类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 终端数量 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 最大功率耗散 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 界面 | 内存大小 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 逻辑功能 | 内存格式 | 内存接口 | 建筑学 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 无卤素 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 最高频率 | 筛选水平 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 时间格式 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | I2C控制字节 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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.png) | GS81302D10GE-400I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | FBGA | QDR | 1.8000 V | 1.7 V | Synchronous | 16 MWords | 9 Bit | 1.9 V | 表面贴装 | 400 MHz | + 85 C | 1.9 V | - 40 C | 1.7 V | SMD/SMT | Parallel | Industrial grade | BGA-165 | 400 MHz | -40 to 100 °C | GS81302D10GE | 165 | 144 Mbit | 2 | 1.065 A | Pipelined | 16 M x 9 | 22 Bit | 144 Mbit | Industrial | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS8160E18DGT-375I | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | TQFP | SDR | 2.5, 3.3 V | 2.3, 3 V | Synchronous | 1 MWords | 18 Bit | 2.7, 3.6 V | 表面贴装 | 375 MHz | + 100 C | 3.6 V | - 40 C | 2.3 V | SMD/SMT | Parallel | Industrial grade | TQFP-100 | 238@Flow-Through/375@Pipelined MHz | -40 to 100 °C | 100 | 18 Mbit | 2 | 270 mA, 340 mA | 4.2 ns | Flow-Through/Pipelined | 1 M x 18 | 20 Bit | 18 Mbit | Industrial | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS42S16800F-6BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Industrial grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 54-TFBGA | 54 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 54 | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 3V~3.6V | BOTTOM | 1 | 3.3V | 0.8mm | 54 | 不合格 | 3.3V | 3.6V | 3V | 128Mb 8M x 16 | 1 | 120mA | SYNCHRONOUS | 166MHz | 5.4ns | DRAM | Parallel | 16b | 8MX16 | 3-STATE | 16 | 14b | 128 Mb | 0.002A | COMMON | 4096 | 1248FP | 1248 | 1.2mm | 8mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY62148EV30LL-45ZSXA | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-SOIC (0.400, 10.16mm Width) | 32 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2003 | MoBL® | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 32 | Matte Tin (Sn) | 2.2V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 20 | CY62148 | 32 | 3.6V | 2.5/3.3V | 2.2V | 4Mb 512K x 8 | 1 | 20mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 8 | 45ns | 19b | 4 Mb | 0.000007A | 45 ns | COMMON | Asynchronous | 8b | 20.95mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS42S16800F-7BLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Industrial grade | 表面贴装 | 54-TFBGA | YES | 54 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 3 (168 Hours) | 54 | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 3V~3.6V | BOTTOM | 1 | 3.3V | 0.8mm | 不合格 | 3.3V | 3.6V | 3V | 128Mb 8M x 16 | 1 | SYNCHRONOUS | 143MHz | 5.4ns | DRAM | Parallel | 16b | 8MX16 | 3-STATE | 16 | 12b | 128 Mb | 0.002A | COMMON | 4096 | 1248FP | 1248 | 1.2mm | 8mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | W25Q128JVBIM | Winbond Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 24-TBGA | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | SpiFlash® | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 24 | IT ALSO OPERATES AT 104 MHZ CLOCK FREQUENCY AT 2.7 TO 3.0 V SUPPLY VOLTAGE | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 3.3V | 1mm | 未说明 | R-PBGA-B24 | 3.6V | 3V | 128Mb 16M x 8 | SYNCHRONOUS | 133MHz | FLASH | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 16MX8 | 8 | 3ms | 134217728 bit | SERIAL | 3V | 1 | 1.2mm | 8mm | 6mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT25XE041B-XMHN-T | Adesto Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Cut Tape (CT) | 2013 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 1.65V~3.6V | DUAL | 1 | 1.8V | 0.65mm | 3.6V | 1.65V | SPI, Serial | 4Mb 512K x 8 | SYNCHRONOUS | 85MHz | 7.5 ns | FLASH | SPI | 4MX1 | 1 | 8μs, 2.75ms | 32 Mb | 256B | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT28C010-15TU-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tape & Reel (TR) | 1997 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 32 | 4.5V~5.5V | DUAL | 1 | 5V | 0.5mm | R-PDSO-G32 | 5.5V | 4.5V | 1Mb 128K x 8 | ASYNCHRONOUS | 150ns | EEPROM | Parallel | 128KX8 | 8 | 10ms | 1048576 bit | 5V | 10ms | 1.2mm | 18.4mm | 8mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S34ML01G200BHV000 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 63-VFBGA | 63 | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Tray | ML-2 | Discontinued | 3 (168 Hours) | 63 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 3.3V | 0.8mm | 未说明 | 3.6V | 2.7V | 1Gb 128M x 8 | ASYNCHRONOUS | FLASH | Parallel | 128MX8 | 8 | 25ns | 28b | 1 Gb | 3V | 2kB | 1mm | 11mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BR93H56RF-WCE2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 8-SOIC (0.173, 4.40mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Cut Tape (CT) | 2013 | Automotive, AEC-Q100 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 2.7V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 4V | 1.27mm | 未说明 | R-PDSO-G8 | 不合格 | 5.5V | 2/5V | 2.7V | 2Kb 128 x 16 | SYNCHRONOUS | 1.25MHz | EEPROM | SPI | 128X16 | 16 | 5ms | 0.000002A | 2048 bit | SERIAL | 3-WIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 10ms | 40 | SOFTWARE | 1.71mm | 5mm | 4.4mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CAT25320VP2I-GT3 | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WFDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2010 | e4 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 100 YEAR DATA RETENTION | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.5mm | 40 | CAT25320 | 8 | 5V | SPI, Serial | 32Kb 4K x 8 | 2mA | 10MHz | 40 ns | EEPROM | SPI | 无卤素 | 8 | 5ms | 32 kb | 0.000001A | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 100 | HARDWARE/SOFTWARE | 3mm | 2mm | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST26WF040BAT-104I/MF | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 8-WDFN Exposed Pad | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2014 | SST26 SQI® | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | Matte Tin (Sn) - annealed | 1.65V~1.95V | DUAL | 260 | 1 | 1.8V | 1.27mm | 30 | SST26WF040 | R-PDSO-N8 | 1.95V | 1.65V | SPI | 4Mb 512K x 8 | SYNCHRONOUS | 104MHz | FLASH | SPI - Quad I/O | 4MX1 | 1 | 1.5ms | 4194304 bit | TS 16949 | SERIAL | 1.8V | 0.8mm | 6mm | 5mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST39LF402C-55-4C-MAQE | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 26 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-WFBGA | 48 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2014 | SST39 MPF™ | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | TOP BOOT BLOCK | 8542.32.00.51 | 3V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 0.5mm | 40 | SST39LF402C | 48 | 3.3V | 3.6V | 2.7V | 4Mb 256K x 16 | 18mA | 55ns | FLASH | Parallel | 256KX16 | 16 | 10μs | 1b | 4 Mb | 0.00002A | Asynchronous | 16b | 2.7V | YES | YES | YES | 128 | 2K | YES | TOP | YES | 0.73mm | 6mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 24AA32AX-I/ST | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tube | 2006 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 2-WIRE SERIAL INTERFACE; DATA RETENTION > 200 YEARS; 1000000 ERASE/WRITE CYCLES GUARANTEED | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 0.65mm | 40 | 24AA32A | 8 | 5.5V | 2/5V | 1.7V | I2C, Serial | 32Kb 4K x 8 | 3mA | 400kHz | 900ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 32 kb | 0.000001A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE | 1010DDDR | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT28C010-15JU-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 32-LCC (J-Lead) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tape & Reel (TR) | 1997 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 32 | 4.5V~5.5V | QUAD | 未说明 | 1 | 5V | 1.27mm | 未说明 | R-PQCC-J32 | 5.5V | 4.5V | 1Mb 128K x 8 | ASYNCHRONOUS | 150ns | EEPROM | Parallel | 128KX8 | 8 | 10ms | 1048576 bit | 5V | 10ms | 3.556mm | 13.97mm | 11.43mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT24CM02-U1UM0B-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Copper, Silver, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-XFBGA, WLCSP | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tape & Reel (TR) | 1997 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | ALSO OPERATES 1.7V AT 100 KHZ | 1.7V~5.5V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 1.8V | 0.5mm | 未说明 | AT24CM02 | 5.5V | 1.7V | I2C, Serial | 2Mb 256K x 8 | SYNCHRONOUS | 0.4MHz | 450ns | EEPROM | I2C | 8 | 10ms | 2 Mb | 1MHz | I2C | 5ms | 0.335mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY14B104M-ZSP25XI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 54 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2005 | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 54 | 3A991.B.2.A | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.8mm | 30 | CY14B104 | 54 | 不合格 | 3.3V | 3.6V | 2.7V | 4Mb 256K x 16 | 70mA | ASYNCHRONOUS | Clock | NVSRAM | Parallel | 16b | 256KX16 | 16 | 25ns | 4 Mb | 0.005A | 25 ns | 16b | HH:MM:SS | 1.2mm | 22.415mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MX29GL128FLXFI-90G | Macronix | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 64-LBGA, CSPBGA | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | MX29GL | 活跃 | 3 (168 Hours) | 64 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 1mm | 40 | R-PBGA-B64 | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 128Mb 16M x 8 | ASYNCHRONOUS | FLASH | Parallel | 8MX16 | 16 | 90ns | 128 Mb | 0.00003A | 90 ns | 3V | 8 | YES | YES | YES | 128 | 128K | 8/16words | YES | YES | 1.4mm | 13mm | 11mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1380C-167AC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2004 | e0 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 100 | 3A991.B.2.A | Tin/Lead (Sn/Pb) | 流水线结构 | 3.135V~3.6V | QUAD | 225 | 1 | 3.3V | 0.65mm | not_compliant | 30 | CY7C1380 | 100 | 不合格 | 3.3V | 3.6V | 3.135V | 18Mb 512K x 36 | 4 | 275mA | 167MHz | 3.4ns | SRAM | Parallel | 512KX36 | 3-STATE | 36 | 19b | 18 Mb | 0.07A | COMMON | Synchronous | 36b | 1.6mm | 20mm | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MX25U8035EM1I-10G | Macronix | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2010 | MX25xxx35/36 - MXSMIO™ | 不用于新设计 | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | ALSO CONFIGURABLE AS 8M X 1 | 8542.32.00.51 | 1.65V~2V | DUAL | 未说明 | 1 | 1.8V | 1.27mm | 未说明 | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | 2V | 2V | 1.8V | 1.65V | SPI, Serial | 8Mb 1M x 8 | SYNCHRONOUS | 104MHz | FLASH | SPI | 2MX4 | 4 | 30μs, 3ms | 8 Mb | 0.00002A | 1.8V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 10 | HARDWARE/SOFTWARE | 2 | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL032N11FFIS20 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 64-LBGA | 64 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | GL-N | Obsolete | 3 (168 Hours) | 1.65V~3.6V | 32Mb 4M x 8 2M x 16 | FLASH | Parallel | 110ns | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 34LC02T-I/MNY | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WFDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2008 | e4 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 2.2V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 0.5mm | 40 | 34LC02 | 8 | 不合格 | 5V | 2.2V | I2C, Serial | 2Kb 256 x 8 | 3mA | SYNCHRONOUS | 1MHz | 400ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 2 kb | 0.000001A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE/SOFTWARE | 1010DDDR | 3mm | 2mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY14MB064J2-SXI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2004 | e4 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | 3A991.B.2.A | 1W | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | 20 | CY14MB064 | 8 | 3.6V | 3V | 2.7V | 2-Wire, I2C, Serial | 64Kb 8K x 8 | 1mA | 3.4MHz | 900 ns | NVSRAM | I2C | 8b | 8 | 64 kb | 0.00015A | 8b | 1.727mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 93AA66BT-I/SNG | Microchip | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT28HC256E-12JC | Atmel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | CHIP CARRIER | 2 | 32000 | PLASTIC/EPOXY | LDCC32,.5X.6 | 30 | 120 ns | 70 °C | 无 | AT28HC256E-12JC | 32768 words | 5 V | QCCJ | RECTANGULAR | Atmel Corporation | Obsolete | ATMEL CORP | 5.48 | QFJ | Military grade | YES | 32 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 | e0 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 自动写入 | 8542.32.00.51 | EEPROMs | CMOS | QUAD | J BEND | 225 | 1 | 1.27 mm | unknown | 32 | R-PQCC-J32 | 不合格 | 5.5 V | 5 V | COMMERCIAL | 4.5 V | ASYNCHRONOUS | 0.08 mA | 32KX8 | 3-STATE | 3.556 mm | 8 | 0.0003 A | 262144 bit | MIL-STD-883 | PARALLEL | EEPROM | 5 V | 100000 Write/Erase Cycles | 10 ms | YES | YES | NO | 64 words | 13.97 mm | 11.43 mm |