类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 终端数量 | 制造商包装标识符 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 界面 | 内存大小 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 最大电源电流 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 无卤素 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 筛选水平 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 环境温度范围高 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | I2C控制字节 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||
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 | CY7C1314BV18-200BZC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2003 | e0 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 165 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 流水线结构 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 220 | 1 | 1.8V | 1mm | not_compliant | 未说明 | CY7C1314 | 165 | 不合格 | 1.8V | 1.9V | 1.7V | 18Mb 512K x 36 | 2 | 750mA | 200MHz | 450 ps | SRAM | Parallel | 3-STATE | 36 | 18b | 18 Mb | SEPARATE | Synchronous | 36b | 1.7V | 1.4mm | 15mm | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY62128ELL-45ZXAT | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | 32 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2001 | MoBL® | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 32 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 4.5V~5.5V | DUAL | 1 | 5V | 0.5mm | CY62128 | 5V | 5V | 1Mb 128K x 8 | 1 | 16mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 8 | 45ns | 17b | 1 Mb | 0.000004A | 45 ns | COMMON | Asynchronous | 8b | 2V | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 93AA76/P | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | Automotive grade | Tin | 通孔 | 通孔 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | 8 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | 2012 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1.8V~6V | DUAL | 1 | 3V | 2.54mm | 93AA76 | 8 | 6V | 2/5V | Serial | 8Kb 1K x 8 512 x 16 | 3mA | 3MHz | EEPROM | SPI | 512X16 | 3-STATE | 16 | 5ms | 8 kb | 0.00003A | TS 16949 | MICROWIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE/SOFTWARE | 8 | 4.32mm | 9.46mm | 7.62mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS62WV2568BLL-70BI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 36-TFBGA | YES | 36 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | e0 | no | 活跃 | 2 (1 Year) | 36 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 2.5V~3.6V | BOTTOM | 1 | 3V | 0.75mm | 36 | 3.3V | 3.6V | 2.5V | 2Mb 256K x 8 | 1 | SRAM | Parallel | 256KX8 | 3-STATE | 8 | 70ns | 18b | 2 Mb | 70 ns | COMMON | 1V | 8mm | 无 | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CAT24M01WI-G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 20 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2012 | e4 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 1.8V~5.5V | 2-Wire, I2C, Serial | 1Mb 128K x 8 | 5mA | 1MHz | 400ns | EEPROM | I2C | 5ms | 1 Mb | SPI | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29AS016J70BFI043 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 48-VFBGA | YES | 48 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2015 | AS-J | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | EAR99 | 底部启动区块 | 8542.32.00.51 | 1.65V~1.95V | BOTTOM | 1 | 1.8V | 0.8mm | 不合格 | 1.95V | 1.65V | 16Mb 2M x 8 1M x 16 | ASYNCHRONOUS | FLASH | Parallel | 1MX16 | 16 | 70ns | 16777216 bit | 70 ns | 1.8V | 8 | BOTTOM | 1mm | 8.15mm | 6.15mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT28C010-20EM/883 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 23 Weeks | Military grade | Lead, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-CLCC | 32 | Non-Volatile | -55°C~125°C TC | Tube | 1998 | e0 | no | 活跃 | 3 (168 Hours) | 32 | Tin/Lead (Sn/Pb) | AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION: 10 YEARS | 4.5V~5.5V | QUAD | 240 | 1 | 5V | 1.27mm | 200GHz | 30 | AT28C010 | 不合格 | 5V | 5V | 1Mb 128K x 8 | 80mA | ASYNCHRONOUS | 200ns | EEPROM | Parallel | 128KX8 | 3-STATE | 8 | 10ms | 1 Mb | 0.0003A | MIL-STD-883 | 5V | 10000 Write/Erase Cycles | 10ms | YES | YES | NO | 128words | 2.54mm | 13.97mm | 11.43mm | Non-RoHS Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
.png) | S29AL008J70TFI01 | Cypress Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BR25G128F-3GE2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.173, 4.40mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Cut Tape (CT) | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | IT ALSO OPERATES AT 3MHZ AT 1.6 MIN | 1.6V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 5V | 1.27mm | 未说明 | R-PDSO-G8 | 5.5V | 4.5V | 128Kb 16K x 8 | SYNCHRONOUS | 20MHz | EEPROM | SPI | 16KX8 | 8 | 5ms | 131072 bit | SERIAL | SPI | 5ms | 1.71mm | 5mm | 4.4mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MB85RS256TYPNF-GS-BCERE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOP | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2017 | Automotive, AEC-Q100 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 1.8V~3.6V | 256Kb 32K x 8 | 33MHz | FRAM | SPI | 符合RoHS标准 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT45DB081E-MHN-T | Adesto Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-UDFN Exposed Pad | 8 | 9.49709mg | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tape & Reel (TR) | 2012 | e4 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 1.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | 未说明 | 不合格 | 3.6V | 1.7V | SPI, Serial | 8Mb 264Bytes x 4096 pages | SYNCHRONOUS | 15mA | 85MHz | 7 ns | FLASH | SPI | 8b | 1 | 8μs, 4ms | 8 Mb | 0.000001A | 2.7V | SPI | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 0.6mm | 6mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY7C1565KV18-400BZI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2003 | e0 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 165 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 流水线结构 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 220 | 1 | 1.8V | 1mm | 30 | CY7C1565 | 165 | 1.8V | 1.9V | 1.7V | 72Mb 2M x 36 | 2 | 1A | 400MHz | 450 ps | SRAM | Parallel | 3-STATE | 36 | 19b | 72 Mb | SEPARATE | Synchronous | 36b | 1.7V | 1.4mm | 15mm | 无 | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT25128LI-G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 20 Weeks | Gold | 通孔 | 通孔 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2006 | e4 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1.8V~5.5V | DUAL | 1 | 2.54mm | CAT25128 | 8 | 5V | SPI, Serial | 128Kb 16K x 8 | 4mA | 20MHz | 40 ns | EEPROM | SPI | 无卤素 | 5ms | 128 kb | 0.000001A | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 100 | HARDWARE/SOFTWARE | 4.95mm | 10.16mm | 7.11mm | 无 | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT28HC256F-12FM/883 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 23 Weeks | Military grade | Lead, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 28-CFlatPack | 28 | Non-Volatile | -55°C~125°C TC | Tube | 1997 | e0 | no | 活跃 | 3 (168 Hours) | 28 | 锡铅 | 自动写入 | 4.5V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 5V | 1.27mm | 120GHz | 未说明 | AT28HC256 | 不合格 | 5V | 5V | Parallel, SPI | 256Kb 32K x 8 | 80mA | ASYNCHRONOUS | 120ns | EEPROM | Parallel | 32KX8 | 3-STATE | 8 | 3ms | 256 kb | 0.0003A | MIL-STD-883 Class C | 5V | 10000 Write/Erase Cycles | 3ms | YES | YES | 64words | 3.02mm | 10.16mm | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS45S16320F-6TLA1 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 54-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | 54 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 活跃 | 3 (168 Hours) | 54 | EAR99 | PROGRAMMABLE CAS LATENCY; AUTO/SELF REFRESH | 3V~3.6V | DUAL | 1 | 3.3V | 0.8mm | 不合格 | 3.6V | 3.3V | 3V | 512Mb 32M x 16 | 1 | SYNCHRONOUS | 167MHz | 5.4ns | DRAM | Parallel | 32MX16 | 3-STATE | 16 | 0.004A | 536870912 bit | AEC-Q100 | COMMON | 8192 | 1248FP | 1248 | 1.2mm | 22.22mm | 10.16mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CAT24C16ZI-GT3 | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118, 3.00mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2006 | e4 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 1.7V~5.5V | DUAL | 1 | 3.3V | 0.65mm | CAT24C16 | 8 | 5V | 1.7V | 2-Wire, I2C, Serial | 16Kb 2K x 8 | 2mA | 400kHz | 900ns | EEPROM | I2C | 16KX1 | 无卤素 | 5ms | 16 kb | 0.000001A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 100 | HARDWARE | 1010MMMR | 950μm | 3.1mm | 3.1mm | 无 | 符合RoHS标准 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT28HC256-90TU | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 28-TSSOP (0.465, 11.80mm Width) | 28 | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tray | 1997 | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 28 | EAR99 | 8542.32.00.51 | 4.5V~5.5V | DUAL | 1 | 5V | 0.55mm | 90GHz | AT28HC256 | 5V | 5V | 256Kb 32K x 8 | 80mA | 90ns | EEPROM | Parallel | 32KX8 | 8 | 10ms | 256 kb | 0.0003A | 5V | 10000 Write/Erase Cycles | 10ms | YES | YES | NO | 64words | 1.2mm | 11.8mm | 8mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1049DV33-10VXIT | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 36-BSOJ (0.400, 10.16mm Width) | 36 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 1996 | e4 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 36 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 3V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3.3V | 10GHz | 40 | CY7C1049 | 3.3V | 3.6V | 3V | 4Mb 512K x 8 | 1 | 90mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 8 | 10ns | 19b | 4 Mb | COMMON | Asynchronous | 8b | 2V | 3.683mm | 23.495mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MT41K256M8DA-125:M | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 78-TFBGA | YES | 78 | Volatile | 0°C~95°C TC | Tray | 2012 | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 78 | EAR99 | 锡银铜 | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.36 | 1.283V~1.45V | BOTTOM | 260 | 1 | 1.35V | 0.8mm | 30 | MT41K256M8 | 78 | 1.35V | 1.45V | 1.283V | 2Gb 256M x 8 | 1 | 140mA | 800MHz | 13.75ns | DRAM | Parallel | 8b | 256MX8 | 3-STATE | 8 | 18b | 2 Gb | 0.012A | COMMON | 8192 | 8 | 8 | 1.2mm | 10.5mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL256N11TFI023 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | 56 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | GL-N | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 56 | Matte Tin (Sn) | 2.7V~3.6V | DUAL | 1 | 3V | 0.5mm | 3.6V | 2.7V | 256Mb 32M x 8 16M x 16 | 90mA | FLASH | Parallel | 16MX16 | 16 | 110ns | 256 Mb | 110 ns | Asynchronous | 3V | 8 | 1.2mm | 18.4mm | 14mm | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M29W160EB7AN6F | Micron | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 1000000 | PLASTIC/EPOXY | TSSOP48,.8,20 | -40 °C | 未说明 | 70 ns | 85 °C | 有 | M29W160EB7AN6F | 1048576 words | 3 V | TSSOP | RECTANGULAR | Micron Technology Inc | Obsolete | MICRON TECHNOLOGY INC | 5.49 | TSOP | YES | 48 | TSSOP, TSSOP48,.8,20 | e3 | 有 | EAR99 | NOR型号 | Matte Tin (Sn) | 底部启动区块 | 8542.32.00.51 | 闪存 | CMOS | DUAL | 鸥翼 | 未说明 | 1 | 0.5 mm | compliant | 48 | R-PDSO-G48 | 不合格 | 3.6 V | 3/3.3 V | INDUSTRIAL | 2.7 V | ASYNCHRONOUS | 0.01 mA | 1MX16 | 1.2 mm | 16 | 0.0001 A | 16777216 bit | PARALLEL | FLASH | 3 V | 8 | YES | YES | YES | 1,2,1,31 | 16K,8K,32K,64K | YES | BOTTOM | YES | 18.4 mm | 12 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ512B-JNLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | 8 | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Tube | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | Tin (Sn) | 2.3V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | 10 | 3.6V | 2.3V | SPI, Serial | 512Kb 64K x 8 | SYNCHRONOUS | 104MHz | FLASH | SPI - Quad I/O | 512KX1 | 1 | 800μs | 3V | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AS6C6264-55PCN | Alliance Memory, Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 通孔 | 通孔 | 28-DIP (0.600, 15.24mm) | 28 | AS6C6264-55PCN | Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | 2005 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 28 | EAR99 | 8542.32.00.32 | 2.7V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 2.54mm | 40 | 28 | 3V | 5.5V | 3/5V | 2.7V | 64Kb 8K x 8 | 1 | SRAM | Parallel | 8KX8 | 3-STATE | 55ns | 13b | 64 kb | 55 ns | COMMON | 70°C | 4.191mm | 36.32mm | 13.21mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST39VF401C-70-4I-MAQE | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-WFBGA | 48 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2014 | SST39 MPF™ | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | EAR99 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 底部启动区块 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 0.5mm | 40 | SST39VF401C | 48 | 3.3V | 3.6V | 2.7V | 4Mb 256K x 16 | 18mA | 70ns | FLASH | Parallel | 256KX16 | 16 | 10μs | 1b | 4 Mb | 0.00002A | Asynchronous | 16b | 2.7V | YES | YES | YES | 128 | 2K | YES | BOTTOM | YES | 0.73mm | 6mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY7C1313BV18-167BZC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2003 | e0 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 165 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 流水线结构 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 220 | 1 | 1.8V | 1mm | not_compliant | 未说明 | CY7C1313 | 165 | 不合格 | 1.8V | 1.9V | 1.7V | 18Mb 1M x 18 | 2 | 400mA | 167MHz | 500 ps | SRAM | Parallel | 1MX18 | 3-STATE | 18 | 18b | 18 Mb | SEPARATE | Synchronous | 18b | 1.7V | 1.4mm | 15mm | Non-RoHS Compliant |