类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 最大功率耗散 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 电压 | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 最高频率 | 筛选水平 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 输出启用 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 环境温度范围高 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | I2C控制字节 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 访问模式 | 自我刷新 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||
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 | CY7C1420KV18-300BZXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2003 | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 165 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 流水线结构 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 260 | 1 | 1.8V | 30 | CY7C1420 | 165 | 1.8V | 36Mb 1M x 36 | 1 | 560mA | 300MHz | 450 ps | SRAM | Parallel | 3-STATE | 36 | 20b | 36 Mb | 0.27A | COMMON | Synchronous | 36b | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 24LC64XT-E/ST | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2002 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED | 2.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.65mm | 40 | 24LC64 | 8 | 5.5V | 3/5V | 2.5V | I2C, Serial | 64Kb 8K x 8 | 3mA | 400kHz | 900ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 64 kb | 0.000001A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE | 1010DDDR | 1.1mm | 4.4mm | 3mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 93C66T-E/SN | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 28 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2000 | e0 | no | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 10K ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 40 YEARS | 4.5V~5.5V | DUAL | 1 | 5V | 1.27mm | 93C66 | 8 | 5V | 5V | 2-Wire, Serial | 4Kb 512 x 8 256 x 16 | 4mA | 2MHz | 6 ms | EEPROM | SPI | 3-STATE | 8 | 2ms | 4 kb | 0.0001A | MICROWIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 1ms | 40 | SOFTWARE | 16 | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS61WV25616BLL-10KLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 44-BSOJ (0.400, 10.16mm Width) | YES | 44 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 44 | 2.4V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3V | 未说明 | 不合格 | 3.6V | 2.5/3.3V | 2.4V | 4Mb 256K x 16 | 1 | 45mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 16 | 10ns | 18b | 4 Mb | 0.008A | COMMON | Asynchronous | 16b | 2V | 3.76mm | 28.52mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST39VF802C-70-4I-B3KE-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 48-TFBGA | YES | 48 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2011 | SST39 MPF™ | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 0.8mm | SST39VF802C | 3.3V | 8Mb 512K x 16 | 18mA | 70ns | FLASH | Parallel | 16b | 512KX16 | 16 | 10μs | 19b | 8 Mb | 0.00002A | Asynchronous | 16b | YES | YES | YES | 256 | 2K | YES | TOP | YES | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL01GS11FHIV13 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | Copper, Silver, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 64-LBGA | 64 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2015 | GL-S | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 64 | 3A991.B.1.A | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 8542.32.00.51 | 1.65V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 1mm | 40 | 不合格 | 3V | 3.6V | 2.7V | 1Gb 64M x 16 | ASYNCHRONOUS | 0.08mA | 110ns | FLASH | Parallel | 16 | 60ns | 26b | 1 Gb | 0.0001A | 3V | YES | YES | YES | 1K | 64K | 32B | YES | YES | 1.4mm | 13mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1515AV18-250BZC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2003 | e0 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 165 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 流水线结构 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 220 | 1 | 1.8V | 1mm | not_compliant | 未说明 | CY7C1515 | 165 | 不合格 | 1.8V | 1.9V | 1.7V | 72Mb 2M x 36 | 2 | 1.04A | 250MHz | 450 ps | SRAM | Parallel | 3-STATE | 36 | 21b | 72 Mb | SEPARATE | Synchronous | 36b | 1.7V | 1.4mm | 17mm | Non-RoHS Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY62256NL-70SNXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 28-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | YES | Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | 2002 | MoBL® | e4 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 28 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 8542.32.00.41 | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 1.27mm | unknown | 70GHz | 20 | CY62256 | 28 | R-PDSO-G28 | 不合格 | 5.5V | 5V | 4.5V | 256Kb 32K x 8 | 0.05mA | SRAM | Parallel | 32KX8 | 3-STATE | 8 | 70ns | 0.00005A | 262144 bit | 70 ns | COMMON | 2V | 2.794mm | 17.9324mm | 7.5057mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
.png) | W9725G8JB-25I | Winbond Electronics Corporation | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 32000000 | PLASTIC/EPOXY | 0.4 ns | W9725G8JB-25I | 33554432 words | 1.8 V | TFBGA | RECTANGULAR | Winbond Electronics Corp | Obsolete | WINBOND ELECTRONICS CORP | 5.71 | BGA | YES | 60 | TFBGA, | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.24 | CMOS | BOTTOM | BALL | 1 | 0.8 mm | unknown | 60 | R-PBGA-B60 | 不合格 | 1.9 V | 1.7 V | 1 | SYNCHRONOUS | 32MX8 | 1.2 mm | 8 | 268435456 bit | DDR DRAM | 四库页面突发 | YES | 12.5 mm | 8 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT24C1024B-TH-B | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | 8-TSSOP | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 1997 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 85°C | -40°C | 1.8V~3.6V | 1MHz | AT24C1024 | 3.3V | 2-Wire, I2C, Serial | 3.6V | 1.8V | 1Mb 128K x 8 | 3mA | 1MHz | 550ns | EEPROM | I2C | 5ms | 1 Mb | 400kHz | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RD38F1020C0ZTL0SB93 | Intel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 66-LFBGA, CSPBGA | 66 | 66-SCSP (8x14) | Non-Volatile | -25°C~85°C TC | Tray | 2004 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 85°C | -25°C | 2.7V~3.3V | 70GHz | Parallel | 32Mbit Flash 8Mbit RAM | 70ns | FLASH, RAM | Parallel | 70ns | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL132K0XMFI041 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 11 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2007 | FL1-K | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | ALSO CONFIGURABLE AS 32M X 1 | 2.7V~3.6V | DUAL | 1 | 3V | 1.27mm | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | SPI | 32Mb 4M x 8 | 108MHz | 0.025mA | 0 s | FLASH | SPI - Quad I/O | 4 | 3ms | 24b | 32 Mb | 0.000005A | SERIAL | 3V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 2 | 256B | 85°C | 1.75mm | 4.9mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY14MB064Q2A-SXI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2008 | e4 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | 1W | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | 20 | CY14MB064 | 8 | 3V | 3.6V | 3V | 2.7V | SPI, Serial | 64Kb 8K x 8 | 3mA | 40MHz | 9 ns | NVSRAM | SPI | 8b | 8 | 64 kb | 0.00015A | 8b | 1.727mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MX66L1G45GMI-08G | Macronix | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | -40°C | YES | 85°C | Tube | 活跃 | 3 (168 Hours) | 16 | ALSO IT CAN BE CONFIGURED AS 1G X 1 BIT | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 1 | 3V | 1.27mm | 未说明 | R-PDSO-G16 | 3.6V | INDUSTRIAL | 2.7V | SYNCHRONOUS | 166MHz | 256MX4 | 4 | 1073741824 bit | SERIAL | FLASH | 3V | 2 | 2.65mm | 10.3mm | 7.52mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT28LV010-25JI | Atmel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S29GL032N11FFIV20 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 64-LBGA | YES | 64 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2017 | GL-N | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 64 | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 8542.32.00.51 | 1.65V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 1mm | 40 | 3.6V | 1.8/3.33/3.3V | 2.7V | 32Mb 4M x 8 2M x 16 | 0.05mA | FLASH | Parallel | 2MX16 | 16 | 110ns | 32 Mb | 0.000005A | 110 ns | 3V | 8 | YES | YES | YES | 64 | 64K | 8/16words | YES | BOTTOM/TOP | YES | 1.4mm | 13mm | 11mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PF48F4000P0ZBQEF | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 88-VFBGA, CSPBGA | YES | 88 | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tray | 2010 | Axcell™ | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 88 | 锡银铜 | 1.7V~2V | BOTTOM | 260 | 0.8mm | 30 | 48F4000P0 | 1.8V | 1.81.8/3.3V | 1.7V | Parallel, Serial | 256Mb 16M x 16 | 31mA | 52MHz | FLASH | Parallel | 16MX16 | 16 | 100ns | 24b | 256 Mb | 0.00021A | 100 ns | Asynchronous | 16b | NO | NO | 4255 | 16K64K | BOTTOM | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS72108AGP-8 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 3 | 256000 | PLASTIC/EPOXY | TSOP44,.46,32 | 未说明 | 8 ns | 70 °C | 有 | GS72108AGP-8 | 262144 words | 3.3 V | TSOP2 | RECTANGULAR | GSI技术 | Obsolete | GSI TECHNOLOGY | 5.73 | TSOP2 | YES | 44 | TSOP2, TSOP44,.46,32 | 有 | 3A991.B.2.B | Pure Matte Tin (Sn) | 8542.32.00.41 | CMOS | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 0.8 mm | compliant | 44 | R-PDSO-G44 | 不合格 | 3.6 V | COMMERCIAL | 3 V | ASYNCHRONOUS | 0.115 mA | 256KX8 | 3-STATE | 1.2 mm | 8 | 0.02 A | 2097152 bit | PARALLEL | COMMON | 标准SRAM | 3 V | YES | 18.41 mm | 10.16 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL256S90DHI023 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 64-LBGA | 64 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2003 | GL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 64 | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 1 | 3V | 1mm | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 256Mb 16M x 16 | 60mA | 90ns | FLASH | Parallel | 16b | 32MX8 | 8 | 60ns | 24b | 256 Mb | 0.0001A | Asynchronous | 16b | 3V | YES | YES | YES | 256 | 64K | 32B | YES | BOTTOM/TOP | YES | 1.4mm | 9mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29AL016J70TFA010 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2015 | Automotive, AEC-Q100, AL-J | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | 2.7V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3V | 0.5mm | 未说明 | R-PDSO-G48 | 3.6V | 2.7V | 16Mb 2M x 8 1M x 16 | ASYNCHRONOUS | FLASH | Parallel | 1MX16 | 16 | 70ns | 16777216 bit | 70 ns | 3V | 8 | 1.2mm | 18.4mm | 12mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S70FS01GSAGMFV010 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Tray | FS-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 16 | IT ALSO HAS X1 MEMORY WIDTH | 8542.32.00.51 | 1.7V~2V | DUAL | 未说明 | 1 | 1.8V | 1.27mm | 未说明 | R-PDSO-G16 | 2V | 1.7V | 1Gb 128M x 8 | SYNCHRONOUS | 133MHz | FLASH | SPI - Quad I/O | 256MX4 | 4 | 1073741824 bit | SERIAL | 1.8V | 2 | 2.65mm | 10.3mm | 7.5mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY7C1514V18-167BZC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 165-LBGA | YES | 165 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2003 | e0 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 165 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 流水线结构 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 220 | 1 | 1.8V | 1mm | not_compliant | 未说明 | CY7C1514 | 165 | 不合格 | 1.8V | 1.9V | 1.7V | 72Mb 2M x 36 | 2 | 167MHz | 500 ps | SRAM | Parallel | 3-STATE | 36 | 21b | 72 Mb | SEPARATE | 1.7V | 1.4mm | 17mm | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SST26WF040BAT-104I/SN | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2014 | SST26 SQI® | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | Matte Tin (Sn) - annealed | 1.65V~1.95V | DUAL | 260 | 1 | 1.8V | 1.27mm | 40 | SST26WF040 | 1.8V | 1.95V | 1.65V | SPI, Serial | 4Mb 512K x 8 | 20mA | 104MHz | 8 ns | FLASH | SPI - Quad I/O | 4MX1 | 1 | 1.5ms | 24b | 4 Mb | TS 16949 | Synchronous | 1.75mm | 4.9mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MT46H8M32LFB5-6:H | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 90-VFBGA | 90 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2008 | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 90 | EAR99 | 锡银铜 | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.24 | 1.7V~1.95V | BOTTOM | 260 | 1 | 1.8V | 0.8mm | 30 | MT46H8M32 | 90 | 1.8V | 1.95V | 1.7V | 256Mb 8M x 32 | 1 | 120mA | 166MHz | 5ns | DRAM | Parallel | 32b | 8MX32 | 3-STATE | 32 | 12ns | 14b | 256 Mb | 0.0003A | COMMON | 4096 | 24816 | 24816 | 1mm | 13mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 93LC56XT/SN | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2004 | e3 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 100K ERASE/WRITE CYCLES MIN; DATA RETENTION > 40 YEARS | 2.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 1.27mm | 40 | 93LC56 | 8 | 6V | 3/5V | 2V | 2-Wire, Serial | 2Kb 256 x 8 128 x 16 | 3mA | 2MHz | 6 ms | EEPROM | SPI | 3-STATE | 8 | 10ms | 2 kb | 0.00003A | MICROWIRE | 10000000 Write/Erase Cycles | 10ms | 200 | SOFTWARE | 16 | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 |