类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 电源电压-最小值(Vsup) | 电压 | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 工作电源电流 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 最大电源电流 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 逻辑功能 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 最高频率 | 筛选水平 | 访问时间（最大） | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 供应电流 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 器件厚度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS42S32800B-7TLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 86-TFSOP (0.400, 10.16mm Width) | 86 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | e3 | Obsolete | 2 (1 Year) | 86 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.24 | 3V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3.3V | 0.5mm | 40 | 86 | 3.3V | 3.6V | 3V | 256Mb 8M x 32 | 1 | 150mA | 143MHz | 5.5ns | DRAM | Parallel | 32b | 8MX32 | 32 | 14b | 256 Mb | 0.002A | COMMON | 4096 | 1248FP | 1248 | 1.2mm | 22.22mm | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 93C86B-I/MS | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2012 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.65mm | 40 | 93C86B | 8 | 5V | 5V | Serial | 16Kb 1K x 16 | 3mA | 3MHz | EEPROM | SPI | 1KX16 | 16 | 2ms | 16 kb | 0.000001A | MICROWIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 2ms | 200 | SOFTWARE | 8 | 1.1mm | 3mm | 3mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
.png) | 93AA46AX-I/SNG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Compliant | Bulk | 85 °C | -40 °C | 3 MHz | 5.5 V | 1.8 V | 128 B | 1 MHz | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY7C1324F-133AC | Cypress Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C2565XV18-633BZXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 165-LBGA | YES | 165 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2003 | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 165 | Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | 流水线结构 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 260 | 1 | 1.8V | 1mm | 30 | CY7C2565 | 165 | 1.8V | 1.9V | 1.7V | 72Mb 2M x 36 | 2 | 633MHz | 450 ps | SRAM | Parallel | 3-STATE | 36 | 19b | 72 Mb | 1.66A | SEPARATE | 1.7V | 1.4mm | 15mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | U6264BS2K07LLG1 | Alliance Memory, Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 28-SOIC (0.330, 8.38mm Width) | YES | 28 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2004 | yes | Discontinued | 3 (168 Hours) | 28 | EAR99 | 8542.32.00.32 | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 40 | 28 | 5V | 64Kb 8K x 8 | 1 | SRAM | Parallel | 8KX8 | 8 | 70ns | 13b | 64 kb | 70 ns | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT28HC64B-90SU-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | 表面贴装 | 28-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 3 (168 Hours) | 28 | 4.5V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 5V | 1.27mm | 未说明 | R-PDSO-G28 | 5.5V | 4.5V | 64Kb 8K x 8 | ASYNCHRONOUS | 90ns | EEPROM | Parallel | 8KX8 | 8 | 10ms | 65536 bit | 5V | 10ms | 2.65mm | 17.9mm | 7.5mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST26VF064B-104V/SO | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 16-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | YES | 16 | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Tube | 2016 | SST26 SQI® | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 16 | Matte Tin (Sn) - annealed | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | 40 | SST26VF064 | 3.6V | 2.7V | SPI, Serial | 64Mb 8M x 8 | SYNCHRONOUS | 104MHz | FLASH | SPI - Quad I/O | 64MX1 | 1 | 1.5ms | 64 Mb | 3V | 256B | 2.65mm | 10.3mm | 7.5mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL064S70FHI020 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 64-LBGA | YES | 64 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2003 | GL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 64 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 1 | 3V | 1mm | 3V | 3.6V | 2.7V | 64Mb 4M x 16 | ASYNCHRONOUS | 70ns | FLASH | Parallel | 8MX8 | 8 | 60ns | 64 Mb | 3V | 1.4mm | 13mm | 11mm | 无SVHC | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MX25V1635FZNQ | Macronix | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 8-WDFN Exposed Pad | Non-Volatile | Tray | MXSMIO™ | 活跃 | 3 (168 Hours) | 2.3V~3.6V | 16Mb 2M x 8 | 80MHz | FLASH | SPI | 100μs, 4ms | 3V | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST26WF080BAT-104I/MF | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2014 | SST26 SQI® | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | Matte Tin (Sn) - annealed | 1.65V~1.95V | DUAL | 260 | 1 | 1.8V | 1.27mm | 30 | SST26WF080 | 1.8V | 1.95V | 1.65V | SPI, Serial | 8Mb 1M x 8 | 20mA | 104MHz | 8 ns | FLASH | SPI - Quad I/O | 1 | 1.5ms | 24b | 8 Mb | TS 16949 | Synchronous | 6mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| THGBM5G5A1JBAIR | Toshiba | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | FLASH, NAND | 表面贴装 | 153 | Compliant | 85 °C | -25 °C | 200 MHz | 3.3 V | 3.6 V | 1.7 V | 4 GB | 32 Gb | Synchronous | 1 mm | 无 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BQ2026LPR | NA | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 3 days ago) | Tin | 通孔 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | NO | 3 | 453.59237mg | Non-Volatile | -20°C~70°C TA | Cut Tape (CT) | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 3 | EAR99 | 2.65V~5.5V | BOTTOM | 1 | 1.27mm | BQ2026 | 5.5V | 2.65V | Serial | 1.5K 6 pagesx32bytes | 2μA | 20μA | 0.01667MHz | OR | EPROM | 单线 | 1.5KX1 | OPEN-DRAIN | 1.5 kb | COMMON | 5.34mm | 4.3mm | 4.3mm | 3.6mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS42S16400F-6TL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 54 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 54 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | AUTO/SELF REFRESH | 3V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3.3V | 0.8mm | 10 | 54 | 3.3V | 3.6V | 3V | 64Mb 4M x 16 | 1 | 130mA | 130mA | 166MHz | 5.4ns | DRAM | Parallel | 16b | 4MX16 | 3-STATE | 16 | 14b | 64 Mb | 0.002A | COMMON | 4096 | 1248FP | 1248 | 1.2mm | 22.22mm | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R1LV0816ASB-5SI#B0 | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 44 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2009 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 44 | 2.7V~3.6V | DUAL | 1 | 3V | 0.8mm | 1MHz | R1LV0816A | 44 | 3V | 3.6V | 2.4V | 8Mb 512K x 16 | 1 | 35mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 55ns | 19b | 8 Mb | 0.000004A | 55 ns | COMMON | Asynchronous | 16b | 1mm | 18.51mm | 10.26mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT45DB081D-MU-2.5 | Adesto Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-VDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tray | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | 哑光锡 | ORGANIZED AS 4096 PAGES OF 264 BYTES EACH | 2.5V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 2.7V | 1.27mm | 40 | 8 | 3.6V | 3/3.3V | 2.5V | SPI, Serial | 8Mb 264Bytes x 4096 pages | 15mA | 50MHz | 8 ns | FLASH | SPI | 8b | 1 | 4ms | 1b | 8 Mb | 0.000025A | Synchronous | 2.7V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 256B | 1mm | 6mm | 无 | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MX30LF4G28AB-TI | Macronix | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2014 | MX30LF | 不用于新设计 | 3 (168 Hours) | 48 | 2.7V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3V | 0.5mm | 未说明 | R-PDSO-G48 | 3.6V | 2.7V | 4Gb 512M x 8 | ASYNCHRONOUS | FLASH | Parallel | 512MX8 | 8 | 20ns | 4294967296 bit | 2.7V | 1.2mm | 18.4mm | 12mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M27W201-80K6 | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-LCC (J-Lead) | 32 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 32 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | ACCESS TIME 70 NANO SECS AT VCC 3V TO 3.6V | 2.7V~3.6V | QUAD | 未说明 | 1 | 3V | 1.27mm | 80GHz | 未说明 | M27W201 | 32 | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 2Mb 256K x 8 | 50mA | 50mA | ASYNCHRONOUS | 80ns | EPROM | Parallel | 256KX8 | 3-STATE | 8 | 2 Mb | 0.000015A | COMMON | 3.56mm | 13.97mm | 11.43mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY15B256J-SXA | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2008 | F-RAM™ | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | 2V~3.6V | DUAL | 1 | 3.3V | 1.27mm | 3.3V | 3.6V | 2V | 2-Wire, I2C, Serial | 256Kb 32K x 8 | SYNCHRONOUS | 3.4MHz | 130ns | FRAM | I2C | 8b | 8 | 256 kb | 1.727mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST38VF6402BT-70I/TV | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | 48 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2013 | SST38 | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | Matte Tin (Sn) - annealed | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.5mm | 40 | SST38VF6402 | 3.3V | 3.6V | 2.7V | 64Mb 4M x 16 | 0.05mA | 70ns | FLASH | Parallel | 4MX16 | 16 | 10μs | 22b | 64 Mb | 0.00004A | 2.7V | YES | YES | NO | 128 | 32K | 16B | YES | TOP | YES | 1.2mm | 18.4mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST25VF020A-25-4C-ZAE | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-UFBGA, CSPBGA | 8 | 8-CSP | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2011 | SST25 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 70°C | 0°C | 2.7V~3.6V | 25MHz | SST25VF020 | 3.3V | SPI, Serial | 3.6V | 2.7V | 2Mb 256K x 8 | 10mA | 25MHz | 23 ns | FLASH | SPI | 8b | 18b | 2 Mb | 25MHz | Synchronous | 8b | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29PL032J70BAW120 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-VFBGA | 48 | Non-Volatile | -25°C~85°C TA | Tray | 2015 | PL-J | e0 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | 3A991.B.1.A | Tin/Lead (Sn/Pb) | 上下靴块 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 240 | 1 | 3V | 0.8mm | 30 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 32Mb 2M x 16 | 55mA | FLASH | Parallel | 16b | 2MX16 | 16 | 70ns | 21b | 32 Mb | 0.000005A | 70 ns | Asynchronous | 16b | 3V | YES | YES | YES | 1662 | 4K32K | 8words | YES | BOTTOM/TOP | YES | 1mm | 8.15mm | 无 | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| JS28F640J3F75B | Micron | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Industrial | TSOP | -40C to 85C | Parallel/Serial | 8M/4M | 23/22(b) | 3.6(V) | 3/3.3(V) | 无 | 2.7(V) | -40C | 有 | NOR | 表面贴装 | Compliant | FLASH, NOR | EOL (Last Updated: 2 years ago) | Gold, Tin | 56 | 85C | 卷带 | 85 °C | -40 °C | 56 | 2.7 V | Parallel, Serial | 3.6 V | 2.7 V | 54 mA | 75 ns | 67108864(Bit) | 75(ns) | Asynchronous | 8/16(b) | 54(mA) | 无 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT28C010E-12LM/883 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Military grade | Lead, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-CLCC | 44 | Non-Volatile | -55°C~125°C TC | Tube | 1998 | e0 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 44 | 3A001.A.2.C | 锡铅 | AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION: 10 YEARS | 8542.32.00.51 | 4.5V~5.5V | QUAD | 未说明 | 1 | 5V | 1.27mm | not_compliant | 120GHz | 未说明 | AT28C010 | 不合格 | 5V | 5V | 1Mb 128K x 8 | 80mA | ASYNCHRONOUS | 120ns | EEPROM | Parallel | 128KX8 | 3-STATE | 8 | 10ms | 1 Mb | 0.0003A | MIL-STD-883 | 5V | 100000 Write/Erase Cycles | 10ms | YES | YES | NO | 128words | 2.74mm | 16.55mm | 16.55mm | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT93C56-10PC-2.7 | Atmel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 |