类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 产品类别 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 最高频率 | 筛选水平 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | 开关电流 | I2C控制字节 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 产品类别 | 组织的记忆 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | SST39LF401C-55-4C-B3KE | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 26 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-TFBGA | 48 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2011 | SST39 MPF™ | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 底部启动区块 | 8542.32.00.51 | 3V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 40 | SST39LF401C | 48 | 3.3V | 3.6V | 2.7V | 4Mb 256K x 16 | 18mA | 55ns | FLASH | Parallel | 256KX16 | 10μs | 1b | 4 Mb | 0.00002A | Asynchronous | 16b | 2.7V | YES | YES | YES | 128 | 2K | YES | BOTTOM | YES | 750μm | 8mm | 6mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AS7C3256A-15TCNTR | Alliance Memory, Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width) | YES | 28 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2001 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 28 | 3V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3.3V | 0.55mm | 1MHz | 未说明 | 28 | 3.3V | 3.6V | 3V | 256Kb 32K x 8 | SRAM | Parallel | 32KX8 | 8 | 15ns | 256 kb | 15 ns | 1.2mm | 11.8mm | 8mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT28HC256E-90FM/883 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 23 Weeks | Military grade | Lead, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 28-CFlatPack | 28 | Non-Volatile | -55°C~125°C TC | Tube | 1997 | e0 | no | 活跃 | 3 (168 Hours) | 28 | 锡铅 | 自动写入 | 4.5V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 5V | 1.27mm | 90GHz | 未说明 | AT28HC256 | 不合格 | 5V | 5V | Parallel, SPI | 256Kb 32K x 8 | 80mA | ASYNCHRONOUS | 90ns | EEPROM | Parallel | 32KX8 | 3-STATE | 8 | 10ms | 256 kb | 0.0003A | MIL-STD-883 Class C | 5V | 100000 Write/Erase Cycles | 10ms | YES | YES | 64words | 3.02mm | 10.16mm | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C131E-55NXCT | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 52-BQFP | 52 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2011 | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 52 | Matte Tin (Sn) | 4.5V~5.5V | QUAD | 1 | 5V | 0.65mm | 5V | 5V | 8Kb 1K x 8 | 2 | 160mA | SRAM | Parallel | 1KX8 | 3-STATE | 8 | 55ns | 20b | 8 kb | 0.015A | 55 ns | COMMON | Asynchronous | 8b | 10mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST25WF020-40-5I-QAE-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2005 | SST25 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | 1.65V~1.95V | DUAL | 1.8V | 1.27mm | SST25WF020 | 1.8V | SPI, Serial | 2Mb 256K x 8 | 10mA | 40MHz | 9 ns | FLASH | SPI | 8b | 8 | 60μs | 1b | 2 Mb | Synchronous | 8b | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 100 | HARDWARE/SOFTWARE | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
.png) | 5962-3829411MZA | Renesas Electronics America Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | Tube | 5962-3829411 | This product may require additional documentation to export from the United States. | + 125 C | 5.5 V | - 55 C | 13 | 4.5 V | 通孔 | Parallel | Renesas Electronics | Renesas Electronics | N | SRAM | 通孔 | 28-CDIP (0.300", 7.62mm) | 28-CDIP | Renesas Electronics America Inc | Volatile | -55°C ~ 125°C (TA) | Tube | - | Asynchronous | Memory & Data Storage | 4.5V ~ 5.5V | 64Kbit | 45 ns | SRAM | Parallel | 8 k x 8 | 45ns | SRAM | 8K x 8 | 3.56 mm | 37.72 mm | 7.62 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M29W320EB70ZE6F | Micron | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 2000000 | PLASTIC/EPOXY | BGA48,6X8,32 | -40 °C | 30 | 70 ns | 85 °C | 有 | M29W320EB70ZE6F | 2097152 words | 3 V | TFBGA | RECTANGULAR | Micron Technology Inc | Obsolete | MICRON TECHNOLOGY INC | 7.54 | BGA | YES | 48 | TFBGA, BGA48,6X8,32 | e1 | 有 | 3A991.B.1.A | NOR型号 | Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | 底部启动区块 | 8542.32.00.51 | 闪存 | CMOS | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | 0.8 mm | compliant | 48 | R-PBGA-B48 | 不合格 | 3.6 V | 3/3.3 V | INDUSTRIAL | 2.7 V | ASYNCHRONOUS | 0.02 mA | 2MX16 | 1.2 mm | 16 | 0.0001 A | 33554432 bit | PARALLEL | FLASH | 3 V | 8 | YES | YES | YES | 8,63 | 8K,64K | YES | BOTTOM | YES | 8 mm | 6 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M27C2001-10C1 | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-LCC (J-Lead) | 32 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 32 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 4.5V~5.5V | QUAD | 未说明 | 1 | 5V | 1.27mm | 未说明 | M27C2001 | 32 | 不合格 | 5V | 5V | 2Mb 256K x 8 | 50mA | ASYNCHRONOUS | 100ns | EPROM | Parallel | 256KX8 | 3-STATE | 8 | 2 Mb | 0.0001A | COMMON | 30mA | 3.56mm | 13.995mm | 11.4554mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS43LR16800G-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | 表面贴装 | 60-TFBGA | YES | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 60 | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 1.7V~1.95V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 1.8V | 0.8mm | 未说明 | R-PBGA-B60 | 1.95V | 1.7V | 128Mb 8M x 16 | 1 | SYNCHRONOUS | 166MHz | 5.5ns | DRAM | Parallel | 8MX16 | 16 | 15ns | 134217728 bit | 1.1mm | 10mm | 8mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 25LC010AT-E/MNY | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WFDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2009 | e4 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 2.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.5mm | 40 | 25LC010A | 5.5V | 3/5V | 2.5V | SPI, Serial | 1Kb 128 x 8 | 5mA | 10MHz | 50 ns | EEPROM | SPI | 5ms | 1 kb | 0.000001A | TS 16949 | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE/SOFTWARE | 750μm | 2mm | 3mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1347G-166AXI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2004 | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 100 | 3A991.B.2.A | Matte Tin (Sn) | 流水线结构 | 3.15V~3.6V | QUAD | 260 | 1 | 3.3V | 0.65mm | unknown | 20 | CY7C1347 | 100 | 不合格 | 3.3V | 3.63V | 3.135V | 4.5Mb 128K x 36 | 4 | 240mA | 166MHz | 3.5ns | SRAM | Parallel | 128KX36 | 3-STATE | 36 | 17b | 4 Mb | COMMON | Synchronous | 36b | 1.6mm | 20mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LE25S81QETXG | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Industrial grade | 表面贴装 | 8-WDFN Exposed Pad | YES | 8 | Non-Volatile | -40°C~90°C TA | Tape & Reel (TR) | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | Tin (Sn) | 1.65V~1.95V | DUAL | 1 | 1.8V | 1.27mm | 8 | 1.8V | 1.95V | 1.65V | SPI, Serial | 8Mb 1M x 8 | SYNCHRONOUS | 40MHz | FLASH | SPI | 8 | 500μs | 20b | 8 Mb | 256B | 6mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BR24T02FVJ-WE2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 11 Weeks | Copper, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2013 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | Matte Tin (Sn) | 1.6V~5.5V | DUAL | 225 | 1 | 2.5V | 0.65mm | 未说明 | BR24T02 | S-PDSO-G8 | 不合格 | 5.5V | 1.8/5V | 1.6V | 2-Wire, I2C, Serial | 2Kb 256 x 8 | SYNCHRONOUS | 400kHz | 900 ns | EEPROM | I2C | 256X8 | 8 | 5ms | 2 kb | 0.000002A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 40 | HARDWARE | 1010DDDR | 1.1mm | 3mm | 3mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 25LC020AT-E/MNY | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 27 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WFDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2009 | e4 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 2.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.5mm | 40 | 25LC020A | 8 | 5.5V | 3/5V | 2.5V | SPI, Serial | 2Kb 256 x 8 | 5mA | 10MHz | 50 ns | EEPROM | SPI | 5ms | 2 kb | 0.000001A | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE/SOFTWARE | 750μm | 2mm | 3mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY62136FV30LL-45BVXIT | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 48-VFBGA | YES | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2001 | MoBL® | e1 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | 3A991.B.2.A | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 8542.32.00.41 | 2.2V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 0.75mm | 30 | CY62136 | R-PBGA-B48 | 不合格 | 3.6V | 2.5/3.3V | 2.2V | 2Mb 128K x 16 | SRAM | Parallel | 128KX16 | 3-STATE | 16 | 45ns | 0.000004A | 2097152 bit | 45 ns | COMMON | 1.5V | 1mm | 8mm | 6mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S27KL0641DABHB023 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 24-VBGA | YES | Volatile | -40°C~105°C TA | Tape & Reel (TR) | 2016 | Automotive, AEC-Q100, HyperRAM™ KL | 活跃 | 3 (168 Hours) | 24 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 3V | 1mm | 未说明 | R-PBGA-B24 | 3.6V | 2.7V | 64Mb 8M x 8 | SYNCHRONOUS | 100MHz | 40ns | PSRAM | Parallel | 8MX8 | 8 | 67108864 bit | 1mm | 8mm | 6mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS62WV12816BLL-55T | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | e0 | no | Obsolete | 2 (1 Year) | 44 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 2.5V~3.6V | DUAL | 1 | 3V | 0.8mm | 44 | 3.3V | 3.6V | 2.5V | 2Mb 128K x 16 | 1 | 3mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 16 | 55ns | 17b | 2 Mb | 55 ns | COMMON | Asynchronous | 16b | 1V | 无 | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | W9864G6JH-6I | Winbond Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 54 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2010 | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 54 | EAR99 | Tin (Sn) | AUTO/SELF REFRESH | 3V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3.3V | 0.8mm | 未说明 | 54 | 不合格 | 3.3V | 3.6V | 3V | 64Mb 4M x 16 | 1 | 75mA | SYNCHRONOUS | 166MHz | 5ns | DRAM | Parallel | 4MX16 | 3-STATE | 16 | 14b | 64 Mb | 0.002A | COMMON | 4096 | 1248FP | 1248 | 1.2mm | 22.22mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BR25L080FVT-WE2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2005 | e2 | yes | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 0.65mm | 10 | BR25L080 | 8 | 不合格 | 5V | SPI, Serial | 8Kb 1K x 8 | SYNCHRONOUS | 5MHz | 5 μs | EEPROM | SPI | 8 | 5ms | 8 kb | 0.000002A | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 40 | HARDWARE | 1.25mm | 4.4mm | 3mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61WV25616EDBLL-8TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Industrial grade | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | 44 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | e3 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 44 | Matte Tin (Sn) | 3V~3.6V | DUAL | 225 | 1 | 3.3V | 0.8mm | 未说明 | 不合格 | 3.3V | 3.63V | 2.97V | 4Mb 256K x 16 | 1 | 45mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 16 | 8ns | 18b | 4 Mb | 0.006A | 8 ns | COMMON | Asynchronous | 16b | 2V | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT25640A-10PU-1.8 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 通孔 | 通孔 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | 8 | 8-PDIP | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | Obsolete | 1 (Unlimited) | 85°C | -40°C | 1.8V~5.5V | 5MHz | AT25640 | 5V | SPI, Serial | 5.5V | 1.8V | 64Kb 8K x 8 | 10mA | 20MHz | 80 ns | EEPROM | SPI | 5ms | 64 kb | 5MHz | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY7C1347F-133AC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2001 | e0 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 100 | TIN LEAD (800) | 流水线结构 | 3.15V~3.6V | QUAD | 225 | 1 | 3.3V | 0.65mm | not_compliant | 30 | CY7C1347 | 100 | 不合格 | 3.3V | 3.63V | 4.5Mb 128K x 36 | 1 | 225mA | 133MHz | 4ns | SRAM | Parallel | 3-STATE | 36 | 17b | 4.5 Mb | COMMON | Synchronous | 36b | 20mm | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY62157EV30LL-45ZSXA | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2004 | MoBL® | e4 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 44 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 2.2V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.8mm | 30 | CY62157 | 44 | 3V | 3.6V | 2.2V | 8Mb 512K x 16 | 1 | 25mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 16 | 45ns | 19b | 8 Mb | 0.000005A | 22MHz | 45 ns | COMMON | Asynchronous | 16b | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY7C1021CV33-10ZXIT | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 1996 | e4 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 44 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 3V~3.6V | DUAL | 1 | 3.3V | 0.8mm | unknown | 10GHz | CY7C1021 | 44 | 不合格 | 3.3V | 3.63V | 2.97V | 1Mb 64K x 16 | 1 | 90mA | SRAM | Parallel | 16 | 10ns | 16b | 1 Mb | Asynchronous | 16b | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL032P0XMFI000 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 11 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | 16 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2013 | FL-P | Obsolete | 3 (168 Hours) | 16 | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | 40 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | SPI, Serial | 32Mb 4M x 8 | 38mA | 104MHz | 8 ns | FLASH | SPI - Quad I/O | 8b | 16 | 5μs, 3ms | 1b | 32 Mb | 0.00001A | Synchronous | 8b | 3V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 256B | 2.65mm | 10.3mm | 无 | ROHS3 Compliant |