类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | uPs/uCs/外围ICs类型 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 最高频率 | 筛选水平 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 反向引脚排列 | 主机数据传输速率-最大 | 主机接口标准 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||
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 | 70V27L20PFGI | Renesas Electronics America Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | Industrial grade | 表面贴装 | 100-LQFP | 100-TQFP (14x14) | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 3V~3.6V | IDT70V27 | 512Kb 32K x 16 | 20ns | SRAM | Parallel | 20ns | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS61WV5128EDBLL-10KLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Industrial grade | 表面贴装 | 36-BSOJ (0.400, 10.16mm Width) | YES | 36 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 36 | 2.4V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3V | 未说明 | 36 | 3.6V | 2.4V | 4Mb 512K x 8 | 1 | SRAM | Parallel | 8 | 10ns | 19b | 4 Mb | 3.76mm | 23.49mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MX25L6435EZNI-10G | Macronix | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 8-WDFN Exposed Pad | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2014 | MX25xxx35/36 - MXSMIO™ | e3 | 不用于新设计 | 3 (168 Hours) | Matte Tin (Sn) | 2.7V~3.6V | 260 | 40 | 不合格 | 3/3.3V | SPI, Serial | 64Mb 8M x 8 | 104MHz | FLASH | SPI | 300μs, 5ms | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL01GS11FAIV10 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 64-LBGA | YES | 64 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | GL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 64 | 8542.32.00.51 | 1.65V~3.6V | BOTTOM | 1 | 3V | 1mm | 3.6V | 2.7V | 1Gb 64M x 16 | 110ns | FLASH | Parallel | 128MX8 | 8 | 60ns | 1 Gb | Asynchronous | 3V | 1.4mm | 13mm | 11mm | Non-RoHS Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | GT28F160C3TA110 | Intel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 48-VFBGA | YES | 46 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2003 | e0 | Obsolete | 不适用 | 46 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | USER-SELECTABLE 3V OR 12V VPP; TOP BOOT BLOCK | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 1 | 3V | 0.75mm | unknown | 110GHz | 46 | 不合格 | 3.6V | 1.8/3.33/3.3V | 2.7V | 16Mb 1M x 16 | ASYNCHRONOUS | FLASH | Parallel | 1MX16 | 16 | 110ns | 0.000005A | 16777216 bit | 110 ns | 3V | NO | NO | YES | 831 | 4K32K | TOP | YES | 1mm | 7.286mm | 6.964mm | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT25DF041A-SSHF-T | Adesto Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tape & Reel (TR) | 1997 | e4 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 2.3V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | 8 | 3.6V | 2.5/3.3V | 2.3V | Serial | 4Mb 512K x 8 | 16mA | 50MHz | 7 ns | FLASH | SPI | 8b | 4MX1 | 1 | 7μs, 5ms | 19b | 4 Mb | 0.00002A | Synchronous | 8b | 2.7V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 256B | 1.75mm | 4.925mm | 无 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | STK11C68-5L35M | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | Military grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 28-LCC | 28 | Non-Volatile | -55°C~125°C TA | Tube | 2005 | no | Obsolete | 3 (168 Hours) | 28 | 3A001.A.2.C | SOFTWARE STORE/RECALL; RETENTION/ENDURANCE-10YEARS/100000 CYCLES | 8542.32.00.41 | 4.5V~5.5V | QUAD | 1 | 5V | 1.27mm | STK11C68 | 28 | 5V | 5V | 64Kb 8K x 8 | 75mA | NVSRAM | Parallel | 8b | 8KX8 | 8 | 35ns | 64 kb | 0.002A | 38535Q/M;38534H;883B | 35 ns | 8b | 2.29mm | 13.97mm | 无 | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY15E064Q-SXET | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | Automotive, AEC-Q100, F-RAM™ | 活跃 | 3 (168 Hours) | 4.5V~5.5V | 64Kb 8K x 8 | 16MHz | FRAM | SPI | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | RMLV0416EGBG-4S2#KC0 | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 18 Weeks | 表面贴装 | 48-TFBGA | YES | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2013 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 1 | 3V | 0.75mm | RMLV0416 | 48 | R-PBGA-B48 | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 4Mb 256K x 16 | ASYNCHRONOUS | 0.025mA | SRAM | Parallel | 256KX16 | 3-STATE | 16 | 45ns | 0.000002A | 4194304 bit | 45 ns | COMMON | 1.5V | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS61NVP25636A-200TQLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | Industrial grade | 表面贴装 | 100-LQFP | YES | 100 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 2 (1 Year) | 100 | 2.375V~2.625V | QUAD | 2.5V | 0.635mm | 不合格 | 2.5V | 9Mb 256K x 36 | 200MHz | 3.1ns | SRAM | Parallel | 256KX36 | 3-STATE | 36 | 0.05A | 9437184 bit | COMMON | 2.38V | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1474V33-167BGC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 209-BGA | 209 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2004 | NoBL™ | e0 | no | 活跃 | 3 (168 Hours) | 209 | 3A991.B.2.A | Tin/Lead (Sn/Pb) | 流水线结构 | 3.135V~3.6V | BOTTOM | 220 | 1 | 3.3V | 1mm | CY7C1473 | 209 | 3.3V | 3.6V | 3.135V | 72Mb 1M x 72 | 8 | 450mA | 167MHz | 3.4ns | SRAM | Parallel | 1MX72 | 3-STATE | 72 | 20b | 72 Mb | COMMON | Synchronous | 72b | 3.14V | 1.96mm | 22mm | 无 | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY62148BLL-70SC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 32-SOIC (0.445, 11.30mm Width) | YES | Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | 2001 | MoBL® | e0 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 32 | 3A991.B.2.A | Tin/Lead (Sn/Pb) | 8542.32.00.41 | 4.5V~5.5V | DUAL | 225 | 1 | 5V | 1.27mm | not_compliant | 70GHz | 30 | CY62148 | 32 | R-PDSO-G32 | 不合格 | 5.5V | 5V | 4.5V | 4Mb 512K x 8 | SRAM | Parallel | 512KX8 | 3-STATE | 8 | 70ns | 0.00002A | 4194304 bit | 70 ns | COMMON | 2V | 2.997mm | 20.447mm | 11.303mm | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT25160A-10PU-2.7 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 通孔 | 通孔 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | 8 | 8-PDIP | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | Obsolete | 1 (Unlimited) | 85°C | -40°C | 2.7V~5.5V | 20MHz | AT25160 | 5V | SPI, Serial | 5.5V | 2.7V | 16Kb 2K x 8 | 10mA | 20MHz | 40 ns | EEPROM | SPI | 5ms | 16 kb | 10MHz | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST39VF010-70-4C-B3KE-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-TFBGA | 48 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2010 | SST39 MPF™ | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | 锡银铜 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 260 | 0.8mm | 40 | SST39VF010 | 3.3V | 1Mb 128K x 8 | 20mA | 70ns | FLASH | Parallel | 8b | 128KX8 | 8 | 20μs | 17b | 1 Mb | 0.000015A | Asynchronous | 8b | YES | YES | YES | 32 | 4K | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
.png) | MD2202-D16-V3-X | SanDisk | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GLS85LP1002A-M-C-LBTE | Greenliant | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | GRID ARRAY, LOW PROFILE | PLASTIC/EPOXY | 3.3 V | 未说明 | 70 °C | 有 | GLS85LP1002A-M-C-LBTE | LBGA | RECTANGULAR | Greenliant Systems Ltd | 接触制造商 | GREENLIANT SYSTEMS LTD | 5.75 | YES | 91 | LBGA, | 8542.31.00.01 | CMOS | BOTTOM | BALL | 未说明 | 1 mm | compliant | R-PBGA-B91 | COMMERCIAL | SECONDARY STORAGE CONTROLLER, FLASH MEMORY DRIVE | 1.4 mm | 60 MBps | ATA; IDE | 24 mm | 12 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KTH-X3C/8G | Kingston | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KTD-XPS730C/8G | Kingston | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL032N90BFI032 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 48-VFBGA | YES | 48 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2015 | GL-N | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | 3A991.B.1.A | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 0.8mm | 40 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 32Mb 4M x 8 2M x 16 | 0.05mA | FLASH | Parallel | 2MX16 | 16 | 90ns | 32 Mb | 0.000005A | 90 ns | 3V | 8 | YES | YES | YES | 863 | 8K64K | 8/16words | YES | TOP | YES | 1mm | 8.15mm | 6.15mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C025-15AXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2004 | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 100 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 4.5V~5.5V | QUAD | 260 | 1 | 5V | 0.5mm | 15GHz | 20 | CY7C025 | 100 | 5V | 5V | 128Kb 8K x 16 | 2 | 300mA | SRAM | Parallel | 8KX16 | 3-STATE | 16 | 15ns | 26b | 128 kb | 0.015A | 15 ns | COMMON | Asynchronous | 16b | 1.6mm | 14mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S29GL128S90FAI010 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 64-LBGA | YES | 64 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | GL-S | e0 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 64 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 1mm | 20 | 3.6V | 2.7V | 128Mb 8M x 16 | ASYNCHRONOUS | 90ns | FLASH | Parallel | 16MX8 | 8 | 60ns | 134217728 bit | 3V | 1 | 1.4mm | 13mm | 11mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT25SL128A-UUE-T | Adesto Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 21-UFBGA, WLCSP | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 1 (Unlimited) | 21 | 1.7V~2V | BOTTOM | 1 | 1.8V | 0.5mm | R-PBGA-B21 | 2V | 1.7V | 128Mb 16M x 8 | SYNCHRONOUS | 104MHz | FLASH | SPI | 128MX1 | 1 | 150μs, 5ms | 0.00007A | 134217728 bit | SERIAL | 1.8V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | NO | 0.528mm | 3.29mm | 3.022mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS42S32800D-7TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 86-TFSOP (0.400, 10.16mm Width) | 86 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 86 | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.24 | 3V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3.3V | 0.5mm | 40 | 86 | 3.3V | 3.6V | 3V | 256Mb 8M x 32 | 1 | 150mA | 143MHz | 5.4ns | DRAM | Parallel | 32b | 8MX32 | 32 | 13b | 256 Mb | 0.003A | COMMON | 32MB | 4096 | 1248FP | 1248 | 1.2mm | 22.22mm | 无 | 无SVHC | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST26WF080BAT-104I/SN | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2014 | SST26 SQI® | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | Matte Tin (Sn) - annealed | 1.65V~1.95V | DUAL | 260 | 1 | 1.8V | 1.27mm | 40 | SST26WF080 | R-PDSO-G8 | 1.95V | 1.65V | SPI | 8Mb 1M x 8 | SYNCHRONOUS | 104MHz | FLASH | SPI - Quad I/O | 80MX1 | 1 | 1.5ms | 83886080 bit | TS 16949 | SERIAL | 1.8V | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7024L20G | Renesas Electronics America Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 通孔 | 84-BPGA | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 活跃 | 1 (Unlimited) | 4.5V~5.5V | IDT7024 | 64Kb 4K x 16 | SRAM | Parallel | 20ns | Non-RoHS Compliant |