类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 终端数量 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 终端 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 工作电源电流 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 最大电源电流 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 产品类别 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 最高频率 | 筛选水平 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | I2C控制字节 | 反向引脚排列 | 产品类别 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | CY7C1418KV18-250BZI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2003 | e0 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 165 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 流水线结构 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 235 | 1 | 1.8V | 20 | CY7C1418 | 165 | 1.8V | 36Mb 2M x 18 | 1 | 430mA | 250MHz | 450 ps | SRAM | Parallel | 3-STATE | 18 | 21b | 36 Mb | 0.26A | COMMON | Synchronous | 18b | 无 | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY14B116N-Z30XI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | 48 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2014 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | 3A991.B.2.B | 8542.32.00.41 | 2.7V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3V | 0.5mm | 未说明 | 3V | 3.6V | 2.7V | 16Mb 1M x 16 | ASYNCHRONOUS | NVSRAM | Parallel | 16b | 1MX16 | 16 | 30ns | 16 Mb | 30 ns | 1.2mm | 18.4mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS61WV10248BLL-10MLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Industrial grade | 表面贴装 | 48-TFBGA | YES | 48 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | e1 | yes | 活跃 | 2 (1 Year) | 48 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 2.4V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 0.75mm | 40 | 48 | 3.6V | 8Mb 1M x 8 | 2 | 100mA | SRAM | Parallel | 1MX8 | 3-STATE | 8 | 10ns | 20b | 8 Mb | 10 ns | COMMON | Asynchronous | 8b | 11mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
.png) | 24LC256-I/SMG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | + 85 C | 5.5 V | 0.019048 oz | - 40 C | 90 | 400 uA | 2.5 V | SMD/SMT | 2-Wire, I2C | 200 Year | Microchip | 微芯片技术 | Details | SOP, SOP8,.3 | 小概要 | 3 | 32000 | PLASTIC/EPOXY | SOP8,.3 | -40 °C | 未说明 | 85 °C | 有 | 24LC256-I/SMG | 0.4 MHz | 32768 words | SOP | RECTANGULAR | Obsolete | MICROCHIP TECHNOLOGY INC | 7.72 | SOIC | EEPROM | SOIC-8 Wide | YES | 8 | 400 kHz | Tube | 24AA256 | e3 | 有 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 8542.32.00.51 | Memory & Data Storage | CMOS | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 1 | 1.27 mm | compliant | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | 2.5 V to 5.5 V | 5.5 V | 3/5 V | INDUSTRIAL | 2.5 V | Serial (I2C) | 256 kbit | 400 uA, 3 mA | SYNCHRONOUS | 3 mA | 900 ns | 32 k x 8 | 2.03 mm | 8 | 0.000001 A | 262144 bit | SERIAL | EEPROM | 2.5 V to 5.5 V | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5 ms | 200 | HARDWARE | 1010DDDR | NO | EEPROM | 1.98 mm (Max) | 5.26 mm | 5.25 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT28HC64B-12JC | Atmel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M24C32-FMB5TG | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Automotive grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-UFDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -20°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1.7V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 1.8V | 0.5mm | 未说明 | M24C32 | 8 | 不合格 | 5V | 1.7V | 2-Wire, I2C, Serial | 32Kb 4K x 8 | 3mA | SYNCHRONOUS | 1MHz | 450ns | EEPROM | I2C | 5ms | 32 kb | 0.000001A | AEC-Q100 | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 40 | HARDWARE | 1010DDDR | 530μm | 2mm | 3mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL512SAGMFVG10 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Tray | 2013 | FL-S | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 16 | Matte Tin (Sn) | IT ALSO HAVE MEMORY WIDTH X1 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 1 | 3V | 1.27mm | R-PDSO-G16 | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | SPI, Serial | 512Mb 64M x 8 | SYNCHRONOUS | 133MHz | 0.061mA | FLASH | SPI - Quad I/O | 64MX8 | 8 | 0.0001A | 512753664 bit | 3V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 1 | 2.65mm | 10.3mm | 7.5mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1019D-10VXIT | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-BSOJ (0.400, 10.16mm Width) | 32 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2004 | e4 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 32 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 30 | CY7C1019 | 5V | 5V | 1Mb 128K x 8 | 1 | 80mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 8 | 10ns | 17b | 1 Mb | 0.003A | 100MHz | COMMON | Asynchronous | 8b | 2V | 3.7592mm | 20.955mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS45S16160J-6TLA1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 活跃 | 3 (168 Hours) | 54 | PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH | 3V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3.3V | 0.8mm | 未说明 | R-PDSO-G54 | 3.6V | 3V | 256Mb 16M x 16 | 1 | SYNCHRONOUS | 166MHz | 5.4ns | DRAM | Parallel | 16MX16 | 16 | 268435456 bit | 1.2mm | 22.22mm | 10.16mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 24LC01B/S | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | Die | YES | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2009 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 8542.32.00.51 | 2.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 1.27mm | 40 | 24LC01B | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | 5.5V | 3/5V | 1.8V | 1Kb 128 x 8 | SYNCHRONOUS | 400kHz | 0.003mA | 3500ns | EEPROM | I2C | 128X8 | OPEN-DRAIN | 8 | 5ms | 0.00003A | 1024 bit | SERIAL | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE | 1010XXXR | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 25AA080D-I/ST | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2009 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.65mm | 40 | 25AA080D | 8 | 5V | SPI, Serial | 8Kb 1K x 8 | 5mA | 10MHz | 160 ns | EEPROM | SPI | 8 | 5ms | 8 kb | 0.000001A | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE/SOFTWARE | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY62256VNLL-70ZXI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 15 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width) | 28 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 1998 | MoBL® | e4 | yes | 最后一次购买 | 3 (168 Hours) | 28 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.55mm | 70GHz | 20 | CY62256 | 28 | 3V | 3.6V | 2.7V | 256Kb 32K x 8 | 1 | 30mA | 30mA | SRAM | Parallel | 32KX8 | 3-STATE | 8 | 70ns | 15b | 256 kb | 0.000006A | 70 ns | COMMON | Asynchronous | 8b | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1412BV18-200BZXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2003 | e1 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 165 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 流水线结构 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 260 | 1 | 1.8V | 1mm | unknown | 20 | CY7C1412 | 165 | 不合格 | 1.8V | 1.9V | 1.7V | 36Mb 2M x 18 | 2 | 725mA | 200MHz | 450 ps | SRAM | Parallel | 3-STATE | 18 | 20b | 36 Mb | 0.37A | SEPARATE | Synchronous | 18b | 1.7V | 1.4mm | 17mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 11AA040T-I/MNY | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WFDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2009 | e4 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | SMD/SMT | EAR99 | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.5mm | 40 | 11AA040 | 8 | 5.5V | 2/5V | Serial | 4Kb 512 x 8 | 5mA | 100kHz | EEPROM | 单线 | 5ms | 4 kb | 0.000005A | 1-WIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 10ms | 200 | SOFTWARE | 750μm | 3mm | 2mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 11AA161-I/TO | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | Tin | 通孔 | 通孔 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 3 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Bulk | 2009 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | 1.8V~5.5V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 5V | 1.27mm | 未说明 | 11AA161 | 3 | 不合格 | 5.5V | 2/5V | 1.8V | Serial | 16Kb 2K x 8 | 5mA | SYNCHRONOUS | 100kHz | EEPROM | 单线 | 2KX8 | 8 | 5ms | 16 kb | 0.000005A | 1-WIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 10ms | 200 | SOFTWARE | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST26VF016B-104V/MF | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 8-WDFN Exposed Pad | YES | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Tube | 2017 | SST26 SQI® | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | 2.7V~3.6V | DUAL | 1 | 3V | 1.27mm | SST26VF016B | R-PDSO-N8 | 3.6V | 2.7V | SPI | 16Mb 2M x 8 | SYNCHRONOUS | 104MHz | FLASH | SPI - Quad I/O | 16MX1 | 1 | 1.5ms | 16777216 bit | AEC-Q100; TS 16949 | SERIAL | 3V | 0.8mm | 6mm | 5mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1354C-200AXI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2004 | NoBL™ | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 100 | 3A991.B.2.A | Matte Tin (Sn) | 流水线结构 | 3.135V~3.6V | QUAD | 260 | 1 | 3.3V | 0.65mm | 20 | CY7C1354 | 100 | 3.3V | 3.6V | 3.135V | 9Mb 256K x 36 | 4 | 220mA | 200MHz | 3.2ns | SRAM | Parallel | 256KX36 | 3-STATE | 36 | 18b | 9 Mb | COMMON | Synchronous | 36b | 1.6mm | 20mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1470BV33-167BZI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2004 | NoBL™ | e0 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 165 | 3A991.B.2.A | Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag) | 流水线结构 | 3.135V~3.6V | BOTTOM | 220 | 1 | 3.3V | 1mm | 30 | CY7C1470 | 165 | 3.3V | 3.6V | 3.135V | 72Mb 2M x 36 | 4 | 450mA | 167MHz | 3.4ns | SRAM | Parallel | 2MX36 | 3-STATE | 36 | 21b | 72 Mb | COMMON | Synchronous | 36b | 17mm | 无 | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC00/S | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | Die | YES | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2016 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 2-WIRE SERIAL INTERFACE; DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED | 8542.32.00.51 | 2.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 4.5V | 0.65mm | 40 | 24LC00 | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | 5.5V | 3/5V | 2.5V | 128b 16 x 8 | SYNCHRONOUS | 400kHz | 0.002mA | 3500ns | EEPROM | I2C | 16X8 | 8 | 4ms | 0.000001A | 128 bit | SERIAL | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 4ms | 200 | 1010XXXR | 1.1mm | 4.4mm | 3mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 11LC040T-E/MNY | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WFDFN Exposed Pad | 8 | 8-TDFN (2x3) | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2009 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 125°C | -40°C | 2.5V~5.5V | 100kHz | 11LC040 | 5V | Serial | 5.5V | 2.5V | 4Kb 512 x 8 | 5mA | 100kHz | EEPROM | 单线 | 5ms | 4 kb | 100kHz | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT27C010L-90JC | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 32-LCC (J-Lead) | 32-PLCC (13.97x11.43) | Non-Volatile | 0°C~70°C TC | Tube | 1998 | Obsolete | 2 (1 Year) | 4.5V~5.5V | AT27C010 | 1Mb 128K x 8 | 90ns | EPROM | Parallel | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS61LP6432A-133TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 100-LQFP | YES | 100 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | e3 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 100 | Matte Tin (Sn) - annealed | 流水线结构 | 3.135V~3.6V | QUAD | 260 | 1 | 3.3V | 0.65mm | 40 | 100 | 3.3V | 3.465V | 2Mb 64K x 32 | 1 | 190mA | 133MHz | 4ns | SRAM | Parallel | 64KX32 | 3-STATE | 16b | 2 Mb | 0.04A | COMMON | Synchronous | 32b | 1.45mm | 20.1mm | 14.1mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS61LF12836A-7.5TQLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | Industrial grade | 表面贴装 | 100-LQFP | YES | 100 | 657.000198mg | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | e3 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 100 | 3A991.B.2.A | Matte Tin (Sn) - annealed | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE | 3.135V~3.6V | QUAD | 260 | 1 | 3.3V | 0.65mm | 40 | 100 | 3.3V | 3.135V | 4.5Mb 128K x 36 | 4 | 160mA | 160mA | 117MHz | 7.5ns | SRAM | Parallel | 128KX36 | 3-STATE | 17b | 4 Mb | 0.035A | COMMON | Synchronous | 36b | 1.6mm | 20mm | 14mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT28LV010-20JU-630 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 22 Weeks | 表面贴装 | 32-LCC (J-Lead) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tape & Reel (TR) | 1997 | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 32 | Matte Tin (Sn) - annealed | 3V~3.6V | QUAD | 未说明 | 1 | 3.3V | 1.27mm | 未说明 | R-PQCC-J32 | 3.465V | 3.135V | 1Mb 128K x 8 | ASYNCHRONOUS | 200ns | EEPROM | Parallel | 128KX8 | 8 | 10ms | 1048576 bit | 3V | 10ms | 3.556mm | 13.97mm | 11.43mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 11AA161-I/SN | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2009 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 1.27mm | 40 | 11AA161 | 8 | 不合格 | 5.5V | 2/5V | Serial | 16Kb 2K x 8 | 5mA | SYNCHRONOUS | 100kHz | EEPROM | 单线 | 8 | 5ms | 16 kb | 0.000005A | 1-WIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 10ms | 200 | SOFTWARE | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant |