类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 终端 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 子类别 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 电压 | 界面 | 内存大小 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 筛选水平 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 输出启用 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | I2C控制字节 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | ||||||||||||||||||||||
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 | 24AA014T-I/MNY | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WFDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2010 | e4 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1.7V~5.5V | DUAL | 1 | 0.5mm | 24AA014 | 8 | 5V | 1.7V | I2C, Serial | 1Kb 128 x 8 | 3mA | 400kHz | 900ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 1 kb | I2C | 5ms | 3mm | 2mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL512S10DHA020 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 64-LBGA | YES | 64 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2016 | GL-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 64 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 3V | 1mm | 未说明 | 3.6V | 2.7V | 512Mb 32M x 16 | ASYNCHRONOUS | 100ns | FLASH | Parallel | 8 | 60ns | 536870912 bit | AEC-Q100 | 3V | 1.4mm | 9mm | 9mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS42S32160F-75EBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Industrial grade | 表面贴装 | 90-TFBGA | YES | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 90 | AUTO/SELF REFRESH | 3V~3.6V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 3.3V | 0.8mm | 未说明 | R-PBGA-B90 | 3.6V | 3V | 512Mb 16M x 32 | 1 | SYNCHRONOUS | 133MHz | 6ns | DRAM | Parallel | 16MX32 | 32 | 536870912 bit | 1.2mm | 13mm | 8mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT24C256N-10SI-2.7 | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | Obsolete | 1 (Unlimited) | 2.7V~5.5V | AT24C256 | 256Kb 32K x 8 | 1MHz | 550ns | EEPROM | I2C | 10ms | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MT29F32G08CBADBWPR:D | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | 活跃 | 3 (168 Hours) | 2.7V~3.6V | 3.3V | 32Gb 4G x 8 | FLASH | Parallel | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT24C04C-SSPD-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 1997 | Automotive, AEC-Q100 | e4 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | 镍钯金 | 2.5V~5.5V | DUAL | 1 | 5V | 1.27mm | AT24C04 | 不合格 | 5.5V | 3/5V | 2.5V | 4Kb 512 x 8 | SYNCHRONOUS | 400kHz | 900ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 0.000004A | 4096 bit | SERIAL | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 100 | HARDWARE | 1010DDMR | 1.75mm | 4.925mm | 3.9mm | 符合RoHS标准 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CAT24C128WIGT3JN | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 4 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 1 (Unlimited) | 1.8V~5.5V | 128Kb 16K x 8 | 1MHz | 400ns | EEPROM | I2C | 5ms | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 24AA014T-I/MC | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-VFDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2010 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 1.7V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 2.5V | 0.5mm | 40 | 24AA014 | 8 | 5V | 2-Wire, I2C, Serial | 1Kb 128 x 8 | 3mA | 400kHz | 900ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 1 kb | 0.000001A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE | 1010DDDR | 1mm | 3mm | 2mm | 无 | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT27LV512A-90JU-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 32-LCC (J-Lead) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tape & Reel (TR) | 1997 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 32 | ALSO OPERATES AT 5V SUPPLY | 3V~3.6V 4.5V~5.5V | QUAD | 1 | 3.3V | 1.27mm | R-PQCC-J32 | 3.6V | 3V | 512Kb 64K x 8 | ASYNCHRONOUS | 90ns | EPROM | Parallel | 64KX8 | 8 | 524288 bit | 3.556mm | 13.97mm | 11.43mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1356C-166AXIT | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 7 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2002 | NoBL™ | e4 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 100 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 3.135V~3.6V | QUAD | 0.635mm | CY7C1356 | 3.3V | 9Mb 512K x 18 | 2 | 180mA | 166MHz | 3.5ns | SRAM | Parallel | 3-STATE | 18 | 19b | 9 Mb | 0.04A | COMMON | Synchronous | 18b | 3.14V | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1049G30-10ZSXI | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 44-TSOP (0.400, 10.16mm Width) | YES | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2012 | e4 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 44 | 3A991.B.2.A | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | 8542.32.00.41 | 2.2V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.8mm | 30 | CY7C1049 | R-PDSO-G44 | 3.6V | 2.2V | 4Mb 512K x 8 | SRAM | Parallel | 512KX8 | 8 | 10ns | 4194304 bit | 10 ns | 1.194mm | 18.415mm | 10.16mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
.png) | BR24C04 | Rohm | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | IN-LINE | 512 | PLASTIC/EPOXY | DIP8,.3 | -40 °C | 未说明 | 85 °C | 有 | BR24C04 | 0.1 MHz | 512 words | 5 V | DIP | RECTANGULAR | ROHM 半导体 | Obsolete | ROHM CO LTD | 5.34 | DIP | NO | 8 | DIP, DIP8,.3 | 有 | EAR99 | HARDWARE AND SOFTWARE WRITE PROTECTION; 2 WIRE SERIAL INTERFACE; 10 YEARS DATA RETENTION | 8542.32.00.51 | EEPROMs | CMOS | DUAL | THROUGH-HOLE | 未说明 | 1 | 2.54 mm | unknown | 8 | R-PDIP-T8 | 不合格 | 5.5 V | 3/5 V | INDUSTRIAL | 2.7 V | SYNCHRONOUS | 0.001 mA | 512X8 | OPEN-DRAIN | 3.7 mm | 8 | 0.000002 A | 4096 bit | SERIAL | EEPROM | I2C | 10000 Write/Erase Cycles | 25 ms | 10 | HARDWARE/SOFTWARE | 1010DDMR | 9.3 mm | 7.62 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MX29LV040CQC-70G | Macronix | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 16 Weeks | 表面贴装 | 32-LCC (J-Lead) | YES | 32 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | 2004 | MX29LV | e3 | yes | 不用于新设计 | 3 (168 Hours) | 32 | 3A991.B.1.A | Matte Tin (Sn) | 2.7V~3.6V | QUAD | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | unknown | 40 | 32 | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 4Mb 512K x 8 | ASYNCHRONOUS | FLASH | Parallel | 512KX8 | 8 | 70ns | 4 Mb | 0.000005A | 70 ns | 3V | YES | YES | YES | 8 | 64K | YES | 3.55mm | 14.05mm | 11.43mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS42S32800J-7TL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Commercial grade | 表面贴装 | 86-TFSOP (0.400, 10.16mm Width) | 86 | 86-TSOP II | Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 活跃 | 3 (168 Hours) | 70°C | 0°C | 3V~3.6V | 143MHz | Parallel | 256Mb 8M x 32 | 143MHz | 5.4ns | DRAM | Parallel | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C185-25VC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 28-BSOJ (0.300, 7.62mm Width) | YES | 28 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | 2001 | e0 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 28 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | AUTOMATIC POWER-DOWN | 4.5V~5.5V | DUAL | 220 | 1 | 5V | not_compliant | 25GHz | 未说明 | CY7C185 | 28 | 不合格 | 5V | 5V | 64Kb 8K x 8 | 1 | SRAM | Parallel | 8KX8 | 3-STATE | 8 | 25ns | 13b | 64 kb | 25 ns | COMMON | YES | 3.556mm | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S25FS256SDSBHI200 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 24-TBGA | YES | 24 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2016 | FS-S | 活跃 | 3 (168 Hours) | 24 | 8542.32.00.51 | 1.7V~2V | BOTTOM | 1 | 1.8V | 1mm | 1.8V | 2V | 1.7V | SPI, Serial | 256Mb 32M x 8 | 80MHz | FLASH | SPI - Quad I/O, QPI | 64MX4 | 4 | 256 Mb | 2 | 1.2mm | 8mm | 6mm | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | PC28F512P30BFA | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Copper, Silver, Tin | 表面贴装 | 64-TBGA | YES | 64 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2010 | Axcell™ | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 64 | 3A991.B.1.A | 锡银铜 | 底靴 | 8542.32.00.51 | 1.7V~2V | BOTTOM | 260 | 1 | 1.8V | 1mm | 30 | 28F512P30 | 64 | 1.8V | 1.81.8/3.3V | 1.7V | Parallel, Serial | 512Mb 32M x 16 | 31mA | 52MHz | FLASH | Parallel | 32MX16 | 16 | 100ns | 25b | 512 Mb | 0.000225A | 100 ns | Asynchronous | 16b | NO | NO | 4511 | 16words | BOTTOM | 1.2mm | 10mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL01GP12TFI010 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 56-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | 56 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2003 | GL-P | e3 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 56 | SMD/SMT | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.5mm | 40 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 1Gb 128M x 8 | 110mA | FLASH | Parallel | 8b | 1GX1 | 1 | 120ns | 1 Gb | 0.000005A | 120 ns | Asynchronous | 3V | 8 | YES | YES | YES | 1K | 128K | 8/16words | YES | YES | 1.2mm | 18.4mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S25FL132K0XBHVS20 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 24-TBGA | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Tray | FL1-K | Obsolete | 3 (168 Hours) | 2.7V~3.6V | 32Mb 4M x 8 | 108MHz | FLASH | SPI - Quad I/O | 3ms | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43DR86400D-25DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Industrial grade | Copper, Silver, Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 60-TFBGA | 60 | Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 60 | EAR99 | 锡银铜 | 可编程赌场延迟 | 8542.32.00.28 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 未说明 | 1 | 1.8V | 0.8mm | 未说明 | 不合格 | 1.8V | 1.9V | 1.7V | 512Mb 64M x 8 | 1 | SYNCHRONOUS | 400MHz | 400ps | DRAM | Parallel | 8b | 64MX8 | 3-STATE | 8 | 15ns | 14b | 512 Mb | 0.025A | COMMON | 8192 | 48 | 48 | 1.2mm | 10.5mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT93C46-10SI-1.8 | Atmel | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT25512LI-G | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M24C04-MN6 | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | e0 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 8 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 4.5V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 5V | 1.27mm | not_compliant | 未说明 | M24C04 | 8 | 不合格 | 5.5V | 5V | 4.5V | 2-Wire, I2C, Serial | 4Kb 512 x 8 | SYNCHRONOUS | 400kHz | 900ns | EEPROM | I2C | OPEN-DRAIN | 8 | 5ms | 0.000001A | 4096 bit | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 40 | HARDWARE | 1010DDMR | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | R1LV0108ESF-5SI#B1 | Renesas Electronics America | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 18 Weeks | 表面贴装 | 32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | 2013 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 2.7V~3.6V | 32 | 1Mb 128K x 8 | SRAM | Parallel | 55ns | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q16FWZPIQ | Winbond Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | 表面贴装 | 8-WDFN Exposed Pad | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tube | SpiFlash® | 最后一次购买 | 3 (168 Hours) | 8 | 1.65V~1.95V | DUAL | 1 | 1.8V | 1.27mm | R-PDSO-N8 | 1.95V | 1.65V | 16Mb 2M x 8 | SYNCHRONOUS | 104MHz | FLASH | SPI - Quad I/O, QPI | 16MX1 | 1 | 60μs, 3ms | 16777216 bit | SERIAL | 1.8V | 0.8mm | 6mm | 5mm | ROHS3 Compliant |