类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 终端 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 最大电源电流 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 建筑学 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 产品类别 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 筛选水平 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 输出启用 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | I2C控制字节 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 产品类别 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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 | 34LC02T-E/ST | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2011 | e3 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | 2.2V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 0.65mm | 40 | 34LC02 | 8 | 不合格 | 5V | 2.2V | I2C, Serial | 2Kb 256 x 8 | 3mA | SYNCHRONOUS | 1MHz | 400ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 2 kb | 0.000005A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE/SOFTWARE | 1010DDDR | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
.png) | GS8180QV18BGD-167 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | FBGA | DDR | 2.5000 V | 2.4 V | Synchronous | 1 MWords | 18 Bit | 2.6 V | 表面贴装 | 有 | 167 MHz | + 70 C | 2.6 V | 0 C | 18 | 2.4 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SigmaQuad-I | Details | DDR | Commercial grade | SRAM | BGA-165 | 167 MHz | 0 to 70 °C | Tray | GS8180QV18BGD | SigmaQuad | Memory & Data Storage | 165 | 18 Mbit | 2 | Pipelined | 1 M x 18 | 19 Bit | 18 Mbit | Commercial | SRAM | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M24512-RMB6TG | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-UFDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | e4 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 1.8V~5.5V | DUAL | 0.5mm | M24512 | 2/5V | 2-Wire, I2C, Serial | 512Kb 64K x 8 | 5mA | 1MHz | 500ns | EEPROM | I2C | 8 | 10ms | 512 kb | 0.000001A | 5V | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 40 | HARDWARE | 1010DDDR | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R1LP0408DSB-5SI#S1 | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 18 Weeks | 表面贴装 | 32-SOIC (0.400, 10.16mm Width) | YES | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2012 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 32 | 4.5V~5.5V | DUAL | 1 | 5V | 32 | R-PDSO-G32 | 5.5V | 4.5V | 4Mb 512K x 8 | ASYNCHRONOUS | SRAM | Parallel | 512KX8 | 8 | 55ns | 4194304 bit | 55 ns | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 93AA76CT-I/MNY | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WFDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2012 | e4 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 1.8V~5.5V | DUAL | 0.5mm | 93AA76C | 不合格 | 2/5V | Serial | 8Kb 1K x 8 512 x 16 | 3mA | 3MHz | 100 ns | EEPROM | SPI | 512X16 | 16 | 5ms | 8 kb | 0.000001A | MICROWIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 200 | HARDWARE/SOFTWARE | 8 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 93C56CT-I/MNY | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WFDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2011 | e4 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.5mm | 40 | 93C56C | 8 | 5V | Serial | 2Kb 256 x 8 128 x 16 | 2mA | SYNCHRONOUS | 3MHz | 200 ns | EEPROM | SPI | 16 | 2ms | 2 kb | MICROWIRE | 2ms | 8 | 3mm | 2mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 93AA56BT-I/MNY | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WFDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2011 | e4 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.5mm | 40 | 93AA56B | 8 | 5.5V | Serial | 2Kb 128 x 16 | 2mA | SYNCHRONOUS | 2MHz | 250 ns | EEPROM | SPI | 16 | 6ms | 2 kb | MICROWIRE | 6ms | 3mm | 2mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 93C56AT-I/MNY | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WFDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2011 | e4 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.5mm | 40 | 93C56A | 8 | 5V | Serial | 2Kb 256 x 8 | 2mA | SYNCHRONOUS | 2MHz | 250 ns | EEPROM | SPI | 8 | 2ms | 2 kb | MICROWIRE | 2ms | 3mm | 2mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS43R16320D-5TL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 66-TSSOP (0.400, 10.16mm Width) | 66 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | e3 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 66 | EAR99 | 哑光锡 | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.28 | 2.5V~2.7V | DUAL | 260 | 1 | 2.6V | 0.65mm | 40 | 66 | 2.5V | 2.7V | 2.6V | 512Mb 32M x 16 | 1 | 430mA | 430mA | 200MHz | 700ps | DRAM | Parallel | 16b | 32MX16 | 3-STATE | 16 | 15ns | 15b | 512 Mb | 0.025A | COMMON | 8192 | 248 | 248 | 1.2mm | 22.22mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 24LC512-I/ST14G | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 14-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 14 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2010 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 14 | EAR99 | 8542.32.00.51 | 2.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 4.5V | 0.65mm | 40 | 24LC512 | 14 | 5.5V | 3/5V | 2.5V | I2C, Serial | 512Kb 64K x 8 | 5mA | 400kHz | 900ns | EEPROM | I2C | 64KX8 | 8 | 5ms | 512 kb | 0.000001A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE | 1010DDDR | 1.2mm | 5mm | 4.4mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY62138EV30LL-45BVXIT | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 36-VFBGA | 36 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2003 | MoBL® | e3 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | 哑光锡 | 2.2V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 0.75mm | 20 | CY62138 | R-PBGA-B48 | 3.6V | 2.5/3.3V | 2.2V | 2Mb 256K x 8 | 1 | 20mA | SRAM | Parallel | 256KX8 | 3-STATE | 8 | 45ns | 18b | 2 Mb | 0.000003A | 45 ns | COMMON | Asynchronous | 8b | 1V | 8mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C136-55NC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 52-QFP | 52 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2012 | e0 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 52 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | AUTOMATIC POWER-DOWN; INTERRUPT FLAG | 4.5V~5.5V | QUAD | 220 | 1 | 5V | 0.65mm | not_compliant | 未说明 | CY7C136 | 52 | 不合格 | 5V | 5V | 16Kb 2K x 8 | 2 | 110mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 8 | 55ns | 22b | 16 kb | 0.015A | 55 ns | COMMON | Asynchronous | 8b | YES | 10mm | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| GS816036DGT-250 | GSI Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 250 MHz | + 85 C | 3.6 V | 0 C | 36 | 2.3 V | SMD/SMT | Parallel | GSI技术 | GSI技术 | SyncBurst | Details | SDR | LQFP, | FLATPACK, LOW PROFILE | 512000 | PLASTIC/EPOXY | 未说明 | 5.5 ns | 70 °C | 有 | GS816036DGT-250 | 524288 words | 2.5 V | LQFP | RECTANGULAR | 活跃 | GSI TECHNOLOGY | 5.32 | QFP | SRAM | TQFP-100 | YES | 100 | 有 | Tray | GS816036DGT | 3A991.B.2.B | Pipeline/Flow Through | FLOW-THROUGH OR PIPELINED ARCHITECTURE, ALSO OPERATES AT 3.3V | 8542.32.00.41 | Memory & Data Storage | CMOS | QUAD | 鸥翼 | 未说明 | 1 | 0.65 mm | compliant | 100 | R-PQFP-G100 | 2.7 V | COMMERCIAL | 2.3 V | 18 Mbit | SYNCHRONOUS | 230 mA, 250 mA | 5.5 ns | 512 k x 36 | 1.6 mm | 36 | 18874368 bit | PARALLEL | 缓存SRAM | SRAM | 20 mm | 14 mm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY14E256L-SZ25XC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 32-SOIC (0.295, 7.50mm Width) | 32 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | 2009 | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 32 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 1.27mm | unknown | 20 | CY14*256 | 32 | 不合格 | 5V | 5V | 256Kb 32K x 8 | 97mA | ASYNCHRONOUS | NVSRAM | Parallel | 8b | 8 | 25ns | 256 kb | 0.0015A | 25 ns | 8b | 2.54mm | 20.726mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 34VL02T/ST | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Non-Volatile | -20°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2008 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1.5V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 0.65mm | 40 | 34VL02 | 8 | 不合格 | 3.3V | 3.6V | 1.5V | I2C, Serial | 2Kb 256 x 8 | 3mA | SYNCHRONOUS | 400kHz | 900ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 2 kb | 0.000001A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE/SOFTWARE | 1010DDDR | 1.2mm | 4.4mm | 3mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 25AA160A-I/P | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | Tin | 通孔 | 通孔 | 8-DIP (0.300, 7.62mm) | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2007 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 通孔 | EAR99 | 1.8V~5.5V | DUAL | 1 | 2.5V | 2.54mm | 25AA160A | 8 | 5.5V | 2/5V | SPI, Serial | 16Kb 2K x 8 | 6mA | 10MHz | 160 ns | EEPROM | SPI | 5ms | 16 kb | 0.000001A | SPI | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE/SOFTWARE | 4.953mm | 10.16mm | 7.112mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C037V-15AC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 100-LQFP | YES | 100 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2002 | e0 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 100 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 中断标志 | 3V~3.6V | QUAD | 240 | 1 | 3.3V | 0.5mm | not_compliant | 15GHz | 30 | CY7C037 | 100 | 不合格 | 3.3V | 3.6V | 3V | 576Kb 32K x 18 | 2 | 0.185mA | SRAM | Parallel | 3-STATE | 18 | 15ns | 30b | 576 kb | 0.00005A | 15 ns | COMMON | 2V | 1.6mm | 14mm | Non-RoHS Compliant | 含铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 7007L20JGI | Renesas Electronics America Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | Industrial grade | 表面贴装 | 68-LCC (J-Lead) | Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 活跃 | 3 (168 Hours) | 4.5V~5.5V | IDT7007 | 256Kb 32K x 8 | SRAM | Parallel | 20ns | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST38VF6401B-70I/CD | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | Industrial grade | Copper, Silver, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-TFBGA | 48 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2013 | SST38 | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 260 | 1 | 3V | 0.8mm | 40 | SST38VF6401 | 3.3V | 3.6V | 2.7V | 64Mb 4M x 16 | 0.05mA | 70ns | FLASH | Parallel | 4MX16 | 16 | 10μs | 22b | 64 Mb | 0.00004A | 2.7V | YES | YES | NO | 128 | 32K | 16B | YES | BOTTOM | YES | 1.2mm | 8mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | N25S830HAT22IT | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 23 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width) | 8 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2000 | e3 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | Tin (Sn) | 2.7V~3.6V | DUAL | 1 | 3V | 0.65mm | N25S830HA | 8 | 3V | 3.6V | 2.7V | SPI, Serial | 256Kb 32K x 8 | 1 | 10mA | 20MHz | 25 ns | SRAM | SPI | 3-STATE | 8 | 1b | 256 kb | 0.000004A | SEPARATE | Synchronous | 8b | 2.7V | 4.4mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT25DF021-SSH-B | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 8-SOIC | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tube | 2012 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 85°C | -40°C | 2.7V~3.6V | 70MHz | AT25DF021 | 3.3V | SPI, Serial | 3.6V | 2.7V | 2Mb 256K x 8 | 15mA | 70MHz | 6 ns | FLASH | SPI | 7μs, 5ms | 18b | 2 kb | Synchronous | 8b | 1.5mm | 5mm | 3.99mm | 无SVHC | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 11LC160T-E/MNY | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WFDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2009 | e4 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 2.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.5mm | 40 | 11LC160 | 8 | 5V | Serial | 16Kb 2K x 8 | 5mA | 100kHz | EEPROM | 单线 | 8 | 5ms | 16 kb | 0.000005A | 1-WIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 10ms | 200 | SOFTWARE | 3mm | 2mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1041G-10VXIT | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 44-BSOJ (0.400, 10.16mm Width) | YES | 44 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 3 (168 Hours) | 44 | 4.5V~5.5V | DUAL | 1 | 5V | 1.27mm | 5.5V | 4.5V | 4Mb 256K x 16 | SRAM | Parallel | 256KX16 | 16 | 10ns | 4194304 bit | 10 ns | 3.7592mm | 28.575mm | 10.16mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS43DR16640B-3DBLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Industrial grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 84-TFBGA | 84 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 3 (168 Hours) | 84 | EAR99 | AUTO/SELF REFRESH | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 1 | 1.8V | 0.8mm | 1.8V | 1.9V | 1.7V | 1Gb 64M x 16 | 1 | 220mA | 333MHz | 450ps | DRAM | Parallel | 16b | 64MX16 | 3-STATE | 16 | 15ns | 16b | 1 Gb | 0.015A | COMMON | 8192 | 48 | 48 | 1.2mm | 12.5mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FL064LABNFI013 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 8-WFDFN Exposed Pad | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | FL-L | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | Matte Tin (Sn) | IT ALSO HAVE X1 MEMORY WIDTH | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3V | 0.8mm | 未说明 | S-PDSO-N8 | 3.6V | 2.7V | 64Mb 8M x 8 | SYNCHRONOUS | 108MHz | FLASH | SPI - Quad I/O, QPI | 16MX4 | 4 | 67108864 bit | SERIAL | 3V | 2 | 0.6mm | 4mm | 4mm | ROHS3 Compliant |