 | SRAM | Parallel | 1MX16 | 3-STATE | 16 | 10ns | 0.05A | 16777216 bit | 10 ns | COMMON | 3V | 1.2mm | 20mm | 8mm | Non-RoHS Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 5962-8700201UA | Renesas Electronics America Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 最后一次购买 | Tube | 5962-8700201 | This product may require additional documentation to export from the United States. | 34 | Renesas Electronics | Renesas Electronics | N | SRAM | 表面贴装 | 48-LCC | 48-LCC (14.22x14.22) | Renesas Electronics America Inc | Volatile | -55°C ~ 125°C (TA) | Tube | - | Memory & Data Storage | 4.5V ~ 5.5V | 16Kbit | 45 ns | SRAM | Parallel | 45ns | SRAM | 2K x 8 | 1.78 mm | 14.2 mm | 14.22 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT28HC256E-70JC | Atmel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GT28F160B3BA110 | Intel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | 1000000 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 30 | 110 ns | 85 °C | GT28F160B3BA110 | 1048576 words | 3 V | VFBGA | RECTANGULAR | Numonyx内存解决方案 | Obsolete | NUMONYX | 5.75 | BGA | YES | 48 | MICRO, BGA-48 | EAR99 | NOR型号 | 底部启动区块 | 8542.32.00.51 | CMOS | BOTTOM | BALL | 240 | 1 | 0.75 mm | unknown | 48 | R-PBGA-B48 | 不合格 | 3.6 V | INDUSTRIAL | 2.7 V | ASYNCHRONOUS | 1MX16 | 1 mm | 16 | 16777216 bit | PARALLEL | FLASH | 2.7 V | BOTTOM | 7.286 mm | 6.964 mm |