类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 终端 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 端口的数量 | 电源电流 | 速度 | 操作模式 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 建筑学 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 最高频率 | 筛选水平 | 访问时间(最大) | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 引导模块 | 刷新周期 | I2C控制字节 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 产品 | 反向引脚排列 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S25FL256SAGBHIC00 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 24-TBGA | 24 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2007 | FL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 24 | ALSO CONFIGURABLE AS 128M X 1 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 1 | 3V | 1mm | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | SPI, Serial | 256Mb 32M x 8 | 75mA | 133MHz | 8 ns | FLASH | SPI - Quad I/O | 8b | 64MX4 | 4 | 1b | 256 Mb | 0.0001A | Synchronous | 1b | 3V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 500ms | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 2 | 1.2mm | 8mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29AS016J70BFI030 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-VFBGA | 48 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2012 | AS-J | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | EAR99 | TOP BOOT BLOCK | 8542.32.00.51 | 1.65V~1.95V | BOTTOM | 1 | 1.8V | 0.8mm | 1.8V | 1.95V | 1.65V | 16Mb 2M x 8 1M x 16 | 12mA | FLASH | Parallel | 8b | 1MX16 | 16 | 70ns | 20b | 16 Mb | 70 ns | Asynchronous | 8 | TOP | 1mm | 8.15mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 24LC16BHT-E/MS | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2008 | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 2.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 0.65mm | 40 | 24LC16BH | 8 | 不合格 | 5V | 1.7V | I2C, Serial | 16Kb 2K x 8 | 3mA | SYNCHRONOUS | 400kHz | 900ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 16 kb | 0.000005A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE | 1010MMMR | 1.1mm | 3mm | 3mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1049DV33-10ZSXIT | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 1996 | e4 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 44 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 3V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3.3V | 0.8mm | 10GHz | 20 | CY7C1049 | 3.3V | 3.6V | 3V | 4Mb 512K x 8 | 1 | 90mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 8 | 10ns | 19b | 4 Mb | COMMON | Asynchronous | 8b | 2V | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AT25DF021-SSHF-B | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 8-SOIC | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tube | 2012 | Obsolete | 1 (Unlimited) | SMD/SMT | 85°C | -40°C | 2.3V~3.6V | 50MHz | AT25DF021 | SPI, Serial | 3.6V | 2.3V | 2Mb 256K x 8 | 15mA | 50MHz | 6 ns | FLASH | SPI | 8b | 7μs, 5ms | 18b | 2 Mb | Synchronous | 8b | 无SVHC | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | M25P40-VMB3TPB | Micron | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE | 512000 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 未说明 | 125 °C | 有 | M25P40-VMB3TPB | 75 MHz | 524288 words | 3 V | HVSON | RECTANGULAR | Micron Technology Inc | Obsolete | MICRON TECHNOLOGY INC | 7.9 | YES | 8 | HVSON, | NOR型号 | CMOS | DUAL | 无铅 | 未说明 | 1 | 0.5 mm | compliant | R-PDSO-N8 | 3.6 V | AUTOMOTIVE | 2.7 V | SYNCHRONOUS | 512KX8 | 0.6 mm | 8 | 4194304 bit | SERIAL | FLASH | 2.7 V | 3 mm | 2 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC58NVG1S3EBAI5 | Kioxia America, Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | SMD/SMT | Parallel | Synchronous | 2.7 V | - 40 C | + 85 C | 30 mA | - | NAND | 有 | 180 | 3.6 V | TFBGA-63 | Details | Tray | 2 Gbit | 25 ns | 30 mA | 块擦除 | 8 bit | 256 M x 8 | NAND闪存 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 24AA32A-I/P | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 5 Weeks | Tin | 通孔 | 通孔 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2003 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 2-WIRE SERIAL INTERFACE; DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED | 1.8V~5.5V | DUAL | 1 | 2.5V | 2.54mm | 24AA32A | 8 | 5.5V | 2/5V | 1.7V | 2-Wire, I2C, Serial | 32Kb 4K x 8 | 3mA | 400kHz | 900ns | EEPROM | I2C | 5ms | 32 kb | 0.000001A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE | 1010DDDR | 3.3mm | 9.4mm | 6.35mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 25LC080B-I/SNG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 23A640-I/P | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 通孔 | 通孔 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | 8 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2009 | e3 | yes | 活跃 | 不适用 | 8 | 通孔 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 1.7V~1.95V | DUAL | 1 | 1.8V | 2.54mm | 23A640 | 8 | 1.8V | SPI, Serial | 64Kb 8K x 8 | 1 | 10mA | 20MHz | 32 ns | SRAM | SPI | 3-STATE | 1b | 64 kb | SEPARATE | Synchronous | 8b | 3.3mm | 9.27mm | 6.35mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MX25R3235FZNIL0 | Macronix | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 8-WDFN Exposed Pad | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2018 | MXSMIO™ | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | IT IS ALSO CONFIGURED AS 32M X 1 | 1.65V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 1.8V | 1.27mm | 未说明 | R-PDSO-N8 | 3.6V | 1.65V | 32Mb 4M x 8 | SYNCHRONOUS | 33MHz | FLASH | SPI | 8MX4 | 4 | 100μs, 10ms | 33554432 bit | SERIAL | 1.8V | 2 | 0.8mm | 6mm | 5mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IS43DR16640C-3DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Industrial grade | Copper, Silver, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 84-TFBGA | 84 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 84 | EAR99 | 锡银铜 | AUTO/SELF REFRESH | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 260 | 1 | 1.8V | 0.8mm | 10 | 不合格 | 1.8V | 1.9V | 1.7V | 1Gb 64M x 16 | 1 | SYNCHRONOUS | 450ps | DRAM | Parallel | 16b | 64MX16 | 3-STATE | 16 | 15ns | 13b | 1 Gb | 0.025A | 333MHz | COMMON | 8192 | 48 | 48 | 1.2mm | 12.5mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR24G16FVM-3GTTR | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110, 2.80mm Width) | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2013 | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 8542.32.00.51 | 1.6V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 0.65mm | 未说明 | BR24G16 | R-PDSO-G8 | 5.5V | 1.6V | 2-Wire, I2C, Serial | 16Kb 2K x 8 | SYNCHRONOUS | 400kHz | 900 ns | EEPROM | I2C | 2KX8 | 8 | 5ms | 16 kb | I2C | 5ms | 0.9mm | 2.9mm | 2.8mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 25LC640AXT-E/ST | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 5 Weeks | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | YES | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2013 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 2.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.65mm | 40 | 25LC640A | 8 | 5V | SPI, Serial | 64Kb 8K x 8 | 5mA | 10MHz | 100 ns | EEPROM | SPI | 8 | 5ms | 64 kb | 0.000001A | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE/SOFTWARE | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TC58BVG2S0HTA00 | Kioxia America, Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | Benand™ | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | 2.7V~3.6V | DUAL | 1 | 3.3V | 0.5mm | R-PDSO-G48 | 3.6V | 2.7V | 4Gb 512M x 8 | ASYNCHRONOUS | FLASH | Parallel | 512MX8 | 8 | 25ns | 4294967296 bit | 3.3V | 1.2mm | 18.4mm | 12mm | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 93AA66B-I/P | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | Tin | 通孔 | 通孔 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 1997 | e3 | yes | 活跃 | 不适用 | 8 | EAR99 | 1.8V~5.5V | DUAL | 1 | 2.5V | 2.54mm | 93AA66B | 8 | 5.5V | 2/5V | Serial | 4Kb 256 x 16 | 2mA | 2MHz | 250 ns | EEPROM | SPI | 256X16 | 6ms | 4 kb | 0.000001A | MICROWIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 6ms | 200 | SOFTWARE | 3.3mm | 9.27mm | 6.35mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AT28HC256-90FM/883 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 23 Weeks | Military grade | 表面贴装 | 28-CFlatPack | YES | Non-Volatile | -55°C~125°C TC | Tube | 1997 | e0 | no | 活跃 | 3 (168 Hours) | 28 | 锡铅 | 自动写入 | 4.5V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 5V | 1.27mm | 未说明 | AT28HC256 | R-CDFP-F28 | 不合格 | 5.5V | 5V | 4.5V | 256Kb 32K x 8 | ASYNCHRONOUS | 90ns | EEPROM | Parallel | 32KX8 | 3-STATE | 8 | 10ms | 0.0003A | 262144 bit | MIL-STD-883 Class C | 5V | 10000 Write/Erase Cycles | 10ms | YES | YES | NO | 64words | 3.02mm | 18.285mm | 10.16mm | Non-RoHS Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 24AA04T-I/MC | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-VFDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2009 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1.7V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 0.5mm | 40 | 24AA04 | 8 | 5V | 1.7V | 2-Wire, I2C, Serial | 4Kb 256 x 8 x 2 | 3mA | 400kHz | 900ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 4 kb | 0.000001A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE | 1010XXMR | NO | 1mm | 3mm | 2mm | 无 | Non-RoHS Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 24LC01BT-E/LT | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | 70 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 1999 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 5 | EAR99 | 8542.32.00.51 | 2.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 0.65mm | 40 | 24LC01B | 5 | R-PDSO-G5 | 5V | I2C, Serial | 1Kb 128 x 8 | 3mA | 400kHz | 3500ns | EEPROM | I2C | 128X8 | 8 | 5ms | 1 kb | 0.000005A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE | 1010XXXR | NO | 1.1mm | 2mm | 1.25mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AT28HC256-90JU-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 32-LCC (J-Lead) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tape & Reel (TR) | 1997 | e3 | 活跃 | 2 (1 Year) | 32 | Matte Tin (Sn) - annealed | 4.5V~5.5V | QUAD | 未说明 | 1 | 5V | 1.27mm | 未说明 | R-PQCC-J32 | 5.5V | 4.5V | 256Kb 32K x 8 | ASYNCHRONOUS | 90ns | EEPROM | Parallel | 32KX8 | 8 | 10ms | 262144 bit | 5V | 10ms | 3.556mm | 13.97mm | 11.43mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IS62WV6416BLL-55BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Industrial grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-TFBGA | 48 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | e1 | yes | 活跃 | 2 (1 Year) | 48 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 2.5V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 0.75mm | 40 | 48 | 3.3V | 3.6V | 2.5V | 1Mb 64K x 16 | 1 | 5mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 55ns | 16b | 1 Mb | 0.000005A | 55 ns | COMMON | Asynchronous | 16b | 600μm | 8mm | 6mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 47C16-E/ST | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tube | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | Matte Tin (Sn) - annealed | IT ALSO HAS EEPROM BACKUP OF 2K X 8 BITS | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.65mm | 40 | 47C16 | R-PDSO-G8 | 5.5V | 4.5V | 16Kb 2K x 8 | SYNCHRONOUS | 1MHz | 400ns | EERAM | I2C | 2KX8 | 8 | 1ms | 16384 bit | TS 16949 | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | M24C04-WMN6T | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | e0 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 2.5V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 5V | 1.27mm | 未说明 | M24C04 | 8 | 不合格 | 6.5V | 5.5V | 3/5V | 2.5V | 2-Wire, I2C, Serial | 4Kb 512 x 8 | SYNCHRONOUS | 400kHz | 900ns | EEPROM | I2C | OPEN-DRAIN | 8 | 5ms | 0.000001A | 4096 bit | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 40 | HARDWARE | 1010DDMR | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | Non-RoHS Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MX29F040CTI-70G | Macronix | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2009 | MX29F | e6 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 32 | EAR99 | Tin/Bismuth (Sn/Bi) | 8542.32.00.51 | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.5mm | 40 | 32 | R-PDSO-G32 | 不合格 | 5V | 5V | 4Mb 512K x 8 | ASYNCHRONOUS | FLASH | Parallel | 512KX8 | 8 | 70ns | 4 Mb | 0.000005A | 70 ns | 5V | 100000 Write/Erase Cycles | YES | YES | YES | 8 | 64K | 1.2mm | 18.4mm | 8mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 24AA16HT-I/MS | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 5 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2008 | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 1.7V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 0.65mm | 40 | 24AA16H | 8 | 5V | 1.7V | I2C, Serial | 16Kb 2K x 8 | 3mA | 400kHz | 900ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 16 kb | 0.000001A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE | 1010MMMR | 1.1mm | 3mm | 3mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 |