类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 工作电源电流 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 最大电源电流 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 产品类别 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 筛选水平 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | I2C控制字节 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 反向引脚排列 | 自我刷新 | 产品类别 | 组织的记忆 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 器件厚度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | S25FL256SAGBHBA03 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 24-TBGA | YES | 24 | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Tape & Reel (TR) | FL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 24 | ALSO CONFIGURABLE AS 256M X 1 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 3V | 1mm | 未说明 | 3.6V | 2.7V | SPI, Serial | 256Mb 32M x 8 | SYNCHRONOUS | 133MHz | FLASH | SPI - Quad I/O | 64MX4 | 4 | 268435456 bit | AEC-Q100 | 3V | 500ms | 2 | 1.2mm | 8mm | 6mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 24AA256T-E/MF | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-VDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2012 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 1.7V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 1.27mm | 40 | 24AA256 | 8 | 不合格 | 5.5V | 1.7V | I2C, Serial | 256Kb 32K x 8 | 3mA | SYNCHRONOUS | 400kHz | 900ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 256 kb | 0.000005A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE | 1010DDDR | NO | 1mm | 6mm | 5mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT29C512-90JI | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 32-LCC (J-Lead) | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tube | 1997 | Obsolete | 2 (1 Year) | 4.5V~5.5V | AT29C512 | 512Kb 64K x 8 | 90ns | FLASH | Parallel | 10ms | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AS6C1008-55PCN | Alliance Memory, Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Commercial grade | 通孔 | 通孔 | 32-DIP (0.600, 15.24mm) | 32 | 2.214806g | Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | 2006 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 32 | EAR99 | 2.7V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 2.54mm | 40 | 32 | 3V | 5.5V | 3/5V | 2.7V | 1Mb 128K x 8 | 1 | 60mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 55ns | 17b | 1 Mb | 55 ns | COMMON | 3.81mm | 41.91mm | 13.818mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL128SAGMFBG00 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Tray | 2016 | Automotive, AEC-Q100, FL-S | e3 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 16 | Matte Tin (Sn) | ALSO CONFIGURABLE AS 128M X 1 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3V | 1.27mm | 未说明 | R-PDSO-G16 | 3.6V | 2.7V | 128Mb 16M x 8 | SYNCHRONOUS | 133MHz | FLASH | SPI - Quad I/O | 32MX4 | 4 | 134217728 bit | SERIAL | 3V | 500ms | 2 | 2.65mm | 10.3mm | 7.5mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1371KV33-133AXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 100-LQFP | YES | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2004 | NoBL™ | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 100 | 3A991.B.2.B | 哑光锡 | 8542.32.00.41 | 3.135V~3.6V | QUAD | 260 | 1 | 3.3V | 0.65mm | 30 | R-PQFP-G100 | 3.6V | 3.135V | 18Mb 512K x 36 | 133MHz | 6.5ns | SRAM | Parallel | 512KX36 | 36 | 18874368 bit | 1.6mm | 20mm | 14mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1061AV33-10BAXI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 60-TFBGA | 60 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 1996 | e1 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 60 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 3V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3.3V | 0.75mm | 20 | CY7C1061 | 60 | 3.3V | 3.6V | 3V | 16Mb 1M x 16 | 1 | 275mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 16 | 10ns | 20b | 16 Mb | 0.05A | COMMON | Asynchronous | 16b | 3V | 20mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
.png) | 5962-8552512XA | Renesas Electronics America Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 活跃 | Tube | 5962-8552512 | This product may require additional documentation to export from the United States. | + 125 C | 5.5 V | - 55 C | 13 | 4.5 V | 通孔 | Parallel | Renesas Electronics | Renesas Electronics | N | 8000 | SRAM | 通孔 | 通孔 | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) | 28 | 28-CDIP | Renesas Electronics America Inc | Volatile | -55°C ~ 125°C (TA) | Tube | - | Asynchronous | 125 °C | -55 °C | Memory & Data Storage | 4.5V ~ 5.5V | Parallel | 5 V | 5 V | 64Kbit | 1 | 90 mA | 85 ns | SRAM | Parallel | 8 k x 8 | 85ns | 13 b | 64 kb | Asynchronous | 8 b | SRAM | 8K x 8 | 1.65 mm | 37.2 mm | 15.24 mm | 1.65 mm | 无 | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M24C04-WDW6T | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | YES | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | e0 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 2.5V~5.5V | DUAL | 1 | 5V | 0.65mm | M24C04 | 8 | 5V | 2-Wire, I2C, Serial | 4Kb 512 x 8 | 400kHz | 900ns | EEPROM | I2C | OPEN-DRAIN | 8 | 5ms | 4 kb | 0.000001A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 40 | HARDWARE | 1010DDMR | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | 无 | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M95256-RMN6P | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | e4 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 1.27mm | 30 | M95256 | 8 | 5V | SPI, Serial | 256Kb 32K x 8 | 3mA | 20MHz | 150 ns | EEPROM | SPI | 8 | 5ms | 256 kb | 0.000003A | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 40 | HARDWARE/SOFTWARE | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT24C01C-MAHM-E | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 8-UFDFN Exposed Pad | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 1997 | e4 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | ALSO HAS 1 MHZ CLOCK FREQ AT 2.5V AND 5V SUPPLY | 8542.32.00.51 | 1.7V~5.5V | DUAL | 1 | 2.5V | 0.5mm | AT24C01 | R-PDSO-N8 | 5.5V | 1.7V | 1Kb 128 x 8 | 1 | SYNCHRONOUS | 1MHz | 550ns | EEPROM | I2C | 128X8 | OPEN-DRAIN | 8 | 5ms | 0.000006A | 1024 bit | ISO/TS-16949 | SERIAL | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 100 | HARDWARE | YES | 8words | NO | 0.6mm | 3mm | 2mm | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 93AA66AT-I/MNY | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WFDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2011 | e4 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.5mm | 40 | 93AA66A | 8 | 5.5V | Serial | 4Kb 512 x 8 | 2mA | SYNCHRONOUS | 2MHz | 250 ns | EEPROM | SPI | 8 | 6ms | 4 kb | MICROWIRE | 6ms | 3mm | 2mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST39VF3201C-70-4I-EKE-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | 48 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2011 | SST39 MPF™ | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | Matte Tin (Sn) - annealed | 2.7V~3.6V | DUAL | 0.5mm | SST39VF3201C | 不合格 | 3.3V | 32Mb 2M x 16 | 15mA | 70ns | FLASH | Parallel | 16b | 2MX16 | 16 | 10μs | 21b | 32 Mb | 0.00005A | Asynchronous | 16b | YES | YES | 863 | 4K32K | YES | BOTTOM | YES | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 93LC66AXT-E/SN | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2008 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 2.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | 40 | 93LC66A | 8 | 5.5V | 3/5V | 2.5V | Serial | 4Kb 512 x 8 | 2mA | 2MHz | 250 ns | EEPROM | SPI | 8 | 6ms | 4 kb | 0.000005A | MICROWIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 6ms | 200 | SOFTWARE | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C006A-20JC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 68-LCC (J-Lead) | 68 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | 2001 | e0 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 68 | EAR99 | 锡铅 | 4.5V~5.5V | QUAD | 225 | 1 | 5V | not_compliant | 20GHz | 30 | CY7C006 | 68 | 不合格 | 5V | 5V | 128Kb 16K x 8 | 2 | SRAM | Parallel | 16KX8 | 3-STATE | 20ns | 14b | 128 kb | 0.0005A | COMMON | 50.8mm | 24.33mm | 24.3332mm | Non-RoHS Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M95320-WMN3TP/PC | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 小概要 | 1 | 4000 | PLASTIC/EPOXY | SOP8,.25 | -40 °C | 125 °C | 有 | M95320-WMN3TP/PC | 10 MHz | 4096 words | 5 V | SOP | RECTANGULAR | STMicroelectronics | Obsolete | STMICROELECTRONICS | 5.4 | Automotive grade | YES | 8 | SOP-8 | e4 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | EEPROMs | CMOS | DUAL | 鸥翼 | 1 | 1.27 mm | compliant | R-PDSO-G8 | 不合格 | 5.5 V | 3/5 V | AUTOMOTIVE | 2.5 V | SYNCHRONOUS | 0.006 mA | 4KX8 | 1.75 mm | 8 | 0.000002 A | 32768 bit | AEC-Q100 | SERIAL | EEPROM | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5 ms | 40 | HARDWARE/SOFTWARE | 4.9 mm | 3.9 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS45S16400J-7TLA1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 54 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 54 | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 3V~3.6V | DUAL | 1 | 3.3V | 0.8mm | 54 | 3.3V | 3.6V | 3V | 64Mb 4M x 16 | 1 | 90mA | 143MHz | 5.4ns | DRAM | Parallel | 16b | 4MX16 | 3-STATE | 16 | 14b | 64 Mb | COMMON | 4096 | 1248FP | 1248 | NO | YES | 1.2mm | 22.22mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29AL016J70BFA010 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 48-VFBGA | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2015 | Automotive, AEC-Q100, AL-J | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 3V | 0.8mm | 未说明 | R-PBGA-B48 | 3.6V | 2.7V | 16Mb 2M x 8 1M x 16 | ASYNCHRONOUS | FLASH | Parallel | 1MX16 | 16 | 70ns | 16777216 bit | 70 ns | 3V | 8 | 1mm | 8.15mm | 6.15mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | W631GU6KB-15 | Winbond Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 96-TFBGA | YES | Volatile | 0°C~95°C TC | Tray | 2016 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 96 | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.32 | 1.283V~1.45V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 1.35V | 0.8mm | 未说明 | 96 | R-PBGA-B96 | 不合格 | 1.45V | 1.35V | 1.283V | 1Gb 64M x 16 | 1 | SYNCHRONOUS | 667MHz | 20ns | DRAM | Parallel | 64MX16 | 3-STATE | 16 | 0.014A | 1073741824 bit | COMMON | 8192 | 8 | 8 | 1.2mm | 13mm | 9mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT24C256BN-10SU-1.8 | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 1 Week | 小概要 | 1 | 32000 | PLASTIC/EPOXY | SOP8,.25 | -40 °C | 40 | 85 °C | 有 | AT24C256BN-10SU-1.8 | 1 MHz | 32768 words | 2.5 V | SOP | RECTANGULAR | Atmel Corporation | Obsolete | ATMEL CORP | 5.65 | SOIC | YES | 8 | 0.150 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8 | e3 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 8542.32.00.51 | EEPROMs | CMOS | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 1.27 mm | unknown | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | 3.6 V | 2/3.3 V | INDUSTRIAL | 1.8 V | SYNCHRONOUS | 0.003 mA | 32KX8 | 1.75 mm | 8 | 0.000001 A | 262144 bit | SERIAL | EEPROM | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5 ms | 40 | HARDWARE/SOFTWARE | 1010DDDR | 4.9 mm | 3.9 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| H27U1G8F2BTR-BC | Hynix | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 128000000 | PLASTIC/EPOXY | TSSOP48,.8,20 | 20 ns | 70 °C | 有 | H27U1G8F2BTR-BC | 134217728 words | TSSOP | RECTANGULAR | SK Hynix Inc | Obsolete | SK HYNIX INC | 8.56 | YES | 48 | TSSOP, TSSOP48,.8,20 | SLC NAND类型 | 闪存 | CMOS | DUAL | 鸥翼 | 0.5 mm | compliant | R-PDSO-G48 | 不合格 | 3/3.3 V | COMMERCIAL | 0.03 mA | 128MX8 | 8 | 0.00005 A | 1073741824 bit | PARALLEL | FLASH | NO | NO | YES | 1K | 128K | 2K words | YES | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29PL127J60TFI130 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | 56 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2003 | PL-J | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 56 | Matte Tin (Sn) | 上下靴块 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.5mm | 40 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 128Mb 8M x 16 | 55mA | FLASH | Parallel | 8MX16 | 16 | 60ns | 23b | 128 Mb | 0.000005A | 60 ns | Asynchronous | 16b | 3V | YES | YES | YES | 16254 | 4K32K | 8words | YES | BOTTOM/TOP | YES | 1.2mm | 18.4mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29AS016J70BHIF40 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 48-VFBGA | YES | 48 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2015 | AS-J | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | EAR99 | 8542.32.00.51 | 1.65V~1.95V | BOTTOM | 1 | 1.8V | 0.5mm | 1.8V | 1.95V | 1.65V | 16Mb 2M x 8 1M x 16 | 12mA | FLASH | Parallel | 8b | 1MX16 | 16 | 70ns | 20b | 16 Mb | 70 ns | 8 | BOTTOM | 1mm | 6mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M27W512-100N6 | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width) | YES | 28 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | e3/e6 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 28 | EAR99 | TIN/TIN BISMUTH | 8542.32.00.71 | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.55mm | M27W512 | 28 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 512Kb 64K x 8 | 50mA | 100ns | EPROM | Parallel | 64KX8 | 3-STATE | 8 | 512 kb | 0.000015A | COMMON | 1.25mm | 11.8mm | 8mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS61WV5128EDBLL-10TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Industrial grade | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | 44 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 44 | 2.4V~3.6V | DUAL | 1 | 3.3V | 0.8mm | 3.6V | 2.4V | 4Mb 512K x 8 | 1 | 35mA | 35mA | SRAM | Parallel | 8 | 10ns | 19b | 4 Mb | Asynchronous | 8b | 无 | ROHS3 Compliant |