类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 最大功率耗散 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 电压 | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 端口的数量 | 电源电流 | 内存大小 | 操作模式 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 定时器/计数器的数量 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 核心架构 | 最高频率 | 筛选水平 | 访问时间(最大) | 并行/串行 | I/O类型 | 可编程I/O数 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 页面尺寸 | 刷新周期 | I2C控制字节 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 反向引脚排列 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||
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![]() | CY14V101Q3-SFXI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | 16 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2008 | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 16 | 3A991.B.2.A | MATTE TIN (800) | 8542.32.00.41 | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3.3V | 1.27mm | 40 | CY14V101 | 不合格 | 3.3V | 3.6V | 3V | SPI, Serial | 10mA | 1Mb 128K x 8 | SYNCHRONOUS | 30MHz | 12 ns | NVSRAM | SPI | 8b | 128KX8 | 8 | 1 Mb | 0.005A | 8b | 2.667mm | 10.2865mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 24LC01B-E/MS | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tube | 2007 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 2.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 0.65mm | 40 | 24LC01B | 8 | 5V | I2C, Serial | 3mA | 1Kb 128 x 8 | 400kHz | 3500ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 1 kb | 0.000005A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE | 1010XXXR | NO | 1.1mm | 3mm | 3mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IS42S83200G-7TL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 54 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 54 | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 3V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3.3V | 0.8mm | 未说明 | 54 | 不合格 | 3.3V | 3.6V | 3V | 1 | 130mA | 256Mb 32M x 8 | SYNCHRONOUS | 143MHz | 5.4ns | DRAM | Parallel | 8b | 32MX8 | 3-STATE | 8 | 15b | 256 Mb | 0.004A | COMMON | 8192 | 1248FP | 1248 | 1.2mm | 22.22mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AT21CS01-SSHM15-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tape & Reel (TR) | 2014 | e4 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 1.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 1.8V | 1.27mm | 40 | AT21CS01 | 3.6V | 1.7V | 1Kb 128 x 8 | SYNCHRONOUS | 125kHz | EEPROM | I2C, Single Wire | 8 | 5ms | 1024 bit | SERIAL | 1-WIRE | 5ms | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | W25Q64JVZEIQ | Winbond Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 8-WDFN Exposed Pad | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2016 | SpiFlash® | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3V | 1.27mm | 未说明 | R-PDSO-N8 | 3.6V | 2.7V | SPI, Serial | 64Mb 8M x 8 | SYNCHRONOUS | 133MHz | FLASH | SPI - Quad I/O | 64MX1 | 1 | 3ms | 67108864 bit | 2.7V | 0.8mm | 8mm | 6mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MX25L8006EZUI-12G | Macronix | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 8-UDFN Exposed Pad | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2010 | MX25xxx05/06 | 不用于新设计 | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3V | 0.8mm | 未说明 | 8 | S-PDSO-N8 | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | SPI, Serial | 8Mb 1M x 8 | SYNCHRONOUS | 86MHz | FLASH | SPI | 4MX2 | 2 | 50μs, 3ms | 8 Mb | 0.00001A | 2.7V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 1 | 0.6mm | 4mm | 4mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1021BNV33L-15ZXIT | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 1996 | e4 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 44 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 3V~3.6V | DUAL | 1 | 3.3V | 0.8mm | CY7C1021 | 3.3V | 3.6V | 3V | 1 | 160mA | 1Mb 64K x 16 | SRAM | Parallel | 3-STATE | 16 | 15ns | 16b | 1 Mb | COMMON | Asynchronous | 16b | 2V | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | N25Q032A13E1240E | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 15 Weeks | 表面贴装 | 24-TBGA | YES | 24 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2012 | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 24 | 3A991.B.1.A | 锡银铜 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 1mm | 30 | N25Q032 | 24 | 3/3.3V | 2.7V | SPI, Serial | 20mA | 32Mb 8M x 4 | 108MHz | 7 ns | FLASH | SPI | 32MX1 | 1 | 8ms, 5ms | 22b | 32 Mb | 0.0001A | Synchronous | 8b | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 256B | 1.2mm | 8mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 93AA56-I/SN | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 29 Weeks | 有 | 25B | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2004 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 800mW | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 40 | 93AA56 | 8 | 5.5V | Serial | 3mA | 2Kb 256 x 8 128 x 16 | 2MHz | 2 μs | EEPROM | SPI | 8b | 16 | 1 | 10ms | 2 kb | PIC | 12 | MICROWIRE | 8 | 4.9mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 24C02C-E/ST | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tube | 2005 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | DATA RETENTION > 200 YEARS, 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.65mm | 40 | 24C02C | 8 | 5V | 5V | I2C, Serial | 3mA | 2Kb 256 x 8 | 100kHz | 3500ns | EEPROM | I2C | 8 | 1.5ms | 2 kb | 0.00005A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 1.5ms | 200 | HARDWARE | 1010DDDR | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 24AA025-I/STG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 4.40 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSSOP-8 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 1 | 256 | PLASTIC/EPOXY | TSSOP8,.25 | -40 °C | 40 | 85 °C | 有 | 24AA025-I/STG | 0.4 MHz | 256 words | 2.5 V | TSSOP | RECTANGULAR | Microchip Technology Inc | 活跃 | MICROCHIP TECHNOLOGY INC | 5.42 | SOIC | YES | 8 | 8 | Compliant | Bulk | e3 | 有 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 85 °C | -40 °C | 8542.32.00.51 | EEPROMs | CMOS | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 0.65 mm | compliant | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | 5.5 V | 2/5 V | INDUSTRIAL | 1.7 V | I2C, Serial | 5.5 V | 1.7 V | 256 B | SYNCHRONOUS | 0.003 mA | 900 ns | 256X8 | 1.2 mm | 8 | 2 kb | 0.000001 A | 2048 bit | 400 kHz | SERIAL | EEPROM | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5 ms | 200 | 1010DDDR | 4.4 mm | 3 mm | 无 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 25AA160/P | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | Tin | 通孔 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | 8 | 8-PDIP | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | 2004 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 70°C | 0°C | 1.8V~5.5V | 1MHz | 25AA160 | SPI, Serial | 5.5V | 1.8V | 5mA | 16Kb 2K x 8 | 1MHz | 475 ns | EEPROM | SPI | 5ms | 16 kb | 1MHz | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AT28HC64B-90PU | Atmel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | W25Q64FVSFIG | Winbond Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | 16 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2007 | SpiFlash® | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 16 | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 1 | 1.27mm | 16 | 3.6V | 3V | SPI, Serial | 40mA | 64Mb 8M x 8 | 104MHz | 8.5 ns | FLASH | SPI - Quad I/O, QPI | 8MX8 | 3-STATE | 8 | 50μs, 3ms | 1b | 64 Mb | 0.00005A | Synchronous | 8b | SPI | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 1 | 256B | 2.64mm | 10.31mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C024AV-25AXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2003 | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 100 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | FLOW-THROUGH | 3V~3.6V | QUAD | 260 | 1 | 3.3V | 0.5mm | 25GHz | 30 | CY7C024 | 100 | 3.3V | 3.6V | 3V | 2 | 165mA | 64Kb 4K x 16 | SRAM | Parallel | 4KX16 | 3-STATE | 16 | 25ns | 24b | 64 kb | 0.00005A | COMMON | Asynchronous | 16b | 2V | 1.6mm | 14mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 11LC080T-I/SN | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 9 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2009 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 2.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 1.27mm | 40 | 11LC080 | 8 | 5V | Serial | 5mA | 8Kb 1K x 8 | 100kHz | EEPROM | 单线 | 8 | 5ms | 8 kb | 0.000005A | 1-WIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 10ms | 200 | SOFTWARE | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 24LC024HT-I/ST | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2007 | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 2.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 4.5V | 0.65mm | 40 | 24LC024H | 8 | 5V | I2C, Serial | 3mA | 2Kb 256 x 8 | 1MHz | 400ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 2 kb | I2C | 5ms | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | FM25V20-GTR | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2013 | F-RAM™ | e4 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 镍钯金 | 2V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3.3V | 1.27mm | 20 | FM25V20 | 8 | 3.3V | 3.6V | 2V | SPI, Serial | 3mA | 2Mb 256K x 8 | 40MHz | 18 ns | FRAM | SPI | 8b | 8 | 2 Mb | 0.00025A | 8b | 2mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 24AA044-I/ST | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 5 Weeks | Automotive grade | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2014 | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 1.7V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 0.65mm | 40 | 24AA044 | 5.5V | 1.7V | 2-Wire, I2C, Serial | 4Kb 256 x 8 x 2 | SYNCHRONOUS | 1MHz | 400ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | TS 16949 | I2C | 5ms | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 24AA1026-I/P | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 通孔 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | 8-PDIP | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2001 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 1.7V~5.5V | 24AA1026 | 1Mb 128K x 8 | 400kHz | 900ns | EEPROM | I2C | 5ms | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL128S10FHSS10 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 64-LBGA | 64 | Non-Volatile | 0°C~85°C TA | Tray | GL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 2.7V~3.6V | 128Mb 8M x 16 | 100ns | FLASH | Parallel | 60ns | 3V | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AT28C010E-15TU | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | 32 | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tray | 1997 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 32 | 4.5V~5.5V | DUAL | 1 | 5V | 0.5mm | AT28C010 | 5V | 5V | 40mA | 1Mb 128K x 8 | 150ns | EEPROM | Parallel | 128KX8 | 8 | 10ms | 1 Mb | 0.0002A | 5V | 10000 Write/Erase Cycles | 10ms | YES | YES | NO | 128words | 1.2mm | 18.4mm | 8mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY14V104NA-BA25XI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-TFBGA | 48 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2007 | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | 3A991.B.2.A | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 8542.32.00.41 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3.3V | 0.75mm | 30 | CY14V104 | 48 | 3.3V | 3.6V | 3V | 70mA | 4Mb 256K x 16 | NVSRAM | Parallel | 16b | 256KX16 | 16 | 25ns | 4 Mb | 0.008A | 25 ns | 16b | 1.2mm | 10mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 25C160-E/P | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 通孔 | 通孔 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tube | 2004 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | Matte Tin (Sn) | 4.5V~5.5V | DUAL | 1 | 5V | 2.54mm | 25C160 | 8 | 5V | 5V | SPI, Serial | 5mA | 16Kb 2K x 8 | 3MHz | 150 ns | EEPROM | SPI | 8 | 5ms | 16 kb | 0.000001A | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE/SOFTWARE | 4.32mm | 9.46mm | 7.62mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR24T02FVM-WTR | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 11 Weeks | Copper, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110, 2.80mm Width) | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2013 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | Matte Tin (Sn) | 1.6V~5.5V | DUAL | 225 | 1 | 2.5V | 0.65mm | 未说明 | BR24T02 | R-PDSO-G8 | 不合格 | 5.5V | 1.8/5V | 1.6V | 2-Wire, I2C, Serial | 2Kb 256 x 8 | SYNCHRONOUS | 400kHz | 900 ns | EEPROM | I2C | 256X8 | 8 | 5ms | 2 kb | 0.000002A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 40 | HARDWARE | 1010DDDR | 0.9mm | 2.9mm | 2.8mm | ROHS3 Compliant |