类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 工作电源电流 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 最大电源电流 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 无卤素 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 最高频率 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | I2C控制字节 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||
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 | AS7C1026B-12TCN | Alliance Memory, Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44 | 44-TSOP2 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 1996 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 70°C | 0°C | 4.5V~5.5V | 5V | Parallel | 5.5V | 4.5V | 1Mb 64K x 16 | 1 | 100mA | 12ns | SRAM | Parallel | 12ns | 16b | 1 Mb | 1.05mm | 18.52mm | 10.26mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS61WV51216EDBLL-10TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Industrial grade | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 3 (168 Hours) | 2.4V~3.6V | 8Mb 512K x 16 | SRAM | Parallel | 10ns | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BR24G01FVT-3AGE2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2011 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 1.6V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 0.65mm | 未说明 | BR24G01 | 5.5V | 1.6V | 2-Wire, I2C, Serial | 1Kb 128 x 8 | SYNCHRONOUS | 1MHz | 450 ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 1 kb | I2C | 5ms | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS42S32400F-6BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Industrial grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 90-TFBGA | 90 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 90 | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.02 | 3V~3.6V | BOTTOM | 1 | 3.3V | 0.8mm | 90 | 3.3V | 3.6V | 3V | 128Mb 4M x 32 | 1 | 150mA | 166MHz | 5.4ns | DRAM | Parallel | 32b | 4MX32 | 3-STATE | 32 | 14b | 128 Mb | 0.002A | COMMON | 4096 | 1248FP | 1248 | 1.2mm | 13mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CAV93C56YE-GT3 | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 4 Weeks | Automotive grade | ACTIVE (Last Updated: 1 week ago) | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2008 | Automotive, AEC-Q100 | e4 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 2.5V~5.5V | DUAL | 1 | 5V | 0.65mm | 8 | 5.5V | 2.5V | Serial | 2Kb 256 x 8 128 x 16 | SYNCHRONOUS | 2MHz | EEPROM | SPI | 16 | 2 kb | MICROWIRE | 8 | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL512S11DHA023 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 64-LBGA | 64 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2015 | Automotive, AEC-Q100, GL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 2.7V~3.6V | 512Mb 32M x 16 | 110ns | FLASH | Parallel | 60ns | 3V | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29AL008J55BFIR10 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-VFBGA | 48 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2009 | AL-J | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | TOP BOOT BLOCK | 8542.32.00.51 | 3V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3.3V | 0.8mm | 40 | 3.3V | 3.6V | 3V | 8Mb 1M x 8 512K x 16 | 12mA | FLASH | Parallel | 8b | 512KX16 | 16 | 55ns | 8 Mb | 0.000005A | 55 ns | Asynchronous | 3V | 8 | YES | YES | YES | 12115 | 16K8K32K64K | YES | TOP | YES | 1mm | 8.15mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY62167EV30LL-45BVXA | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-VFBGA | 48 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2001 | MoBL® | e1 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 2.2V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 0.75mm | 30 | CY62167 | 48 | 3V | 3.6V | 2.2V | 16Mb 2M x 8 1M x 16 | 1 | 30mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 45ns | 20b | 16 Mb | 45 ns | COMMON | Asynchronous | 16b | 740μm | 8mm | 6mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY14B104NA-ZS45XE | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 44 | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 3V~3.63V | DUAL | 未说明 | 1 | 3.3V | 0.8mm | 未说明 | R-PDSO-G44 | 3.6V | 3V | 4Mb 256K x 16 | ASYNCHRONOUS | NVSRAM | Parallel | 256KX16 | 16 | 45ns | 4194304 bit | 45 ns | 1.194mm | 18.415mm | 10.16mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CYDMX128A16-65BVXIT | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-VFBGA | 100 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2011 | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 100 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 1.8V~3.3V | BOTTOM | 260 | 1 | 1.8V | 0.5mm | 30 | CYDMX | 不合格 | 1.9V | 1.8/3V | 1.7V | 128Kb 8K x 16 | 2 | 70mA | SRAM | Parallel | 8KX16 | 3-STATE | 16 | 65ns | 13b | 128 kb | 0.000006A | 65 ns | COMMON | Asynchronous | 16b | 1mm | 6mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST25WF080-75-4I-ZAE | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-UFBGA, CSPBGA | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2012 | SST25 | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | 3A991.B.1.A | 锡银铜 | 1.65V~1.95V | BOTTOM | 1 | 1.8V | SST25WF080 | 8 | 1.8V | 1.95V | 3/3.3V | 1.65V | SPI, Serial | 8Mb 1M x 8 | 9mA | 75MHz | 6 ns | FLASH | SPI | 8b | 8 | 25μs | 1b | 8 Mb | 0.00002A | Synchronous | 8b | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 100 | HARDWARE/SOFTWARE | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
.png) | DA28F640J5A150 | Intel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | NOR | 16 X 23.70 MM, SSOP-56 | SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH | 4000000 | PLASTIC/EPOXY | SOP56,.6,32 | -20 °C | 未说明 | 150 ns | 85 °C | 无 | DA28F640J5A-150 | 4194304 words | 5 V | SSOP | RECTANGULAR | Intel Corporation | Obsolete | INTEL CORP | 5.83 | SSOP | 表面贴装 | YES | 56 | 56 | Compliant | Bulk | e0 | 3A991.B.1.A | NOR型号 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 70 °C | 0 °C | 8542.32.00.51 | 闪存 | CMOS | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 1 | 0.8 mm | unknown | 150 GHz | 56 | R-PDSO-G56 | 不合格 | 5 V | 5.5 V | 3/3.3,5 V | OTHER | 4.5 V | Parallel | 5.5 V | 4.5 V | 61 MB | 65 mA | ASYNCHRONOUS | 0.08 mA | 150 ns | 4MX16 | 1.9 mm | 16 | 64 Mb | 0.000125 A | 67108864 bit | PARALLEL | Asynchronous | FLASH | 5 V | 8 | NO | NO | YES | 64 | 128K | YES | YES | 23.7 mm | 13.3 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M27V160-100XF1 | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 通孔 | 通孔 | 42-CDIP (0.600, 15.24mm) Window | 42 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 42 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | CONFIGURABLE AS 1M X 16 | 3.14V~3.47V | DUAL | 1 | 3.3V | 2.54mm | M27V160 | 42 | 3.465V | 3.3V | 3.135V | 16Mb 2M x 8 1M x 16 | 50mA | 50mA | 100ns | EPROM | Parallel | 1MX16 | 3-STATE | 16 | 16 Mb | 0.00006A | COMMON | 8 | 5.71mm | 54.635mm | 15.24mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S29GL064S70BHI040 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 48-VFBGA | YES | 48 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2014 | GL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 1 | 3V | 0.8mm | 3V | 3.6V | 2.7V | 64Mb 8M x 8 4M x 16 | ASYNCHRONOUS | 70ns | FLASH | Parallel | 8MX8 | 8 | 60ns | 64 Mb | 3V | 1mm | 8.15mm | 6.15mm | 无SVHC | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S29GL512T10DHI020 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 64-LBGA | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2016 | GL-T | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 64 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 1mm | 未说明 | S-PBGA-B64 | 3.6V | 2.7V | 512Mb 64M x 8 | ASYNCHRONOUS | 100ns | FLASH | Parallel | 32MX16 | 16 | 60ns | 536870912 bit | 2.7V | 8 | 1.4mm | 9mm | 9mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST39VF801C-70-4C-EKE-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | 48 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2011 | SST39 MPF™ | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | Matte Tin (Sn) - annealed | 2.7V~3.6V | DUAL | 0.5mm | SST39VF801C | 3.3V | 8Mb 512K x 16 | 18mA | 70ns | FLASH | Parallel | 16b | 512KX16 | 16 | 10μs | 19b | 8 Mb | 0.00002A | Asynchronous | 16b | YES | YES | YES | 256 | 2K | YES | BOTTOM | YES | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1321KV18-250BZXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2003 | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 165 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 流水线结构 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 260 | 1 | 1.8V | 30 | CY7C1321 | 165 | 1.8V | 18Mb 512K x 36 | 1 | 370mA | 250MHz | 450 ps | SRAM | Parallel | 3-STATE | 36 | 19b | 18 Mb | 0.25A | SERIAL | COMMON | Synchronous | 36b | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL064N90TFI063 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | 48 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2015 | GL-N | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | 3A991.B.1.A | Matte Tin (Sn) | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.5mm | 40 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 64Mb 4M x 16 | 50mA | FLASH | Parallel | 4MX16 | 16 | 90ns | 64 Mb | 0.000005A | 90 ns | Asynchronous | 3V | YES | YES | YES | 128 | 32K | 8words | YES | BOTTOM/TOP | YES | 1.2mm | 18.4mm | 12mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1020D-10VXI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-BSOJ (0.400, 10.16mm Width) | 44 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 1996 | e4 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 44 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 30 | CY7C1020 | 44 | 5V | 5V | 512Kb 32K x 16 | 1 | 80mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 16 | 10ns | 15b | 512 kb | 0.003A | 100MHz | COMMON | Asynchronous | 16b | 2V | 3.7592mm | 28.575mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 24C00T/ST | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2005 | e3 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 2-WIRE SERIAL INTERFACE; DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.65mm | 40 | 24C00 | 8 | 5V | 5V | 2-Wire, I2C, Serial | 128b 16 x 8 | 3mA | 400kHz | 3500ns | EEPROM | I2C | 8 | 4ms | 128 b | 0.000001A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 4ms | 200 | 1010XXXR | 1.1mm | 4.4mm | 3mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M48Z129V-85PM1 | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 通孔 | 通孔 | 32-DIP Module (0.600, 15.24mm) | 32 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 32 | EAR99 | 哑光锡 | 3V~3.6V | DUAL | 225 | 1 | 3.3V | 2.54mm | 85GHz | M48Z129 | 32 | 3.3V | 3.6V | 3V | 1Mb 128K x 8 | 50mA | NVSRAM | Parallel | 8b | 128KX8 | 8 | 85ns | 1 Mb | 0.003A | 85 ns | 8b | 9.52mm | 42.8mm | 无 | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CAT93C66XI-T2 | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 20 Weeks | LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago) | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.209, 5.30mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2007 | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | 100 YEAR DATA RETENTION | 1.8V~5.5V | DUAL | 1 | 5V | 1.27mm | CAT93C66 | 8 | 5V | Serial | 4Kb 512 x 8 256 x 16 | 1mA | 2MHz | 250 ns | EEPROM | SPI | 256X16 | 无卤素 | 4 kb | 0.00001A | MICROWIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 100 | SOFTWARE | 1.78mm | 5.33mm | 5.38mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY62167GE30-45BVXI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-VFBGA | 48 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2011 | MoBL® | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 2.2V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 0.75mm | 30 | CY62167 | 3V | 3.6V | 2.2V | 16Mb 2M x 8 1M x 16 | 1 | SRAM | Parallel | 16 | 45ns | 20b | 16 Mb | 45 ns | Asynchronous | 16b | 8 | 8mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1470V33-167BZC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2004 | NoBL™ | e0 | no | 活跃 | 3 (168 Hours) | 165 | 3A991.B.2.A | Tin/Lead (Sn/Pb) | 流水线结构 | 3.135V~3.6V | BOTTOM | 220 | 1 | 3.3V | 1mm | CY7C1470 | 165 | 3.3V | 3.6V | 3.135V | 72Mb 2M x 36 | 4 | 450mA | 167MHz | 3.4ns | SRAM | Parallel | 2MX36 | 3-STATE | 36 | 21b | 72 Mb | COMMON | Synchronous | 36b | 17mm | 无 | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS64WV3216BLL-15CTLA3 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | 44 | Volatile | -40°C~125°C TA | Tray | e3 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 44 | 哑光锡 | 2.5V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 0.8mm | 40 | 44 | 3.3V | 3.6V | 2.5V | 512Kb 32K x 16 | 1 | 50mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 16 | 15ns | 15b | 512 kb | 0.000075A | COMMON | Asynchronous | 16b | 无 | ROHS3 Compliant |