类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 电压 | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 最大电源电流 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 产品类别 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 最高频率 | 筛选水平 | 访问时间(最大) | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | I2C控制字节 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 产品类别 | 组织的记忆 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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![]() | BR25H160FJ-2CE2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Cut Tape (CT) | 2013 | Automotive, AEC-Q100 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | ALSO OPERATES AT 2.5V WITH 5MHZ AND SEATED HT-CALCULATED | 2.5V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 5V | 1.27mm | 未说明 | 不合格 | 5.5V | 3/5V | 4.5V | 16Kb 2K x 8 | SYNCHRONOUS | 10MHz | EEPROM | SPI | 8 | 4ms | 0.00001A | SERIAL | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 4ms | 100 | HARDWARE/SOFTWARE | 1.65mm | 4.9mm | 3.9mm | Unknown | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | AT25DF641A-MH-Y | Adesto Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-UDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tray | 1997 | e4 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 3A991.B.1.A | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | 未说明 | 8 | 不合格 | 3.3V | 3.6V | 2.7V | SPI, Serial | 64Mb 256Bytes x 32K pages | 19mA | 38mA | 100MHz | 5 ns | FLASH | SPI | 8b | 64MX1 | 1 | 30μs, 6ms | 24b | 64 Mb | 0.00002A | Synchronous | 8b | 2.7V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE | 256B | 0.6mm | 6mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR93G66FVJ-3BGTE2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Cut Tape (CT) | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | ALSO AVAILABLE 2.5V OPERATES WITH 2MHZ AND 1.7V OPERATES WITH 1MHZ, SEATED HT-CALCULATED | 1.7V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 5V | 0.65mm | 未说明 | S-PDSO-G8 | 5.5V | 4.5V | 4Kb 256 x 16 | SYNCHRONOUS | 3MHz | EEPROM | SPI | 256X16 | 16 | 5ms | 4096 bit | SERIAL | 3-WIRE | 5ms | 1.1mm | 3mm | 3mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR24T08FVJ-WE2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | Copper, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2015 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | Matte Tin (Sn) | 1.6V~5.5V | DUAL | 225 | 1 | 2.5V | 0.65mm | 未说明 | BR24T08 | S-PDSO-G8 | 不合格 | 5.5V | 1.8/5V | 1.6V | 2-Wire, I2C, Serial | 8Kb 1K x 8 | SYNCHRONOUS | 400kHz | 900 ns | EEPROM | I2C | 1KX8 | 8 | 5ms | 8 kb | 0.000002A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 40 | HARDWARE | 1010DMMR | 1.1mm | 3mm | 3mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C1370SV25-200AXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 100-LQFP | YES | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2012 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 100 | 流水线结构 | 8542.32.00.41 | 2.375V~2.625V | QUAD | 1 | 2.5V | 0.65mm | CY7C1370 | R-PQFP-G100 | 2.625V | 2.375V | 18Mb 512K x 36 | 167MHz | 3.4ns | SRAM | Parallel | 512KX36 | 36 | 18874368 bit | 1.6mm | 20mm | 14mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62147G30-45ZSXAT | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 18 Weeks | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2012 | MoBL® | 活跃 | 3 (168 Hours) | 44 | 3A991.B.2.A | 8542.32.00.41 | 2.2V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3V | 0.8mm | 未说明 | R-PDSO-G44 | 3.6V | 2.2V | 4Mb 256K x 16 | SRAM | Parallel | 256KX16 | 16 | 45ns | 4194304 bit | 45 ns | 1.194mm | 18.415mm | 10.16mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR93G86FV-3AGTE2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Cut Tape (CT) | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 1.7V~5.5V | DUAL | 0.635mm | R-PDSO-G8 | 不合格 | 1.8/5V | 16Kb 1K x 16 | 3MHz | EEPROM | SPI | 1KX16 | 16 | 5ms | 0.000002A | 16384 bit | SERIAL | 3-WIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 40 | SOFTWARE | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SST26VF064BT-104I/TD | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 24-TBGA | YES | 24 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | SST26 SQI® | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 24 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 1mm | 40 | SST26VF064 | 3V | 3.6V | 2.7V | SPI, Serial | 64Mb 8M x 8 | SYNCHRONOUS | 104MHz | FLASH | SPI - Quad I/O | 64MX1 | 1 | 1.5ms | 64 Mb | TS 16949 | 3V | 256B | BOTTOM/TOP | 1.2mm | 8mm | 6mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | W94AD6KBHX5E | Winbond Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 60-TFBGA | YES | 60 | Volatile | -25°C~85°C TC | Tray | 2016 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 60 | AUTO/SELF REFRESH | 1.7V~1.95V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 1.8V | 0.8mm | 未说明 | 不合格 | 1.8V | 1.95V | 1.7V | 1Gb 64M x 16 | 1 | 115mA | SYNCHRONOUS | 200MHz | 5ns | DRAM | Parallel | 64MX16 | 3-STATE | 16 | 15ns | 16b | 1 Gb | 0.00001A | COMMON | 8192 | 24816 | 24816 | 1.025mm | 9mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PC28F00AP33EFA | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Copper, Silver, Tin | 表面贴装 | 64-TBGA | YES | 64 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2010 | Axcell™ | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 64 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 2.3V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 30 | 28F00AP33 | 64 | 2.3V | Parallel, Serial | 1Gb 64M x 16 | 31mA | 52MHz | FLASH | Parallel | 95ns | 26b | 1 Gb | 95 ns | Asynchronous | 16b | 1.2mm | 10.1mm | 8.1mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR24A01AF-WLBH2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 11 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.173, 4.40mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Cut Tape (CT) | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | ALSO AVAILABLE IN 100KHZ AND SEATED HT-CALCULATED | 2.5V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 1.27mm | 未说明 | R-PDSO-G8 | 5.5V | 2.5V | 1Kb 128 x 8 | SYNCHRONOUS | 400kHz | EEPROM | I2C | 128X8 | 8 | 5ms | 1024 bit | SERIAL | I2C | 5ms | 1.71mm | 5mm | 4.4mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MX29GL128FUT2I-11G | Macronix | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | TFSOP | YES | FLASH, NOR | e3 | 3 (168 Hours) | 56 | 哑光锡 | 85°C | -40°C | DUAL | 鸥翼 | 260 | 1 | 3V | 0.5mm | 40 | R-PDSO-G56 | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | INDUSTRIAL | 2.7V | Parallel | ASYNCHRONOUS | 110 ns | 8MX16 | 16 | 128 Mb | 0.00003A | 3V | 8 | YES | YES | 128 | 128K | 8/16words | YES | 1.2mm | 18.4mm | 14mm | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY7C09389V-12AC | Cypress Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH | 3 | 64000 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 12 ns | 70 °C | 无 | CY7C09389V-12AC | 65536 words | 3.3 V | LFQFP | SQUARE | Rochester Electronics LLC | 活跃 | ROCHESTER ELECTRONICS LLC | 5.55 | QFP | YES | 100 | PLASTIC, MS-026, TQFP-100 | e0 | 无 | 锡铅 | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE | CMOS | QUAD | 鸥翼 | 未说明 | 1 | 0.5 mm | unknown | 100 | S-PQFP-G100 | COMMERCIAL | 3.6 V | COMMERCIAL | 3 V | SYNCHRONOUS | 64KX18 | 1.6 mm | 18 | 1179648 bit | PARALLEL | DUAL-PORT SRAM | 14 mm | 14 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR93G66FV-3AGTE2 | Rohm Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Non-Volatile | BR93G66 | 3 MHz | + 85 C | 5.5 V | - 40 C | 2500 | 3 mA | 1.7 V | SMD/SMT | 3-Wire | 40 Year | BR93G66FV-3A | ROHM 半导体 | ROHM 半导体 | Details | LSSOP, | SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH | 256 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 未说明 | 85 °C | 有 | BR93G66FV-3AGTE2 | 3 MHz | 256 words | 5 V | LSSOP | RECTANGULAR | 活跃 | ROHM CO LTD | 5.44 | EEPROM | 表面贴装 | 8-LSSOP (0.173", 4.40mm Width) | YES | 8-SSOP-B | 8 | Rohm Semiconductor | 活跃 | -40°C ~ 105°C (TA) | MouseReel | - | SEATED HT-CALCULATED, ALSO AVAILABLE 1.7V-2.5V OPERATES WITH 1MHZ, 2.5V-4.5V OPERATES WITH 2MHZ | Memory & Data Storage | 1.7V ~ 5.5V | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 1 | 0.65 mm | compliant | R-PDSO-G8 | 1.7 V to 5.5 V | 5.5 V | INDUSTRIAL | 4.5 V | 4Kbit | SYNCHRONOUS | 3 MHz | 3 mA | EEPROM | Microwire | 256 x 16 | 1.35 mm | 16 | 5ms | 4096 bit | SERIAL | EEPROM | 3-WIRE | 5 ms | EEPROM | 256 x 16 | 4.4 mm | 3 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 93C86T-E/SN | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2004 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1000000 ERASE/WRITE CYCLES; DATA RETENTION > 200 YEARS; USER CONFIGURABLE AS 512 X 16 | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 1.27mm | 40 | 93C86 | 8 | 5V | 5V | Serial | 16Kb 2K x 8 1K x 16 | 3mA | 3MHz | EEPROM | SPI | 1KX16 | 16 | 2ms | 16 kb | 0.0001A | MICROWIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 10ms | 200 | HARDWARE/SOFTWARE | 8 | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BR25H080FVT-WCE2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | Automotive, AEC-Q100 | yes | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 8542.32.00.51 | 2.5V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 5V | 0.65mm | 未说明 | BR25H080 | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | 5.5V | 3/5V | 2.5V | SPI, Serial | 8Kb 1K x 8 | SYNCHRONOUS | 5MHz | EEPROM | SPI | 1KX8 | 8 | 5ms | 8 kb | 0.00001A | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 40 | HARDWARE | 1.25mm | 4.4mm | 3mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SST39VF801C-70-4C-MAQE-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 48-WFBGA | YES | 48 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2011 | SST39 MPF™ | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 0.5mm | SST39VF801C | 3.3V | 8Mb 512K x 16 | 18mA | 70ns | FLASH | Parallel | 16b | 512KX16 | 16 | 10μs | 19b | 8 Mb | 0.00002A | Asynchronous | 16b | YES | YES | YES | 256 | 2K | YES | BOTTOM | YES | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | SST39VF802C-70-4C-MAQE-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 48-WFBGA | YES | 48 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2011 | SST39 MPF™ | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 0.5mm | SST39VF802C | 3.3V | 8Mb 512K x 16 | 18mA | 70ns | FLASH | Parallel | 16b | 512KX16 | 16 | 10μs | 19b | 8 Mb | 0.00002A | Asynchronous | 16b | YES | YES | YES | 256 | 2K | YES | TOP | YES | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CY62138FV30LL-45BVXIT | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 36-VFBGA | 36 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2003 | MoBL® | e3 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 36 | 哑光锡 | 2.2V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 0.75mm | 20 | CY62138 | 3V | 3.6V | 2.2V | 2Mb 256K x 8 | 1 | 18mA | SRAM | Parallel | 256KX8 | 3-STATE | 8 | 45ns | 18b | 2 Mb | 0.000004A | 45 ns | COMMON | Asynchronous | 8b | 8mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL128P11TFI013 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | 56 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | GL-P | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 56 | Matte Tin (Sn) | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.5mm | 40 | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 128Mb 16M x 8 | 110mA | FLASH | Parallel | 128MX1 | 1 | 110ns | 128 Mb | 0.000005A | 110 ns | Asynchronous | 3V | 8 | YES | YES | YES | 128 | 128K | 8/16words | YES | YES | 1.2mm | 18.4mm | 14mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | S29GL128P90FFSS80 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 64-LBGA | 64 | Non-Volatile | 0°C~85°C TA | Tray | GL-P | Obsolete | 3 (168 Hours) | 2.7V~3.6V | 128Mb 16M x 8 | FLASH | Parallel | 90ns | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | M27C4002-10C1 | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 44-LCC (J-Lead) | 44 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 44 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 8542.32.00.71 | 4.5V~5.5V | QUAD | 260 | 1 | 5V | 1.27mm | 100GHz | 30 | M27C4002 | 44 | 不合格 | 5V | 5V | 4Mb 256K x 16 | 70mA | ASYNCHRONOUS | 100ns | EPROM | Parallel | 256KX16 | 3-STATE | 16 | 4 Mb | 0.0001A | COMMON | 4.57mm | 16.586mm | 16.586mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | M24C08-DRMN8TP/K | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | Automotive grade | ACTIVE (Last Updated: 7 months ago) | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | 8 | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Cut Tape (CT) | Automotive, AEC-Q100 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1.8V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 2.5V | 1.27mm | 未说明 | M24C08 | 不合格 | 5.5V | 2/5V | 2-Wire, I2C, Serial | 8Kb 1K x 8 | SYNCHRONOUS | 1MHz | 450ns | EEPROM | I2C | 8 | 4ms | 0.000001A | I2C | 900000 Write/Erase Cycles | 4ms | 50 | HARDWARE | 1010DMMR | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IS42S16100E-7TLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 50-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 50 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | Obsolete | 3 (168 Hours) | 3V~3.6V | 3.3V | 16Mb 1M x 16 | 150mA | 143MHz | 5.5ns | DRAM | Parallel | 16b | 12b | 16 Mb | 无 | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MT48LC128M4A2P-75:C | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | 54 | 54-TSOP II | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2012 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 70°C | 0°C | 3V~3.6V | 133MHz | MT48LC128M4A2 | 3.3V | Parallel | 3.6V | 3V | 512Mb 128M x 4 | 115mA | 133MHz | 5.4ns | DRAM | Parallel | 4b | 15ns | 15b | 512 Mb | 133MHz | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 |