类别是'存储器'
存储器 (6000)
图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 有效性 | 单价(CNY) | 询价 | 认证 | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 类型 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 附加功能 | HTS代码 | 技术 | 电压 - 供电 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 功能数量 | 电源电压 | 端子间距 | Reach合规守则 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 基本部件号 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 工作电源电压 | 电源电压-最大值(Vsup) | 电源 | 温度等级 | 电源电压-最小值(Vsup) | 电压 | 界面 | 最大电源电压 | 最小电源电压 | 内存大小 | 端口的数量 | 电源电流 | 操作模式 | 最大电源电流 | 时钟频率 | 电源电流-最大值 | 访问时间 | 内存格式 | 内存接口 | 数据总线宽度 | 组织结构 | 输出特性 | 座位高度-最大 | 内存宽度 | 写入周期时间 - 字符、页面 | 地址总线宽度 | 密度 | 待机电流-最大值 | 记忆密度 | 最高频率 | 访问时间（最大） | 并行/串行 | I/O类型 | 同步/异步 | 字长 | 内存IC类型 | 编程电压 | 串行总线类型 | 耐力 | 写入周期时间 - 最大值 | 数据保持时间 | 写入保护 | 待机电压-最小值 | 备用内存宽度 | 数据轮询 | 拨动位 | 命令用户界面 | 输出启用 | 扇区/尺寸数 | 行业规模 | 页面尺寸 | 准备就绪/忙碌 | 引导模块 | 刷新周期 | 通用闪存接口 | I2C控制字节 | 顺序突发长度 | 交错突发长度 | 访问模式 | 自我刷新 | 组织的记忆 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 23A512T-E/SN | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 19 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 8-SOIC | Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2012 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 1.7V~2.2V | 20MHz | 23A512 | 512Kb 64K x 8 | 16MHz | SRAM | SPI - Quad I/O | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1520KV18-333BZXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2003 | e1 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 165 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 流水线结构 | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 260 | 1 | 1.8V | 30 | CY7C1520 | 165 | 1.8V | 72Mb 2M x 36 | 1 | 640mA | 333MHz | 450 ps | SRAM | Parallel | 2MX36 | 3-STATE | 36 | 21b | 72 Mb | COMMON | Synchronous | 36b | 无 | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MX25V4006EZNI-13G | Macronix | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 8-WDFN Exposed Pad | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | MX25xxx05/06 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | 3A991.B.1.B.1 | 8542.32.00.51 | 2.35V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 2.5V | 1.27mm | unknown | 未说明 | 8 | R-PDSO-N8 | 不合格 | 3.6V | 2.5/3.3V | 2.35V | SPI, Serial | 4Mb 512K x 8 | SYNCHRONOUS | 75MHz | FLASH | SPI | 2MX2 | 2 | 50μs, 1ms | 4 Mb | 0.00001A | 3V | 3-WIRE | 100000 Write/Erase Cycles | 20 | HARDWARE/SOFTWARE | 1 | 0.8mm | 6mm | 5mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | W29GL032CB7S | Winbond Electronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 14 Weeks | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2016 | e3 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 48 | 3A991.B.1.A | 哑光锡 | 底部启动区块 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3V | 0.5mm | 未说明 | 48 | R-PDSO-G48 | 不合格 | 3.6V | 3/3.3V | 2.7V | 32Mb 4M x 8 2M x 16 | ASYNCHRONOUS | FLASH | Parallel | 32MX1 | 1 | 70ns | 0.000005A | 33554432 bit | 70 ns | 3V | 8 | YES | YES | YES | 863 | 8K64K | 8/16words | YES | BOTTOM | YES | 1.2mm | 18.4mm | 12mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY7C1426KV18-250BZC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2003 | e0 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 165 | 3A991 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 1.7V~1.9V | BOTTOM | 235 | 1 | 1.8V | 1mm | 20 | CY7C1426 | 165 | 1.8V | 1.9V | 1.7V | 36Mb 4M x 9 | 2 | 460mA | 250MHz | 450 ps | SRAM | Parallel | 4MX9 | 3-STATE | 9 | 20b | 36 Mb | SEPARATE | Synchronous | 9b | 1.7V | 1.4mm | 15mm | 无 | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT24C02B-TSU-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | 5 | SOT-23-5 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2005 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 85°C | -40°C | 1.8V~5.5V | 1MHz | AT24C02 | 5V | 2-Wire, I2C, Serial | 5.5V | 1.8V | 2Kb 256 x 8 | 3mA | 1MHz | 550ns | EEPROM | I2C | 5ms | 2 kb | 400kHz | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY7C1414SV18-250BZC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 165-LBGA | 165 | 165-FBGA (13x15) | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | Obsolete | 3 (168 Hours) | 70°C | 0°C | 1.7V~1.9V | 250MHz | CY7C1414 | Parallel | 36Mb 1M x 36 | 250MHz | SRAM | Parallel | Non-RoHS Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 71V3577S75BG | Renesas Electronics America Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 13 Weeks | 表面贴装 | 119-BGA | 119-PBGA (14x22) | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 活跃 | 3 (168 Hours) | 3.135V~3.465V | IDT71V3577 | 4.5Mb 128K x 36 | 117MHz | 7.5ns | SRAM | Parallel | Non-RoHS Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
.png) | LE25S20XATAG | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 5 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 2 days ago) | 表面贴装 | 8-XFBGA, WLCSP | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2016 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 1.65V~1.95V | 2Mb 256K x 8 | 40MHz | FLASH | SPI | 3.5ms | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BQ4013MA-120 | NA | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 通孔 | 通孔 | 32-DIP Module (0.61, 15.49mm) | 32 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | no | Obsolete | 1 (Unlimited) | 32 | EAR99 | 4.75V~5.5V | DUAL | 1 | 5V | 2.54mm | BQ4013 | 5V | 5V | 1Mb 128K x 8 | 50mA | NVSRAM | Parallel | 8b | 128KX8 | 8 | 120ns | 1 Mb | 0.004A | 120 ns | 8b | 9.53mm | 42.8mm | 无 | ROHS3 Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S29GL256P10FFIS10 | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 64-LBGA | 64 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | 2003 | GL-P | 最后一次购买 | 3 (168 Hours) | 2.7V~3.6V | 256Mb 32M x 8 | FLASH | Parallel | 8b | 100ns | 3V | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | AT45DB641E-MWHN-Y | Adesto Technologies | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 12 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-VDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TC | Tray | 2009 | e4 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | 1.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 2.3V | 1.27mm | 未说明 | 8 | 3.6V | 1.7V | SPI, Serial | 64Mb 264Bytes x 32K pages | 15mA | 22mA | 85MHz | 7 ns | FLASH | SPI | 8b | 64MX1 | 8μs, 5ms | 23b | 64 Mb | Synchronous | 8b | 950μm | 8.1mm | 6.1mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 93LC76BT-E/SN | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -40°C~125°C TA | Tape & Reel (TR) | 2012 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 2.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 1.27mm | 40 | 93LC76B | 8 | 不合格 | 5V | Serial | 8Kb 512 x 16 | 3mA | SYNCHRONOUS | 3MHz | 100 ns | EEPROM | SPI | 512X16 | 16 | 5ms | 8 kb | 0.000005A | MICROWIRE | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | SOFTWARE | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CY7C1472V33-200AXC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 100-LQFP | 100 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | 2004 | NoBL™ | e3 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 100 | Matte Tin (Sn) | 流水线结构 | 3.135V~3.6V | QUAD | 260 | 1 | 3.3V | 0.65mm | 20 | CY7C1472 | 100 | 3.3V | 3.6V | 3.135V | 72Mb 4M x 18 | 2 | 500mA | 200MHz | 3ns | SRAM | Parallel | 4MX18 | 3-STATE | 18 | 22b | 72 Mb | COMMON | Synchronous | 18b | 3.14V | 1.6mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | M27C256B-15B1 | STMicroelectronics | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 通孔 | 通孔 | 28-DIP (0.600, 15.24mm) | 28 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | e3 | Obsolete | 1 (Unlimited) | 28 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | 8542.32.00.71 | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 2.54mm | 150GHz | 未说明 | M27C256 | 28 | 不合格 | 5V | 5V | 256Kb 32K x 8 | 50mA | ASYNCHRONOUS | 150ns | EPROM | Parallel | 32KX8 | 3-STATE | 8 | 256 kb | 0.0001A | COMMON | 5.08mm | 36.83mm | 15.24mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24VL014HT/SN | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 4 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | Non-Volatile | -20°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2008 | e3 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) - annealed | 1.5V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 1.8V | 1.27mm | 40 | 24VL014H | 8 | 不合格 | 3.3V | 3.6V | 1.5V | I2C, Serial | 1Kb 128 x 8 | 3mA | SYNCHRONOUS | 400kHz | 900ns | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 1 kb | 0.000001A | I2C | 1000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE | 1010DDDR | 1.75mm | 4.9mm | 3.9mm | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | SST39VF3201B-70-4I-EKE-T | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | 表面贴装 | 表面贴装 | 48-TFSOP (0.724, 18.40mm Width) | 48 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2000 | SST39 MPF™ | e3 | 活跃 | 3 (168 Hours) | 48 | 3A991.B.1.A | Matte Tin (Sn) - annealed | 底部启动区块 | 8542.32.00.51 | 2.7V~3.6V | DUAL | 260 | 1 | 3V | 0.5mm | 40 | SST39VF3201B | 48 | 3.3V | 3.6V | 2.7V | 32Mb 2M x 16 | 15mA | 70ns | FLASH | Parallel | 16b | 2MX16 | 16 | 10μs | 21b | 32 Mb | 0.00002A | Asynchronous | 16b | 2.7V | YES | YES | YES | 1K | 2K | BOTTOM | YES | 1.2mm | 18.4mm | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25V1635FZNI | Macronix | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 10 Weeks | 表面贴装 | 8-WDFN Exposed Pad | YES | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tray | MXSMIO™ | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 8 | ALSO IT CAN BE CONFIGURED AS 16M X 1 BIT | 8542.32.00.51 | 2.3V~3.6V | DUAL | 未说明 | 1 | 3V | 1.27mm | 未说明 | R-PDSO-N8 | 3.6V | 2.3V | SPI, Serial | 16Mb 2M x 8 | SYNCHRONOUS | 80MHz | FLASH | SPI | 4MX4 | 4 | 100μs, 4ms | 16777216 bit | 3V | 2 | 0.8mm | 6mm | 5mm | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY7C128A-15VC | Cypress Semiconductor Corp | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 24-BSOJ (0.300, 7.62mm Width) | YES | 24 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tube | 2001 | e0 | Obsolete | 3 (168 Hours) | 24 | EAR99 | 锡铅 | AUTOMATIC POWER-DOWN | 4.5V~5.5V | DUAL | 225 | 1 | 5V | 15GHz | 30 | CY7C128A | 24 | 5V | 5V | 16Kb 2K x 8 | 1 | SRAM | Parallel | 2KX8 | 3-STATE | 8 | 15ns | 11b | 16 kb | 0.04A | COMMON | YES | 3.55mm | 无 | Non-RoHS Compliant | 含铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 25C080T/SN | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | 8 | Non-Volatile | 0°C~70°C TA | Tape & Reel (TR) | 2001 | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | Matte Tin (Sn) | DATA RETENTION > 200 YEARS; 4KV ESD PROTECTION; 1M ENDURANCE CYCLES | 4.5V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 1.27mm | 40 | 25C080 | 8 | 5V | 5V | SPI, Serial | 8Kb 1K x 8 | 5mA | 3MHz | 150 ns | EEPROM | SPI | 8 | 5ms | 8 kb | 0.000005A | SPI | 10000000 Write/Erase Cycles | 5ms | 200 | HARDWARE/SOFTWARE | 无 | ROHS3 Compliant | 无铅 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BR24A02FJ-WME2 | ROHM Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 11 Weeks | Automotive grade | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | 8 | Non-Volatile | -40°C~105°C TA | Cut Tape (CT) | 2013 | Automotive, AEC-Q100 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 2.5V~5.5V | DUAL | 未说明 | 1 | 1.27mm | 未说明 | 8 | 不合格 | 5.5V | 3/5V | 2.5V | 2Kb 256 x 8 | SYNCHRONOUS | 400kHz | EEPROM | I2C | 8 | 5ms | 0.000002A | SERIAL | I2C | 100000 Write/Erase Cycles | 5ms | 40 | HARDWARE | 1010DDDR | 1.775mm | 4.9mm | 3.9mm | Unknown | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | IS43R16320D-6BL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | Commercial grade | 表面贴装 | 表面贴装 | 60-TFBGA | 60 | Volatile | 0°C~70°C TA | Tray | e1 | yes | 活跃 | 3 (168 Hours) | 60 | EAR99 | 锡银铜 | AUTO/SELF REFRESH | 8542.32.00.28 | 2.3V~2.7V | BOTTOM | 260 | 1 | 2.5V | 1mm | 40 | 60 | 不合格 | 2.5V | 2.7V | 2.3V | 512Mb 32M x 16 | 1 | 370mA | SYNCHRONOUS | 166MHz | 700ps | DRAM | Parallel | 16b | 32MX16 | 3-STATE | 16 | 15ns | 15b | 512 Mb | 0.025A | COMMON | 64MB | 8192 | 248 | 248 | 1.2mm | 13mm | 无SVHC | ROHS3 Compliant | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | N25Q512A11G1240E | Micron Technology Inc. | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 表面贴装 | 24-TBGA | YES | 24 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Bulk | 2012 | e1 | yes | Obsolete | 3 (168 Hours) | 24 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 1.7V~2V | BOTTOM | 260 | 1 | 1.8V | 1mm | 30 | 1.8V | 1.7V | Serial | 512Mb 128M x 4 | 20mA | 108MHz | 8 ns | FLASH | SPI | 512MX1 | 1 | 8ms, 5ms | 32b | 512 Mb | Synchronous | 8b | 256B | 1.2mm | 8mm | 无 | ROHS3 Compliant | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS43TR16512BL-125KBLI-TR | Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 8 Weeks | + 95 C | - 40 C | 1.283 V | 800 MHz | SMD/SMT | Details | Tape & Reel (TR) | 活跃 | Volatile | 1.45 V | TFBGA, | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 3 | 512000000 | PLASTIC/EPOXY | -40 °C | 10 | 95 °C | 有 | IS43TR16512BL-125KBLI-TR | 536870912 words | 1.35 V | TFBGA | RECTANGULAR | 活跃 | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC | 5.59 | 表面贴装 | FBGA-96 | YES | 96-TWBGA (10x14) | 96 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | 2000 | -40°C ~ 95°C (TC) | Reel | IS43TR16512BL | e1 | SDRAM - DDR3L | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | AUTO/SELF REFRESH | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | BOTTOM | BALL | 260 | 1 | 0.8 mm | compliant | R-PBGA-B96 | 1.45 V | INDUSTRIAL | 1.283 V | 8 Gbit | 1 | SYNCHRONOUS | 800 MHz | 150 mA | 20 ns | DRAM | Parallel | 16 bit | 512 M x 16 | 1.2 mm | 16 | 15ns | 8589934592 bit | DDR DRAM | 多库页面突发 | YES | 512M x 16 | 14 mm | 10 mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 93AA66BT-I/MNY | Microchip Technology | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 倍率: 1 | 6 Weeks | Gold | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-WFDFN Exposed Pad | 8 | Non-Volatile | -40°C~85°C TA | Tape & Reel (TR) | 2011 | e4 | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | EAR99 | 1.8V~5.5V | DUAL | 260 | 1 | 5V | 0.5mm | 40 | 93AA66B | 8 | 5.5V | Serial | 4Kb 256 x 16 | 2mA | SYNCHRONOUS | 2MHz | 250 ns | EEPROM | SPI | 256X16 | 16 | 6ms | 4 kb | MICROWIRE | 6ms | 3mm | 2mm | ROHS3 Compliant |